公开(公告)号：DE102013114842B4

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：DE102013114842

申请日：2013-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung mit einem Transistor, der in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) ausgebildet ist, wobei der Transistor aufweist:einen Kanalbereich (230), der mit Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist,einen Sourcebereich (210), der mit Dotierstoffen eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der vom ersten Leitfähigkeitstyp verschieden ist, dotiert ist,einen Drainbereich (220), der mit Dotierstoffen des zweiten Leitfähigkeitstyps dotiert ist,einen Drainausdehnungsbereich (240) undeine Gateelektrode (250), benachbart zu dem Kanalbereich (230),wobei der Kanalbereich (230) in einem ersten Teil (120) eines Kammes (115) angeordnet ist, der Drainausdehnungsbereich (240) in einem zweiten Teil (130) des Kammes (115) angeordnet ist, der Drainausdehnungsbereich (240) einen Kernteil (242), der mit dem ersten Leitfähigkeitstyp dotiert ist, und weiterhin einen Abdeckteil (244), der mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp dotiert ist, aufweist und der Abdeckteil (244) benachbart zu wenigstens einer oder zwei Seitenwänden (117) des zweiten Teiles (130) des Kammes (115) ist, und wobei der Sourcebereich (210) in einem dritten Teil (135) des Kammes (115) direkt angrenzend an den Kanalbereich (230) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015109545B4

公开(公告)日：2021-10-21

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Transistorbauelement, das zumindest eine Transistorzelle aufweist, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist:in einem Halbleiterkörper (100), ein Driftgebiet (11) von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet (14) vom ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (15) von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet (17) vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet (15) zwischen dem Sourcegebiet (14) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (15) und dem Draingebiet (17) angeordnet ist;eine zu dem Bodygebiet (15) benachbarte und durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (15) dielektrisch isolierte Gateelektrode (21);eine Feldelektrode (31), die durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) gegenüber dem Driftgebiet (11) dielektrisch isoliert ist;wobei das Driftgebiet (11) ein Lawinengebiet (13) aufweist, wobei das Lawinengebiet (13) eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets (11), und das in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements von dem Feldelektrodendielektrikum (32) beabstandet ist,wobei die Feldelektrode (31) in einem nadelförmigen Graben angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016118543A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：DE102016118543

申请日：2016-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  LUDWIG JACOB TILLMAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Driftregion einer Bauelementstruktur, die in einer Halbleiterschicht angeordnet ist. Die Driftregion umfasst zumindest einen ersten Driftregionabschnitt und zumindest einen zweiten Driftregionabschnitt. Ein Großteil von Dotierstoffen innerhalb des ersten Driftregionabschnitts ist eine erste Spezies von Dotierstoffen mit einer Diffusivität von weniger als einer Diffusivität von Phosphor innerhalb der Halbleiterschicht. Ferner ist ein Großteil von Dotierstoffen innerhalb des zweiten Driftregionabschnitts eine zweite Spezies von Dotierstoffen. Zusätzlich dazu umfasst das Halbleiterbauelement einen Graben, der sich von einer Oberfläche der Halbleiterschicht in die Halbleiterschicht erstreckt. Eine vertikale Distanz einer Grenze zwischen dem ersten Driftregionabschnitt und dem zweiten Driftregionabschnitt zu der Oberfläche der Halbleiterschicht ist größer als 0,5 Mal eine maximale Tiefe des Grabens und kleiner als 1,5 Mal die maximale Tiefe des Grabens.

