公开(公告)号：DE102018211896B9

公开(公告)日：2020-12-31

申请号：DE102018211896

申请日：2018-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SOLOMKO VALENTYN ,  BAKALSKI WINFRIED ,  CATTANEO ANDREA ,  SCHLEICHER BERND ,  AHRENS CARSTEN

IPC: H04B1/18

Abstract: Eine Hochfrequenzschaltvorrichtung, HF-Schaltvorrichtung, (100, 600, 700, 800, 900, 1100, 1400, 1500, 1610, 1614, 1616), wobei die HF-Schaltvorrichtung folgende Merkmale aufweist:- eine Mehrzahl von Schalteinheiten (102, M1-MN), wobei die Schalteinheiten (102, M1-MN) zwischen einem ersten Reihenanschluss (104, RF1) und einem zweiten Reihenanschluss (106, RF2) in Reihe geschaltet sind, um einen schaltbaren HF-Weg einzurichten; und- eine Mehrzahl von Ballastkondensatoreinheiten (108, 608, 808, 1108), wobei jede Ballastkondensatoreinheit parallel zu einer jeweiligen Schalteinheit geschaltet ist, um eine wählbare Kapazität (CB1-CBN) parallel zu einem Signalweg der jeweiligen Schalteinheit bereitzustellen, wobei jede Ballastkondensatoreinheit zumindest ein Ballastkondensatorschaltelement (206, 806, 807, 1174, 1176, MB1-MBN) aufweist, das dazu konfiguriert ist, die Kapazität (CB1-CBN) der Ballastkondensatoreinheit zwischen den Folgenden zu schalten:- einem ersten Kapazitätswert (CBFi) und- einem zweiten Kapazitätswert, wobei der zweite Kapazitätswert größer als der erste Kapazitätswert ist, dadurch gekennzeichnet, dass die HF-Schaltvorrichtung folgende Merkmale aufweist:- eine erste Gruppe (130) von aufeinanderfolgenden Ballastkondensatoreinheiten (108, 608, 808), so dass die ersten Kapazitätswerte (CBF1-CBF(N/2)) entlang einer vorbestimmten Richtung (FWD) zunehmen, während die zweiten Kapazitätswerte entlang der vorbestimmten Richtung (FWD) abnehmen; und- eine zweite Gruppe (132) von aufeinanderfolgenden Ballastkondensatoreinheiten (108, 608, 808), so dass die ersten Kapazitätswerte (CBF(N/2)+1-CBFN) entlang der vorbestimmten Richtung (FWD) abnehmen, während die zweiten Kapazitätswerte entlang der vorbestimmten Richtung (FWD) zunehmen, wobei die erste Gruppe (130) der zweiten Gruppe (132) entlang der vorbestimmten Richtung vorausgeht und die erste und zweite Gruppe (130, 132) zusammen zumindest die Mehrheit der Mehrzahl von Schalteinheiten der Schaltvorrichtung bilden.

公开(公告)号：DE102018211896B4

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102018211896

申请日：2018-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SOLOMKO VALENTYN ,  BAKALSKI WINFRIED ,  CATTANEO ANDREA ,  SCHLEICHER BERND ,  AHRENS CARSTEN

