公开(公告)号：DE102016208347B4

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016208347

申请日：2016-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEICK HENNING

IPC: H04N5/335 ,  G01S7/481 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146

Abstract: Eine optische Sensorvorrichtung, die ein Laufzeitsensor sein kann, umfasst ein Pixelarray mit mehreren Pixeln. Zudem umfasst die optische Sensorvorrichtung einen Ausleseknoten, der dazu konfiguriert ist, photogenerierte Ladungsträger von einem ersten und einem zweiten Pixel für ein Auslesen bereitzustellen, und ein erstes Transfergate, das dazu konfiguriert ist, ein Auslesen des ersten Pixels unter Verwendung des Ausleseknotens zu aktivieren, und ein zweites Transfergate zum Deaktivieren eines Auslesens des zweiten Pixels während des Auslesens des ersten Pixels.

公开(公告)号：DE102016208347A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102016208347

申请日：2016-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEICK HENNING

IPC: H04N5/335 ,  G01S7/481 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146

Abstract: Eine optische Sensorvorrichtung, die ein Laufzeitsensor sein kann, umfasst ein Pixelarray mit mehreren Pixeln. Zudem umfasst die optische Sensorvorrichtung einen Ausleseknoten, der dazu konfiguriert ist, photogenerierte Ladungsträger von einem ersten und einem zweiten Pixel für ein Auslesen bereitzustellen, und ein erstes Transfergate, das dazu konfiguriert ist, ein Auslesen des ersten Pixels unter Verwendung des Ausleseknotens zu aktivieren, und ein zweites Transfergate zum Deaktivieren eines Auslesens des zweiten Pixels während des Auslesens des ersten Pixels.

公开(公告)号：DE102011087845B4

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：DE102011087845

申请日：2011-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERTRAMS THOMAS ,  PRIBIL ANDREAS ,  LANDGRAF ERHARD ,  FEICK HENNING ,  DAHL CLAUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/266 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100); ein in dem Halbleiterkörper (100) angeordnetes aktives Transistorgebiet (110); ein das aktive Transistorgebiet in dem Halbleiterkörper (100) ringförmig umgebendes Isolationsgebiet (120); eine Sourcezone (11), eine Drainzone (12), eine Bodyzone (13) und eine Driftzone (14) in dem aktiven Transistorgebiet (110), wobei die Sourcezone (11) und die Drainzone (12) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind und die Bodyzone (13) zwischen der Sourcezone (11) und der Driftzone (14) und die Driftzone (14) zwischen der Bodyzone (13) und der Drainzone angeordnet ist; eine Gate- und Feldelektrode (20), wobei die Gate- und Feldelektrode (20) oberhalb des aktiven Transistorgebiets (110) angeordnet ist, das Isolationsgebiet (120) wenigstens im Bereich der Drainzone (12) überlappt, gegenüber dem aktiven Transistorgebiet (100) durch eine Dielektrikumsschicht (30) isoliert ist, die im Bereich der Bodyzone (13) eine erste Dicke (d1) und im Bereich der Driftzone (14) abschnittsweise eine zweite Dicke (d2), die größer als die erste Dicke (d1) ist, aufweist und wobei die Gate- und Feldelektrode (20) eine erste Kontaktöffnung (21) oberhalb der Drainzone (12) aufweist; und eine Drainelektrode (41), die die Drainzone (12) durch die erste Kontaktöffnung (21) kontaktiert.

公开(公告)号：DE102014100055A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE102014100055

申请日：2014-01-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEIDER JENS ,  KAISER DIETER ,  HELLER MARCEL ,  FEICK HENNING

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen stellen ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Trägers bereit, wobei das Verfahren (100) das Ändern einer dreidimensionalen Struktur einer Maskenschicht, die über dem Träger angeordnet ist, so dass wenigstens zwei Maskenschichtbereiche gebildet werden, die unterschiedliche Maskenschichtdicken besitzen (110); und das Anwenden eines Ionenimplantationsprozesses auf die wenigstens zwei Maskenschichtbereiche, um wenigstens zwei implantierte Bereiche in dem Träger zu bilden, die unterschiedliche Implantationstiefenprofile besitzen (120), enthält.

公开(公告)号：DE102005028919B4

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102005028919

申请日：2005-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESS PHILIPP ,  WENDEL MARTIN ,  FEICK HENNING

IPC: H01L23/60

公开(公告)号：DE102014100055B4

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102014100055

申请日：2014-01-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHNEIDER JENS ,  KAISER DIETER ,  HELLER MARCEL ,  FEICK HENNING

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00

Abstract: Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Trägers (202), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Ändern einer dreidimensionalen Struktur einer Maskenschicht (204), die über dem Träger (202) angeordnet ist, so dass wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) gebildet werden, die unterschiedliche Maskenschichtdicken (505) besitzen (110);Anwenden eines Ionenimplantationsprozesses auf die wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506), um wenigstens zwei implantierte Bereiche in dem Träger (202) zu bilden, die unterschiedliche Implantationstiefenprofile besitzen (120);wobei das Ändern (110) der dreidimensionalen Struktur der Maskenschicht (204) einen Lithographieprozess unter Verwendung einer einzigen Lithographiemaske zum Belichten der wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) mit unterschiedlichen Belichtungen für jeden der wenigstens zwei Maskenschichtbereiche (506) aufweist,Belichten der wenigstens zwei unterschiedlichen Maskenschichtbereiche (506) mit unterschiedlichen Belichtungen mittels wenigstens zweier unterschiedlichen Pixelmaskenbereichen der einzigen Lithographiemaske; undKompensieren einer Variation der Lichtintensität eines Belichtungswerkzeugs mit wenigstens einer der wenigstens zwei unterschiedlichen Pixelmaskenbereiche der Lithographiepixelmaske.

