公开(公告)号：GB2486618B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：GB201206876

申请日：2010-11-10

Applicant: IBM

Inventor： BREITWISCH MATTHEW J ,  LAM CHUNG HON ,  RAJENDRAN BIPIN ,  RAOUX SIMONE ,  SCHROTT ALEJANDRO G ,  KREBS DANIEL

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00

Abstract: A phase change memory cell that includes a bottom electrode, a top electrode separated from the bottom electrode, and growth-dominated phase change material deposited between the bottom electrode and the top electrode and contacting the bottom electrode and the top electrode and surrounded by insulation material at sidewalls thereof. The phase change memory cell in a reset state only includes an amorphous phase of the growth-dominated phase change material within an active volume of the phase change memory cell.

公开(公告)号：GB2486618A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：GB201206876

申请日：2010-11-10

Applicant: IBM

Inventor： BREITWISCH MATTHEW J ,  LAM CHUNG H ,  RAJENDRAN BIPIN ,  RAOUX SIMONE ,  SCHROTT ALEJANDRO G ,  KREBS DANIEL

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00

Abstract: A phase change memory cell that includes a bottom electrode, a top electrode separated from the bottom electrode, and growth-dominated phase change material deposited between the bottom electrode and the top electrode and contacting the bottom electrode and the top electrode and surrounded by insulation material at sidewalls thereof. The phase change memory cell in a reset state only includes an amorphous phase of the growth-dominated phase change material within an active volume of the phase change memory cell.

公开(公告)号：DE102008016522B4

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102008016522

申请日：2008-03-31

Applicant: IBM ,  MACRONIX INT CO LTD ,  QIMONDA AG

Inventor： HAPP THOMAS DR ,  PHILIPP JAN BORIS ,  LUNG HSIANG-LAN ,  RAOUX SIMONE ,  LAM CHUNG HON ,  CHEN CHIEH-FANG ,  CHEN SHIH-HUNG ,  CHEN YI-CHOU ,  HO CHIA HUA ,  HSUEH MING-HSIANG

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  H01L45/00

Abstract: Phasenwechselspeicher-Speicherzelle mit: einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode; einem Verbundmaterial, wobei das Verbundmaterial die erste Elektrode elektrisch mit der zweiten Elektrode verbindet und ein Phasenwechselmaterial und ein Resistormaterial umfasst; wobei mindestens ein Teil des Phasenwechselmaterials so eingerichtet ist, dass er ansprechend auf eine Anlegung eines Schaltsignals an die erste und/oder die zweite Elektrode zwischen einer einem bestimmten Speicherzustand entsprechenden, im Wesentlichen kristallinen Phase und einer einem anderen bestimmten Speicherzustand entsprechenden, im Wesentlichen amorphen Phase wechselt; und wobei das Resistormaterial in einer Vielzahl von diskreten Clustern angeordnet ist und eine Resistivität aufweist, die geringer ist als diejenige des Phasenwechselmaterials, wenn das Phasenwechselmaterial in der im Wesentlichen amorphen Phase vorliegt.

公开(公告)号：DE102008016522A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：DE102008016522

申请日：2008-03-31

Applicant: IBM ,  MACRONIX INT CO LTD ,  QIMONDA AG

Inventor： HAPP THOMAS ,  PHILIPP JAN BORIS ,  LUNG HSIANG-LAN ,  RAOUX SIMONE ,  LAM CHUNG HON ,  CHEN CHIEH-FANG ,  CHEN SHIH-HUNG ,  CHEN YI-CHOU ,  HO CHIA HUA ,  HSUEH MING-HSIANG

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: A memory cell comprises a first electrode, a second electrode and a composite material. The composite material electrically couples the first electrode to the second electrode. Moreover, the composite material comprises a phase change material and a resistor material. At least a portion of the phase change material is operative to switch between a substantially crystalline phase and a substantially amorphous phase in response to an application of a switching signal to at least one of the first and second electrodes. In addition, the resistor material has a resistivity lower than that of the phase change material when the phase change material is in the substantially amorphous phase.

公开(公告)号：DE112010004406B4

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE112010004406

申请日：2010-11-10

Applicant: IBM

Inventor： BREITWISCH MATTHEW J ,  LAM CHUNG H ,  RAJENDRAN BIPIN ,  RAOUX SIMONE ,  SCHROTT ALEJANDRO G ,  KREBS DANIEL

IPC: H01L27/24

Abstract: Phasenwechsel-Speicherzelle, umfassend:- eine untere Elektrode (202),- eine obere Elektrode (206), getrennt von der unteren Elektrode, und- wachstumsdominiertes Phasenwechsel-Material (205), in einer Säule (204) zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode und die untere Elektrode und die obere Elektrode kontaktierend und seitlich von Isoliermaterial (208) umgeben,- wobei die Phasenwechsel-Speicherzelle in einem Reset- Zustand nur eine amorphe Phase des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials (205) in der Säule (204) umfasst,- sich in der Phasenwechsel-Speicherzelle zwischen Gallium-Atome umfassenden Grenzflächenbereichen (207a, 207b) des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials an der unteren Elektrode (202) und an der oberen Elektrode (206) ein Strompfad ausbildet und- das Phasenwechsel-Material (205) nach dem Reset-Vorgang vollständig amorph ist, wenn ein Reset-Strom mit einem vorgegebenen Wert entlang des Strompfads fließt.

公开(公告)号：DE112010004406T5

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE112010004406

申请日：2010-11-10

Applicant: IBM

Inventor： LAM CHUNG H ,  RAJENDRAN BIPIN ,  RAOUX SIMONE ,  KREBS DANIEL ,  BREITWISCH MATTHEW J ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: H01L27/24

Abstract: Phasenwechsel-Speicherzelle, umfassend eine untere Elektrode, eine obere Elektrode, getrennt von der unteren Elektrode, und wachstumsdominiertes Phasenwechsel-Material abgeschieden zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode und kontaktierend die untere Elektrode und die obere Elektrode und umgeben von Isoliermaterial an den Seitenwänden davon. Die Phasenwechsel-Speicherzelle in einem Reset-Zustand umfasst nur eine amorphe Phase des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials in einem aktiven Volumen der Phasenwechsel-Speicherzelle.