公开(公告)号：DE102015212669B4

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102015212669

申请日：2015-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  FROEHLICH HEIKO ,  VOGT MIRKO ,  STEGEMANN MAIK ,  WINKLER BERNHARD ,  RÖTH ANDRE ,  BIESELT STEFFEN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/125

Abstract: Eine schematische Veranschaulichung einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung 2 wird gezeigt. Die kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung 2 umfasst ein Halbleitersubstrat 4, eine Stützstruktur 6, ein Elektrodenelement 8, ein Federelement 10 und eine seismische Masse 12. Die Stützstruktur 6, beispielsweise eine Stange, eine Aufhängung oder ein Pfosten, ist fest mit dem Halbleitersubstrat 4 verbunden, welches Silizium umfassen kann. Das Elektrodenelement 8 ist fest mit der Stützstruktur 6 verbunden. Darüber hinaus ist die seismische Masse 12 über das Federelement 10 mit der Stützstruktur 6 verbunden, so dass die seismische Masse 12 in Bezug auf das Elektrodenelement 8 verschiebbar, auslenkbar oder beweglich ist. Darüber hinaus bilden die seismische Masse und das Elektrodenelement einen Kondensator mit einer Kapazität aus, welche von einer Verschiebung zwischen der seismischen Masse und dem Elektrodenelement abhängt.

公开(公告)号：DE102015212669A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：DE102015212669

申请日：2015-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  FROEHLICH HEIKO ,  VOGT MIRKO ,  STEGEMANN MAIK ,  WINKLER BERNHARD ,  RÖTH ANDRE ,  BIESELT STEFFEN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/125

Abstract: Eine schematische Veranschaulichung einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung 2 wird gezeigt. Die kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung 2 umfasst ein Halbleitersubstrat 4, eine Stützstruktur 6, ein Elektrodenelement 8, ein Federelement 10 und eine seismische Masse 12. Die Stützstruktur 6, beispielsweise eine Stange, eine Aufhängung oder ein Pfosten, ist fest mit dem Halbleitersubstrat 4 verbunden, welches Silizium umfassen kann. Das Elektrodenelement 8 ist fest mit der Stützstruktur 6 verbunden. Darüber hinaus ist die seismische Masse 12 über das Federelement 10 mit der Stützstruktur 6 verbunden, so dass die seismische Masse 12 in Bezug auf das Elektrodenelement 8 verschiebbar, auslenkbar oder beweglich ist. Darüber hinaus bilden die seismische Masse und das Elektrodenelement einen Kondensator mit einer Kapazität aus, welche von einer Verschiebung zwischen der seismischen Masse und dem Elektrodenelement abhängt.

公开(公告)号：DE102015208689B4

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102015208689

申请日：2015-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIESELT STEFFEN ,  MEINHOLD DIRK

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/302

Abstract: Verfahren, umfassend:gleichzeitiges Ätzen eines ersten Grabens (953, 1153, 1653, 1753) und eines zweiten Grabens in einer halbfertigen Halbleitervorrichtung, wobei der erste Graben (953, 1153, 1653, 1753) ein mechanischer Entkopplungsgraben zwischen einem Sensorgebiet (444, 1244) einer zukünftigen Halbleitervorrichtung und einem zweiten Gebiet ist, und wobei der zweite Graben ein kontaktherstellender Graben oder ein Isolationsgraben in dem zweiten Gebiet ist;gleichzeitiges Passivieren von Seitenwänden des ersten Grabens (953, 1153, 1653, 1753) und des zweiten Grabens, wobei die Arbeitsvorgänge des gleichzeitigen Ätzens und des gleichzeitigen Passivierens während eines Front-End-Of-Line-Verfahrens ausgeführt werden, so dass der erste Graben (953, 1153, 1653, 1753) und der zweite Graben in einem Front-End-Of-Line-Abschnitt der halbfertigen Halbleitervorrichtung ausgebildet werden,; undÄtzen eines dritten Grabens (963, 1163, 1663, 1763) und einer Sensoröffnung (961, 1061) in der halbfertigen Halbleitervorrichtung während eines Back-End-Of-Line-Verfahrens, wobei der dritte Graben (963, 1163, 1663, 1763) ein weiterer mechanischer Entkopplungsgraben zwischen dem Sensorgebiet (444, 1244) und dem zweiten Gebiet der halbfertigen Halbleitervorrichtung in dem Back-End-Of-Line-Abschnitt ist,wobei die Sensoröffnung (961, 1061) so geätzt wird, dass das Sensorgebiet (444, 1244) in dem Front-End-Of-Line-Abschnitt durch den Back-End-Of-Line-Abschnitt freigelegt ist, undwobei der dritte Graben (963, 1163, 1663, 1763) so geätzt wird, dassder erste Graben (953, 1153, 1653) und der dritte Graben (963, 1163, 1663) zueinander in eine Richtung ausgerichtet sind, die zu einer Hauptfläche der halbfertigen Halbleitervorrichtung senkrecht ist, oderder erste Graben (1753) und der dritte Graben (1763) derart seitlich gegeneinander versetzt sind, dass der dritte Graben (1763) weiter als der erste Graben (1753) relativ zu dem Sensorgebiet (444, 1244) außerhalb oder innerhalb ist.

公开(公告)号：DE102015208689A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102015208689

申请日：2015-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BIESELT STEFFEN ,  MEINHOLD DIRK

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/302

Abstract: Gemäß einem Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren werden ein erster Graben und ein zweiter Graben in einer halbfertigen Halbleitervorrichtung gleichzeitig geätzt. Der erste Graben ist ein mechanischer Entkopplungsgraben zwischen einem ersten Gebiet einer zukünftigen Halbleitervorrichtung und einem zweiten Gebiet davon. Das Verfahren umfasst ferner das gleichzeitige Passivieren oder Isolieren von Seitenwänden des ersten Grabens und des zweiten Grabens. Eine verwandte Halbleitervorrichtung umfasst einen ersten Graben, der konfiguriert ist, eine mechanische Entkopplung zwischen einem ersten Gebiet und einem zweiten Gebiet der Halbleitervorrichtung bereitzustellen. Die Halbleitervorrichtung umfasst ferner einen zweiten Graben und eine Seitenwandbeschichtung an Seitenwänden des ersten Grabens und des zweiten Grabens. Die Seitenwandbeschichtung an den Seitenwänden des ersten Grabens und an den Seitenwänden des zweiten Grabens sind aus dem gleichen Material.