公开(公告)号：DE102015109545B4

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Transistorbauelement, das zumindest eine Transistorzelle aufweist, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist:in einem Halbleiterkörper (100), ein Driftgebiet (11) von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet (14) vom ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (15) von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet (17) vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet (15) zwischen dem Sourcegebiet (14) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (15) und dem Draingebiet (17) angeordnet ist;eine zu dem Bodygebiet (15) benachbarte und durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (15) dielektrisch isolierte Gateelektrode (21);eine Feldelektrode (31), die durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) gegenüber dem Driftgebiet (11) dielektrisch isoliert ist;wobei das Driftgebiet (11) ein Lawinengebiet (13) aufweist, wobei das Lawinengebiet (13) eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets (11), und das in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements von dem Feldelektrodendielektrikum (32) beabstandet ist,wobei die Feldelektrode (31) in einem nadelförmigen Graben angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102013111966B4

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102013111966

申请日：2013-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL HEINZ ,  WOOD ANDREW CHRISTOPHER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Feldeffektbauelement (100), umfassend einen Halbleiterkörper (40) mit einem aktiven Bereich (110) und einem Randbereich (120), wobei sich der Halbleiterkörper (40) in dem Randbereich (120) in einer vertikalen Richtung von einer Rückseite (102) bis zu einer Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (40) erstreckt, wobei die vertikale Richtung senkrecht zu der Rückseite (102) und/oder der Oberfläche (101) ist, wobei der Halbleiterkörper (40) im Randbereich (120) von einer vertikal orientierten Seitenfläche (41) des Halbleiterkörpers (40) begrenzt wird, die sich von der Rückseite (102) bis zu der Oberfläche (101) erstreckt, und wobei der Halbleiterkörper (40) im aktiven Bereich (110) eine Halbleitermesa (20) umfasst, die sich in der vertikalen Richtung bis zu einer in einer Höhe (hM) über der Oberfläche (101) angeordneten Halbleitermesaoberseite (103) erstreckt, wobei der Halbleiterkörper (40) in einem vertikalen Querschnitt weiter umfasst: – eine Driftregion (1), die sich zumindest im Randbereich bis zur Oberfläche (101) erstreckt und die teilweise in der Halbleitermesa (20) angeordnet ist; und – eine zumindest teilweise in der Halbleitermesa (20) angeordnete Bodyregion (2), die einen ersten pn-Übergang (14) mit der Driftregion (1) bildet, der von der Halbleitermesaoberseite (103) beabstandet ist und sich zwischen zwei Seitenwänden (21) der Halbleitermesa (20) erstreckt, wobei ein vertikaler Abstand (d) des ersten pn-Übergangs (14) von der Halbleitermesaoberseite (103) in einer horizontalen Richtung variiert und einen größten Wert (d1) in einem von den zwei Seitenwänden (21) beabstandeten Zentralbereich (2c) annimmt, und wobei der größte Wert (d1) zumindest 70% der Höhe (hM) beträgt.

公开(公告)号：DE102015109545A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung offenbart. Eine Ausgestaltung des Halbleiterbauelements weist zumindest eine Transistorzelle auf, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist: in dem Halbleiterkörper ein Driftgebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet zwischen dem Sourcegebiet und dem Driftgebiet angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet angeordnet ist; eine Gateelektrode, die zu dem Bodygebiet benachbart und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist; eine Feldelektrode, die durch ein Feldelektrodendielektrikum gegenüber dem Driftgebiet dielektrisch isoliert ist; wobei das Driftgebiet ein Lawinengebiet aufweist, wobei das Lawinengebiet eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets und von dem Feldelektrodendielektrikum in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements beabstandet ist, wobei die Feldelektrode in einem Graben angeordnet ist, der in einer Bodenebene des Halbleiterkörpers einen Boden aufweist, und wobei das Lawinengebiet zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich näher an der Bodenebene befindet als an einer durch das Sourcegebiet definierten Oberfläche des Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102013111966A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102013111966

申请日：2013-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL HEINZ ,  WOOD ANDREW CHRISTOPHER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Es wird ein Feldeffektbauelement mit einem Halbleiterkörper bereitgestellt, der sich in einem Randbereich (120) von einer Rückseite (102) bis zu einer Oberseite (101) erstreckt, und der eine Halbleitermesa (20) aufweist, die sich in einer vertikalen Richtung, die senkrecht zu der Rückseite (102) und/oder der Oberseite (101) ist, bis zu einer in einer Höhe (hM) über der Oberseite (101) angeordneten Halbleitermesaoberseite (103) erstreckt, wobei der Halbleiterkörper (40) in einem vertikalen Querschnitt weiter eine Driftregion (1), die sich bis zur Oberseite (101) erstreckt und die teilweise in der Halbleitermesa (20) angeordnet ist; und eine zumindest teilweise in der Halbleitermesa (20) angeordnete Bodyregion (2) aufweist, die einen pn-Übergang (14) mit der Driftregion (1) bildet, der sich zwischen zwei Seitenwänden (21) der Halbleitermesa (20) erstreckt, wobei ein vertikaler Abstand (d) des pn-Übergangs (14) von der Halbleitermesaoberseite (103) in einer horizontalen Richtung variiert und einen größten Wert (d1) in einem von den zwei Seitenwänden (21) beabstandeten Zentralbereich (2c) annimmt, und wobei der größte Wert (d1) zumindest 70% der Höhe (hM) beträgt.