公开(公告)号：DE102013114842A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：DE102013114842

申请日：2013-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Transistor, der in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) ausgebildet ist. Der Transistor umfasst einen Kanalbereich (230), der mit Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, einen Sourcebereich (210), einen Drainbereich (220), wobei der Source- und der Drainbereich mit Dotierstoffen eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der verschieden vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, dotiert sind, einen Drainausdehnungsbereich (240) und eine Gateelektrode (250) benachbart zu dem Kanalbereich (230). Der Kanalbereich (230) ist in einem ersten Teil (120) eines Kammes (115) angeordnet. Der Drainausdehnungsbereich (240) ist in einem zweiten Teil (130) des Kammes (115) angeordnet und umfasst einen Kernteil (242), der mit dem ersten Leitfähigkeitstyp dotiert ist. Der Drainausdehnungsbereich (240) umfasst weiterhin einen Abdeckteil (244), der mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp dotiert und benachbart zu wenigstens einer oder zu zwei Seitenwänden (117) des zweiten Teiles (130) des Kammes (115) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016118543B4

公开(公告)日：2025-01-30

申请号：DE102016118543

申请日：2016-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  LUDWIG JACOB TILLMAN

IPC: H10D30/60 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D62/60

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500), umfassend:eine Driftregion einer Bauelementstruktur, die in einer Halbleiterschicht (102) angeordnet ist, wobei die Driftregion zumindest einen ersten Driftregionabschnitt (502) und zumindest einen zweiten Driftregionabschnitt (504) aufweist, wobei ein Großteil von Dotierstoffen innerhalb des ersten Driftregionabschnitts (502) eine erste Spezies von Dotierstoffen mit einer Diffusivität von weniger als einer Diffusivität von Phosphor innerhalb der Halbleiterschicht (102) ist, wobei ein Großteil von Dotierstoffen innerhalb des zweiten Driftregionabschnitts (504) eine zweite Spezies von Dotierstoffen ist; undein Graben (510), der sich von einer Oberfläche der Halbleiterschicht (102) in die Halbleiterschicht (102) erstreckt, wobei eine vertikale Distanz zwischen der Oberfläche der Halbleiterschicht (102) und einer Grenze (503) zwischen dem ersten Driftregionabschnitt (502) und dem zweiten Driftregionabschnitt (504) größer ist als 0,5 Mal eine maximale Tiefe des Grabens (510) und kleiner als 1,5 Mal die maximale Tiefe des Grabens (510),wobei der zweite Driftregionabschnitt (504) zwischen der Oberfläche der Halbleiterschicht (102) und dem ersten Driftregionabschnitt (502) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017130223B4

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102017130223

申请日：2017-12-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  KAMPEN CHRISTIAN

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H02M3/00

Abstract: Halbleitervorrichtung (100), die aufweist:eine erste planare Feldeffekttransistorzelle (101) und eine zweite planare Feldeffekttransistorzelle (102), die elektrisch parallel geschaltet sind und jeweils ein Drainerweiterungsgebiet (103) zwischen einem Kanalbereich und einem Drainanschluss (D) an einer ersten Oberfläche (109) eines Halbleiterkörpers (104) aufweisen, wobeieine Gateelektrode (106) der ersten Feldeffekttransistorzelle (101) mit einem Sourceanschluss (S) elektrisch verbunden ist; undeine Gateelektrode (106) der zweiten Feldeffekttransistorzelle (102) mit einem vom Sourceanschluss (S) elektrisch getrennten Gateanschluss (G) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102014117512B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102014117512

申请日：2014-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SPITZER ANDREAS ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/522 ,  H01L25/16

