公开(公告)号：DE102015111997A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE102015111997

申请日：2015-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  BUCHHOLZ KARIN ,  DAINESE MATTEO ,  SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  UMBACH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement besitzt einen Halbleiterkörper (100), der entgegengesetzte Unterseiten (102) und Oberseiten (101) aufweist, eine Oberfläche (103), die den Halbleiterkörper (100) umgibt, ein aktives Halbleitergebiet (101), das in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildet ist, ein Randgebiet, das das aktive Halbleitergebiet (110) umgibt, eine erste Halbleiterzone (121) von einem ersten Leitungstyp (n), das in dem Randgebiet (120) ausgebildet ist, und eine Randabschlussstruktur (20), die in dem Randgebiet (120) an der Oberseite (101) ausgebildet ist, und eine Abschirmstruktur (40, 50), die auf der der Unterseite (102) abgewandten Seite der Randabschlussstruktur (20) angeordnet ist. Die Abschirmstruktur (40, 50) besitzt eine Anzahl von N1 ≥ 2 ersten Segmenten (40), und eine Anzahl von N2 ≥ 1 zweiten Segmenten (50). Ein jedes der ersten Segmente (40) ist mit jedem der anderen ersten Segmente (40) und mit jedem der zweiten Segmente (50) elektrisch verbunden, und jedes der zweiten Segmente (50) besitzt einen spezifischen elektrischen Widerstand, der höher ist, als ein spezifischer elektrischer Widerstand eines jeden der ersten Segmente (40).