公开(公告)号：DE102013105537A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：DE102013105537

申请日：2013-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHLERS DIRK ,  ZUNDEL MARKUS ,  BONART DIETRICH ,  BORUCKI LUDGER

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H02J7/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine mit einem Gate versehene Diode, die Sourcebereiche und einen Drainbereich umfasst, welche beide den gleichen Ladungsträgertyp aufweisen. Die Sourcebereiche grenzen direkt an eine erste Fläche eines Halbleiter-Dies an und der Drainbereich grenzt direkt an eine gegenüberliegende zweite Fläche des Halbleiter-Dies an. Der Drainbereich umfasst einen Driftbereich, welcher in einer Epitaxieschicht des Halbleiter-Dies gebildet ist. Basisbereiche eines zweiten Ladungsträgertyps, welcher zu dem ersten Ladungsträgertyp entgegengesetzt ist, sind zwischen den Drainbereichen und den Sourcebereichen vorgesehen. Der Driftbereich umfasst ferner Anpassungsbereiche, die direkt an einen Basisbereich angrenzen und zwischen einem entsprechenden Basisbereich und der zweiten Fläche angeordnet sind. Eine Nettodotierkonzentration in dem Anpassungsbereich ist zumindest das zweifache der Nettodotierkonzentration in dem zweiten Unterbereich. Die Anpassungsbereiche legen in genauer Weise die Durchbruchspannung in Sperrrichtung fest.

公开(公告)号：DE102015100521A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：DE102015100521

申请日：2015-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  HEIGL MARTINA ,  WEIDGANS BERNHARD ,  BORUCKI LUDGER

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen stellen einen Halbleiterchip bereit, wobei der Halbleiterchip einen ersten Kontaktbereich und einen zweiten Kontaktbereich, die beide auf einer Vorderseite des Halbleiterchips ausgebildet sind; eine Passivierungsschicht, die auf der Vorderseite zwischen dem ersten Kontaktbereich und dem zweiten Kontaktbereich angeordnet ist; und einen Kontaktstapel umfasst, der über der Vorderseite des Halbleiterchips ausgebildet ist und eine Mehrzahl von Schichten umfasst, wobei mindestens eine Schicht der Mehrzahl von Schichten von der Passivierungsschicht und Berandungsregionen der Kontaktbereiche, die der Passivierungsschicht benachbart sind, entfernt wurde; und wobei mindestens eine weitere Schicht der Mehrzahl unterschiedlicher Schichten in der Berandungsregion der Kontaktbereiche vorhanden ist, die an die Passivierungsschicht angrenzt.

公开(公告)号：DE102015100521B4

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE102015100521

申请日：2015-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  HEIGL MARTINA ,  WEIDGANS BERNHARD ,  BORUCKI LUDGER

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: Halbleiterchip (200), umfassend:einen ersten Kontaktbereich (202) und einen zweiten Kontaktbereich (203), die beide auf einer Vorderseite des Halbleiterchips ausgebildet sind;eine Passivierungsschicht (204), die auf der Vorderseite zwischen dem ersten Kontaktbereich und dem zweiten Kontaktbereich angeordnet ist; undeinen Kontaktstapel (210), der auf der Vorderseite des Halbleiterchips ausgebildet ist und eine Mehrzahl von Schichten umfasst, wobei die Mehrzahl von Schichten mindestens eine Schicht und eine weitere Schicht umfassen;wobei die mindestens eine Schicht (212, 213) der Mehrzahl von Schichten von der Passivierungsschicht und Berandungsregionen der Kontaktbereiche, die der Passivierungsschicht benachbart sind, entfernt ist, wodurch die weitere Schicht (211) in der Berandungsregion der Kontaktbereiche und/oder der Passivierungsschicht freiliegend ist; undwobei die weitere Schicht (211) der Mehrzahl von unterschiedlichen Schichten, auf der die mindestens eine Schicht ausgebildet ist, in der Berandungsregion der Kontaktbereiche vorhanden ist, die an die Passivierungsschicht angrenzt, und aus einem Material gebildet ist, welches in dem freiliegenden Abschnitt der weiteren Schicht (211) der Mehrzahl von verschiedenen Schichten als Lotbarriere fungiert und von einem Lotmaterial nicht benetzbar ist; und wobei der Halbleiterchip eine Leistungsdiode oder ein Leistungstransistor ist.