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassendeine erste Force-Leitung (401), die elektrisch mit einer Metallstruktur (305) in einer äußersten Verdrahtungsschicht (300) verbunden ist, wobei ein Sense-Via (311) sich von der Metallstruktur (305) durch ein äußerstes Zwischenschichtdielektrikum (210) erstreckt;eine erste Sense-Leitung (411), die von der ersten Force-Leitung (401) getrennt und elektrisch mit der Metallstruktur (305) verbunden ist;eine zweite Force-Leitung (402), die elektrisch mit dem Sense-Via (311) über eine Basisoberfläche (311a) des Sense-Vias (311) verbunden ist, wobei die Basisoberfläche (311a) von der Metallstruktur (305) abgewandt und zu einem Halbleiterkörper (100) ausgerichtet ist, der halbleitende Teile von wenigstens einem Halbleiterelement (190) umfasst;eine zweite Sense-Leitung (412), die elektrisch mit dem Sense-Via (311) durch die Basisoberfläche (311a) verbunden ist; undKontaktvias (319), die sich von der Metallstruktur (305) durch das äußerste Zwischenschichtdielektrikum (210) erstrecken und elektrisch mit dem wenigstens einen Halbleiterelement (190) verbunden sind und durch die im eingeschalteten Zustand der Halbleitervorrichtung ein Laststrom fließt.

公开(公告)号：DE102014117512A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102014117512

申请日：2014-11-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SPITZER ANDREAS ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/367 ,  H01L23/485 ,  H01L25/16

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst eine erste Force-Leitung (401), die elektrisch mit einer Metallstruktur (305) in einer äußersten Verdrahtungsschicht (300) verbunden ist, wobei sich ein Sense-Via (311) von der Metallstruktur (305) durch ein äußerstes Zwischenschichtdielektrikum (210) erstreckt. Eine erste Sense-Leitung (411) ist von der ersten Force-Leitung (401) getrennt und ist elektrisch mit der Metallstruktur (305) verbunden. Eine zweite Force-Leitung (402) ist elektrisch mit dem Sense-Via (311) durch eine Basisoberfläche (311a) des Sense-Vias (311) verbunden, wobei die Basisoberfläche (311a) von der Metallstruktur (305) abgewandt und zu einem Halbleiterkörper (100) ausgerichtet ist, der halbleitende Teile von wenigstens einem Halbleiterelement (190) umfasst. Eine zweite Sense-Leitung (412) ist elektrisch mit dem Sense-Via (311) durch die Basisoberfläche (311a) verbunden.

公开(公告)号：DE102019109048A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102019109048

申请日：2019-04-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLÖSSER TILL ,  MEISER ANDREAS ,  KAMPEN CHRISTIAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements umfasst ein Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (102), der einen ersten Dotierstoff von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. Das Verfahren umfasst zudem ein Ausbilden eines ersten Grabens (108) in dem Halbleiterkörper (102) von einer ersten Seite (110) aus sowie ein Füllen des ersten Grabens (108) mit einem Halbleiterfüllmaterial (114). Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Ausbilden einer Superjunction-Struktur (128) durch Einbringen eines zweiten Dotierstoffs von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in den Halbleiterkörper (102), wobei das Halbleiterfüllmaterial mit dem zweiten Dotierstoff dotiert wird. Das Verfahren umfasst weiter ein Ausbilden eines zweiten Grabens (130) in dem Halbleiterkörper (102) sowie ein Ausbilden einer Grabenstruktur (134) im zweiten Graben (130).

公开(公告)号：DE102017130223A1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102017130223

申请日：2017-12-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  KAMPEN CHRISTIAN

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/78 ,  H02M3/00

Abstract: Die Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung (100), die eine erste planare Feldeffekttransistorzelle (101) und eine zweite planare Feldeffekttransistorzelle (102) aufweist. Die erste planare Feldeffekttransistorzelle (101) und die zweite planare Feldeffekttransistorzelle (102) sind elektrisch parallel geschaltet und weisen jeweils ein Drainerweiterungsgebiet (103) zwischen einem Kanalbereich und einem Drainanschluss (D) an einer ersten Oberfläche (109) eines Halbleiterkörpers (104) auf. Eine Gateelektrode (106) der ersten Feldeffekttransistorzelle (101) ist mit einem Sourceanschluss (S) elektrisch verbunden ist, und eine Gateelektrode (106) der zweiten Feldeffekttransistorzelle (102) ist mit einem vom Sourceanschluss (D) elektrisch getrennten Gateanschluss (G) verbunden.