公开(公告)号：DE112023002938T5

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE112023002938

申请日：2023-09-05

Applicant: IBM

Inventor： SENAPATI BISWANATH ,  MUNETOH SEIJI ,  LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  CLEVENGER LAWRENCE A ,  BURR GEOFFREY ,  HOSOKAWA KOHJI

IPC: H10B63/10 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Eine IC-Speichereinheit enthält ein Substrat und ein Array von Speicherzellen auf dem Substrat. Jede Speicherzelle enthält wenigstens einen Speicherzellentransistor in einer Schicht der Einheit benachbart zu dem Substrat. In der gleichen Schicht enthält die Einheit ferner eine Mehrzahl von Nebenschlusstransistoren. Die Einheit enthält ferner eine vergrabene Metall-Signalschiene, die zwischen dem Array von Speicherzellen und der Mehrzahl von Nebenschlusstransistoren in einer vergrabenen Schicht angeordnet ist, die unter den Transistoren in dem Substrat eingebettet ist. Die Einheit enthält ferner Einzelschicht-Durchkontaktierungen, die in der gleichen Schicht wie die Transistoren angeordnet sind und die Speicherzellentransistoren durch die vergrabene Metall-Signalschiene elektrisch mit den Nebenschlusstransistoren verbinden.