公开(公告)号：GB2505775A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：GB201314519

申请日：2012-01-20

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KHALIL MICHAEL J ,  GAUTHIER JR ROBERT J ,  LEE TOM C ,  LI JUNJUN ,  SOUVICK MITRA ,  PUTNAM CHRISTOPHER S

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861

Abstract: Device structures with a reduced junction area in an SOI process, methods of making the device structures, and design structures for a lateral diode (56). The device structure includes one or more dielectric regions (20a, 20b, 20c), such as STI regions, positioned in the device region (18) and intersecting the p-n junction (52, 54) between an anode (40, 42) and cathode (28, 30, 48a, 48b, 49a, 49b, 50a, 50b). The dielectric regions, which may be formed using shallow trench isolation techniques, function to reduce the width of a p-n junction with respect to the width area of the cathode at a location spaced laterally from the p-n junction and the anode. The width difference and presence of the dielectric regions creates an asymmetrical diode structure. The volume of the device region occupied by the dielectric regions is minimized to preserve the volume of the cathode and anode.

公开(公告)号：DE112012000264T5

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：DE112012000264

申请日：2012-01-20

Applicant: IBM

Inventor： PUTNAM CHRISTOPHER S ,  LI JUNJUN ,  ABOU-KHALIL MICHAEL J ,  GAUTHIER ROBERT J JR ,  LEE TOM C ,  SOUVICK MITRA

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/8249 ,  H01L23/60 ,  H01L27/12

Abstract: Einheitenstrukturen mit einer verringerten Übergangsfläche in einem SOI-Prozess, Verfahren zum Fertigen der Einheitenstrukturen und Konstruktionsstrukturen für eine Lateraldiode (56). Die Einheitenstruktur beinhaltet einen oder mehrere dielektrische Bereiche (20a, 20b, 20c) wie zum Beispiel STI-Bereiche, die in dem Einheitenbereich (18) positioniert sind und sich mit dem p-n-Übergang (52, 54) zwischen einer Anode (40, 42) und einer Kathode (28, 30, 48a, 48b, 49a, 49b, 50a, 50b) überschneiden. Die dielektrischen Bereiche, die mithilfe von Techniken für flache Grabenisolationen ausgebildet werden können, dienen dazu, die Breite eines p-n-Übergangs im Hinblick auf die Breitenfläche der Kathode an einer Position zu verringern, die seitlich von dem p-n-Übergang und der Anode beabstandet ist. Der Breitenunterschied und das Vorhandensein der dielektrischen Bereiche erzeugt eine asymmetrische Diodenstruktur. Das Volumen des Einheitenbereichs, das durch die dielektrischen Bereiche eingenommen wird, wird so weit wie möglich verringert, um das Volumen der Kathode und der Anode zu erhalten.

公开(公告)号：GB2505775B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：GB201314519

申请日：2012-01-20

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KHALIL MICHAEL J ,  GAUTHIER ROBERT J JR ,  LEE TOM C ,  LI JUNJUN ,  SOUVICK MITRA ,  PUTNAM CHRISTOPHER S

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861