公开(公告)号：GB2500668A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：GB201205550

申请日：2012-03-29

Applicant: IBM

Inventor： DING FEI ,  STOEFERLE THILO ,  MAHRT RAINER F ,  KNOLL ARMIN W

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/02 ,  H01S5/10

Abstract: A vertical microcavity 1 has a vertical layer structure comprising first and second reflectors 100, 200 each comprising one or more material layers 111-131, 211-231 and preferably being distributed Bragg reflectors (DBR), and a confinement layer 10 between the reflectors 100, 200 comprising a body 12 and a curved defect 20 which may be Gaussian or parabolic in at least one place parallel to the vertical axis. The defect 20 serves to confine light laterally, increase the quality (Q) factor and limit mode volume. The defect 20 may be formed using scanning probe lithography. The layers 211-231 of the reflector 200 contiguous with the defect may be curved in line with the defect 20, with the apex of each curve having the same height as the defect or decreasing height further from the defect 20. The confinement layer 10 may have a defect 20 on both the upper and lower surface.

公开(公告)号：GB2515694A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：GB201418277

申请日：2013-03-05

Applicant: IBM

Inventor： DING FEI ,  KNOLL ARMIN W ,  MAHRT RAINER F ,  STOEFERLE THILO

IPC: H01S5/183

Abstract: A vertical microcavity (1) has a layer structure perpendicular to a vertical axis z, the layer structure comprising: a first reflector (100) and a second reflector (200), each comprising one or more material layers (111-131, 211-231) and being preferably a Bragg reflector, a confinement layer (10) separating the first and second reflectors, wherein an electromagnetic wave can be substantially confined, and wherein, the confinement layer comprises a body (12) and a defect (20), said defect delimited by two surfaces, a first surface (si) and a second surface (s2), each of said two surfaces being perpendicular to the vertical axis z, wherein, one (si) of said two surfaces is contiguous with said body (12), the other one (s2) of said two surfaces being contiguous with a layer (211) of the first or second reflector, and wherein one (s1) of said two surfaces is curved, such as to have a curved profile (21, 21', 22) in at least a plane section ((y, z), (x, z)) perpendicular to the layer structure, said curved profile having a vertex (25), which defines a maximal thickness h0 of the defect between the first surface and the second surface in said plane section, said maximal thickness h0 being less than a thickness of said contiguous layer (211).

公开(公告)号：DE112021002873B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE112021002873

申请日：2021-06-06

Applicant: IBM

Inventor： PAREDES STEPHAN ,  JANETT ANDREAS ,  STOEFERLE THILO ,  FILIPPAL STEFAN ,  MERGENTHALER MATTHIAS

IPC: H01L23/04 ,  G06N10/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01Q13/08

Abstract: Bauelementgehäuse, das aufweist:einen Chipträger (510), der einen Hohlraum und einen oder mehrere Mikrowellen-Wellenleiter enthält, die so konfiguriert sind, dass sie Signale weiterleiten; undeinen Chip (220), der eine oder mehrere Kontaktflächen aufweist und innerhalb des Hohlraums des Chipträgers (510) angeordnet ist,einen Block, der so konfiguriert ist, dass er durch ein Drücken den Chip (220) in den Hohlraum des Chipträgers (510) drückt, wobei:jede Kontaktfläche mit einer entsprechenden Verbinderkontaktfläche eines Mikrowellen-Wellenleiters des einen oder der mehreren Mikrowellen-Wellenleiter des Chipträgers (510) ausgerichtet ist;mindestens eine der einen oder mehreren Kontaktflächen mit der Verbinderkontaktfläche des entsprechenden Mikrowellen-Wellenleiters mit Hilfe einer überlappenden kapazitiven Kopplung zwischen der mindestens einen Kontaktfläche und der ausgerichteten entsprechenden Verbinderkontaktfläche des Mikrowellen-Wellenleiters verbunden ist; undder Block eine oder mehrere Federn umfasst, die funktionsmäßig in der Lage sind, den Chip (220) auf den Hohlraum des Chipträgers (510) zu drücken, wobei ein Abstand zwischen der mindestens einen Kontaktfläche und der ausgerichteten entsprechenden Verbinderkontaktfläche des Mikrowellen-Wellenleiters auf der Grundlage des angewendeten mechanischen Drucks zwischen dem Chip (220) und dem Chipträger (510) steuerbar ist.

公开(公告)号：GB2500670A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：GB201205552

申请日：2012-03-29

Applicant: IBM

Inventor： KNOLL ARMIN W ,  DUERIG URS T ,  DING FEI ,  STOEFERLE THILO ,  MAHRT RAINER F

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/183

Abstract: A method of making a micro-optics device, such as a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL), comprising providing a layer 300 of material, patterning said layer 300 to form a curved defect 20 which may be Gaussian or parabolic in one or more planes parallel to the vertical axis, and providing at least another layer or material in contact with the curved surface 20. The additional layers may form a distributed Bragg reflector (DBR). The patterning uses nano-lithographic techniques based on scanning probe microscopy (SPM), using a nano-scale tipped probe 50 to desorb the surface molecules, which may be non-covalently or hydrogenically bonded, or unzipping (depolymerising) polymer chains. The method serves to provide lateral photon confinement, increase the quality (Q) factor of the microcavity and reduce the mode volume.