IPC: H04B1/18

Abstract: Eine Hochfrequenzschaltvorrichtung, HF-Schaltvorrichtung, (100, 600, 700, 800, 900, 1100, 1400, 1500, 1610, 1614, 1616), wobei die HF-Schaltvorrichtung folgende Merkmale aufweist:- eine Mehrzahl von Schalteinheiten (102, M-M), wobei die Schalteinheiten (102, M-M) zwischen einem ersten Reihenanschluss (104, RF) und einem zweiten Reihenanschluss (106, RF) in Reihe geschaltet sind, um einen schaltbaren HF-Weg einzurichten; und- eine Mehrzahl von Ballastkondensatoreinheiten (108, 608, 808, 1108), wobei jede Ballastkondensatoreinheit parallel zu einer jeweiligen Schalteinheit geschaltet ist, um eine wählbare Kapazität (C-C) parallel zu einem Signalweg der jeweiligen Schalteinheit bereitzustellen, wobei jede Ballastkondensatoreinheit zumindest ein Ballastkondensatorschaltelement (206, 806, 807, 1174, 1176, M-M) aufweist, das dazu konfiguriert ist, die Kapazität (C-C) der Ballastkondensatoreinheit zwischen den Folgenden zu schalten:- einem ersten Kapazitätswert (C) und- einem zweiten Kapazitätswert, wobei der zweite Kapazitätswert größer als der erste Kapazitätswert ist, dadurch gekennzeichnet, dass die HF-Schaltvorrichtung folgende Merkmale aufweist:- eine erste Gruppe (130) von aufeinanderfolgenden Ballastkondensatoreinheiten (108, 608, 808), so dass die ersten Kapazitätswerte (C-C) entlang einer vorbestimmten Richtung (FWD) zunehmen, während die zweiten Kapazitätswerte entlang der vorbestimmten Richtung (FWD) abnehmen; und- eine zweite Gruppe (132) von aufeinanderfolgenden Ballastkondensatoreinheiten (108, 608, 808), so dass die ersten Kapazitätswerte (CC) entlang der vorbestimmten Richtung (FWD) abnehmen, während die zweiten Kapazitätswerte entlang der vorbestimmten Richtung (FWD) zunehmen, wobei die erste Gruppe (130) der zweiten Gruppe (132) entlang der vorbestimmten Richtung vorausgeht und die erste und zweite Gruppe (130, 132) zusammen zumindest die Mehrheit der Mehrzahl von Schalteinheiten der Schaltvorrichtung bilden.

公开(公告)号：DE102018211896A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102018211896

申请日：2018-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SOLOMKO VALENTYN ,  BAKALSKI WINFRIED ,  CATTANEO ANDREA ,  SCHLEICHER BERND ,  AHRENS CARSTEN

IPC: H04B1/18

Abstract: Es ist eine Hochfrequenzschaltvorrichtung, HF-Schaltvorrichtung, (100, 600, 700, 800, 900, 1100, 1400, 1500, 1610, 1614, 1616) offenbart, wobei die HF-Schaltvorrichtung folgende Merkmale aufweist:- eine Mehrzahl von Schalteinheiten (102, M-M), wobei die Schalteinheiten (102, M-M) zwischen einem ersten Reihenanschluss (104, RF) und einem zweiten Reihenanschluss (106, RF) in Reihe geschaltet sind, um einen schaltbaren HF-Weg einzurichten; und- eine Mehrzahl von Ballastkondensatoreinheiten (108, 608, 608, 808, 1108), wobei jede Ballastkondensatoreinheit parallel zu einer jeweiligen Schalteinheit geschaltet ist, um eine wählbare Kapazität (C-C) parallel zu einem Signalweg der jeweiligen Schalteinheit bereitzustellen, wobei jede Ballastkondensatoreinheit zumindest ein Ballastkondensatorschaltelement (206, 806, 807, 1174, 1176, M-M) aufweist, das dazu konfiguriert ist, die Kapazität (C-C) der Ballastkondensatoreinheit zwischen den Folgenden zu schalten:- einem ersten Kapazitätswert (C) und- einem zweiten Kapazitätswert, wobei der zweite Kapazitätswert größer als der erste Kapazitätswert ist.

公开(公告)号：DE102017205448A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：DE102017205448

申请日：2017-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  STELTENPOHL ANTON ,  CATTANEO ANDREA ,  KUEHN CHRISTIAN ,  FEICK HENNING ,  BARTELS MARTIN

IPC: H01L23/66 ,  H01L27/08

Abstract: Ein Hochfrequenz-Widerstandselement weist eine widerstandsbehaftete Polysiliziumbahn, eine Isolationskomponente und ein Halbleitersubstrat auf. Die widerstandsbehaftete Polysiliziumbahn befindet sich über der Isolationskomponente. Die Isolationskomponente ist seitlich zumindest teilweise von einer modifizierten Halbleiterregion umgeben, die sich über dem Halbleitersubstrat befindet und eine höhere Ladungsträger-Rekombinationsrate aufweist als das Halbleitersubstrat.