公开(公告)号：DE102017202754B4

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102017202754

申请日：2017-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  PMDTECHNOLOGIES AG

Inventor： FEICK HENNING ,  FRANKE MATTHIAS ,  OFFENBERG DIRK ,  PARASCANDOLA STEFANO ,  PRIMA JENS ,  RÖSSLER ROBERT

IPC: H01L31/102 ,  G01S17/36 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146

Abstract: Optische Sensoreinrichtung (10; 10a; 10b; 10c; 10d), die Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (14), das ein Umwandlungsgebiet (16) zum Umwandeln eines elektromagnetischen Signals (12) in photoerzeugte Ladungsträger (18) umfasst;einen Ausleseknoten (20), der konfiguriert ist zum Auslesen eines ersten Teils der photoerzeugten Ladungsträger (18);eine Steuerelektrode (22);ein Dotierungsgebiet (28) im Halbleitersubstrat (14) zwischen der Steuerelektrode (22) und dem Umwandlungsgebiet (16), wobei das Dotierungsgebiet (28) an die Steuerelektrode angrenzt und sich in das Halbleitersubstrat (14) erstreckt, wobei das Dotierungsgebiet (28) einen Dotierungstyp aufweist, der sich vom Ausleseknoten (20) unterscheidet, und wobei das Dotierungsgebiet (28) eine Dotierungskonzentration aufweist, so dass das Dotierungsgebiet (28) während des Betriebs verarmt bleibt.

公开(公告)号：DE102017102545B4

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017102545

申请日：2017-02-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAUBOLD MARCO ,  FEICK HENNING ,  KÄMMER KERSTIN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12 ,  G01P15/125 ,  H04R1/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst zumindest einen Aufhängungsbereich (111) einer Membranstruktur (110). Der Aufhängungsbereich (111) liegt lateral in einem ersten Bereich einer Oberfläche (121) eines Halbleitersubstrats (120). Zudem umfasst die Halbleitervorrichtung (100) einen Membranbereich (112) der Membranstruktur (110). Ein Hohlraum (130) ist vertikal zwischen dem Membranbereich (112) und zumindest einem Teil des Halbleitersubstrats (120) angeordnet. Zudem wird der erste Bereich der Oberfläche (121) des Halbleitersubstrats (120) durch eine Oberfläche eines Abschirmdotierungsgebiets (122) des Halbleitersubstrats (120) gebildet. Ferner grenzt das Abschirmdotierungsgebiet (122) des Halbleitersubstrats (120) an ein benachbartes Dotierungsgebiet (123) an. Des Weiteren bildet das benachbarte Dotierungsgebiet (123) zumindest einen Teil der Oberfläche (121) des Halbleitersubstrats (120) im Bereich des Hohlraums (130). Zudem weist das benachbarte Dotierungsgebiet (123) einen ersten Leitfähigkeitstyp auf und weist das Abschirmdotierungsgebiet (122) einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf.

公开(公告)号：DE102016115939A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：DE102016115939

申请日：2016-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAEMMER KERSTIN ,  FEICK HENNING ,  BARTELS MARTIN

IPC: H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8246

Abstract: Speicherzellen und entsprechende Speicheranordnungen werden bereitgestellt. Die Speicherzelle umfasst ein Schmelzelement und einen Bipolartransistor, der angrenzend an das Schmelzelement angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102011087845A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102011087845

申请日：2011-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANDGRAF ERHARD ,  FEICK HENNING ,  BERTRAMS THOMAS ,  PRIBIL ANDREAS ,  DAHL CLAUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06

Abstract: Beschrieben werden eine Transistorbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Ein Ausführungsbeispiel des Transistorbauelements umfasst: einen Halbleiterkörper (100); ein in dem Halbleiterkörper (100) angeordnetes aktives Transistorgebiet (110); ein das aktive Transistorgebiet in dem Halbleiterkörper (100) ringförmig umgebendes Isolationsgebiet (120); eine Sourcezone (11), eine Drainzone (12), eine Bodyzone (13) und eine Driftzone (14) in dem aktiven Transistorgebiet (110), wobei die Sourcezone (11) und die Drainzone (12) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind und die Bodyzone (13) zwischen der Sourcezone (11) und der Driftzone (14) und die Driftzone (14) zwischen der Bodyzone (13) und der Drainzone angeordnet ist; eine Gate- und Feldelektrode (20), wobei die Gate- und Feldelektrode (20) oberhalb des aktiven Transistorgebiets (110) angeordnet ist, das Isolationsgebiet (120) wenigstens im Bereich der Drainzone (12) überlappt, gegenüber dem aktiven Transistorgebiet (100) durch eine Dielektrikumsschicht (30) isoliert ist, die im Bereich der Bodyzone (13) eine erste Dicke (d1) und im Bereich der Driftzone (14) abschnittsweise eine zweite Dicke (d2), die größer als die erste Dicke (d1) ist, aufweist und wobei die Gate- und Feldelektrode (20) eine erste Kontaktöffnung oberhalb der Drainzone (12) aufweist; und eine Drainelektrode (42), die die Drainzone (12) durch die zweite Kontaktöffnung (24) kontaktiert.