公开(公告)号：DE102005046993B3

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：DE102005046993

申请日：2005-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARNDT CHRISTIAN ,  TROEGER WOLFGANG

IPC: H03K17/18

Abstract: The device has an impact device (120) with an intermediate signal input (120a) for an intermediate signal (ZS). The impact device is formed in such a manner to output the intermediate signal as an output signal (LS) to an output signal output (120b) when a load current does not fulfill a predetermined condition and otherwise to produce and output the output signal with a predetermined value. Independent claims are also included for the following: (1) a method for producing an output signal from a load current that flows through an external device (2) a computer program with a program code for implementing a method for producing an output signal from a load current.

公开(公告)号：DE10339689A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：DE10339689

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARNDT CHRISTIAN ,  SANDER RAINALD ,  KARTAL VELI

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H03K17/082 ,  H02H9/04 ,  H02H7/20 ,  H03K17/695

Abstract: The drain (D) and source (S) path of the load transistor (T) carries a current (Id) between a supply voltage (Vbb) and earth (GND). A current measurement sensor (21) and the load (Z) are connected between the transistor and earth. The current sensor forms part of a deactivation circuit (20) and sends a signal (S21) to a switch control circuit (22). This sends a signal (S22) to a switch (23). The switch is connected to the gate (G) of the transistor. A signal input (IN) feeds a signal (Sin) to a drive switch (DRV) connected to the transistor gate. The deactivation circuit is connected to the supply voltage via a voltage limiter circuit with a diode (D1) and a Zener diode (Z1).

公开(公告)号：DE102006047243A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：DE102006047243

申请日：2006-10-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRAF ALFONS ,  ARNDT CHRISTIAN

IPC: H02H9/04 ,  B60R16/03 ,  H03K17/082

Abstract: The system (1) has a field-effect-controlled power transistor (2) applying a supply voltage of the system to a load (4) by a logic circuit during controlling, where the power transistor has a drain source breakdown voltage with positive temperature coefficients. The power transistor is provided with a clamping unit for protecting from overvoltages, which appear in the system, where the power transistor is in the form of a lower reverse voltage class. A clamping voltage of the clamping unit is smaller or same as the maximum overvoltage to be estimated in the system. An independent claim is also included for a method for protecting an on-board supply system.

公开(公告)号：DE102005024952A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：DE102005024952

申请日：2005-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MUEMMLER KLAUS ,  BAARS PETER ,  ARNDT CHRISTIAN ,  REGUL JOERN

IPC: H01L21/8242

Abstract: The method involves producing a conductive layer (8) on a dielectric layer (11) with opening areas above a conducting path (3) and above capacitor electrodes (7). The dielectric layer is selectively etched to the conductive layer for forming trenches that are partially dissected in a surface of the conducting path and ends in the conductive layer above the capacitor electrodes. The trenches are filled with conductive material. An independent claim is also included for a semiconductor device e.g. semiconductor memory device.

公开(公告)号：DE102013112589B4

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102013112589

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARBELLA CARLO ,  VETRIVEL PERIASAMY GANESH ,  YONG WOON YIK ,  KOO KOK KIAT ,  ARNDT CHRISTIAN ,  MYERS EDWARD

IPC: H01L23/62 ,  H01H37/76 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L23/525 ,  H01L25/04 ,  H02H5/04 ,  H05K3/30

Abstract: Halbleitergehäuse, umfassend:einen Chipträger,einen Chip, der auf dem Chipträger angeordnet ist,eine Verkapselung (220), welche den Chip und den Chipträger einkapselt,einen Stift (230), der aus der Verkapselung (220) vorsteht, undeine lösbare Zuleitung (240), die auf der Verkapselung (220) angeordnet ist und mit dem Stift (230) verbunden ist, wobei die lösbare Zuleitung (240) dazu ausgelegt ist, von dem Stift (230) getrennt zu werden, falls eine Temperatur eine vorgegebene Temperatur überschreitet, wobei ein erster Abschnitt (244) der lösbaren Zuleitung (240) auf einer ersten Seite der Verkapselung (220) angeordnet ist, wobei ein zweiter Abschnitt (242) der lösbaren Zuleitung (240) mit dem Stift (230) verbunden ist, und wobei der Stift (230) auf einer zweiten Seite der Verkapselung (220) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015109277A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015109277

申请日：2015-06-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARNDT CHRISTIAN

IPC: G01R19/00

Abstract: Es wird ein Verfahren vorgeschlagen zur Messung eines durch einen Schalter fließenden Laststroms, bei dem ein Messstrom mit einem definierten Offset-Strom beaufschlagt wird, bei dem der definierte Offset-Strom während mindestens zweier Zeitintervalle bestimmt wird, während dessen der Schalter eingeschaltet ist, bei dem der Laststrom basierend auf dem definierten Offset-Strom anhand des Messstroms bestimmt wird. Auch wird eine entsprechende Schaltung angegeben.

公开(公告)号：DE102013112589A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE102013112589

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARBELLA CARLO ,  VETRIVEL PERIASAMY GANESH ,  YONG WOON YIK ,  KOO KOK KIAT ,  ARNDT CHRISTIAN ,  MYERS EDWARD

IPC: H01L23/62 ,  H01H37/76 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L23/525 ,  H01L25/04 ,  H02H5/04 ,  H05K3/30

Abstract: Es ist ein Halbleitergehäuse offenbart, das einen Ausfallöffnungsmechanismus aufweist. Eine Ausführungsform weist ein Halbleitergehäuse mit einem Chipträger, einem Chip, der auf dem Chipträger angeordnet ist, und einer Verkapselung, welche den Chip und den Chipträger einkapselt, auf. Das Halbleitergehäuse weist ferner einen Stift, der aus der Verkapselung vorsteht, und einen Ausfallöffnungsmechanismus, der auf der Verkapselung angeordnet ist und mit dem Stift verbunden ist, auf, wobei der Ausfallöffnungsmechanismus dafür ausgelegt ist, vom Stift getrennt zu werden, falls eine Temperatur eine vorgegebene Temperatur überschreitet.

公开(公告)号：DE102009028217A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：DE102009028217

申请日：2009-08-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARNDT CHRISTIAN

IPC: H03K17/082

Abstract: The measurement of a current through a load transistor is described.

公开(公告)号：DE102005046980B4

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：DE102005046980

申请日：2005-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARNDT CHRISTIAN

IPC: H02H3/08

公开(公告)号：DE102005046980A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：DE102005046980

申请日：2005-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARNDT CHRISTIAN

IPC: H02H3/08

Abstract: The circuit (51) has an input connection (52a) for receiving a current, an output connection (52b), a switch (55) between the connections for connecting them depending on a switching signal, an integrator connected to the input connection for producing an integrator output signal based on the input current if the current exceeds a threshold value and a controller (79) for producing a switching signal for interrupting the connection between the input and output connections if the integrator output signal exceeds a defined threshold value. An independent claim is also included for a method of protecting a load.