公开(公告)号：DE102016115939A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：DE102016115939

申请日：2016-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAEMMER KERSTIN ,  FEICK HENNING ,  BARTELS MARTIN

IPC: H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8246

Abstract: Speicherzellen und entsprechende Speicheranordnungen werden bereitgestellt. Die Speicherzelle umfasst ein Schmelzelement und einen Bipolartransistor, der angrenzend an das Schmelzelement angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016115939B4

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：DE102016115939

申请日：2016-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KÄMMER KERSTIN ,  FEICK HENNING ,  BARTELS MARTIN

IPC: H01L27/112 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8246

Abstract: Speicherzelle (10), umfassend:ein Schmelzelement (13), undeinen Bipolartransistor (12; 212), der angrenzend an das Schmelzelement (13) angeordnet ist,wobei der Bipolartransistor (12; 212) einen pnp-Transistor umfasst,wobei eine erste p-dotierte Region (28) des pnp-Transistors benachbart zu dem Schmelzelement (13) bereitgestellt wird undvom Schmelzelement (13) durch eine Isolationsregion (23) getrennt ist, undwobei eine zweite p-dotierte Region (27) des pnp-Transistors lateral angrenzend an eine n-dotierte Region (26) bereitgestellt wird, wobei die zweite p-dotierte Region (27) und die n-dotierte Region (26) durch eine elektrisch leitende Schicht (25) gekoppelt sind.

公开(公告)号：DE102015101581A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE102015101581

申请日：2015-02-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTELS MARTIN ,  FEICK HENNING ,  KÜHN CHRISTIAN ,  OFFENBERG DIRK ,  STELTENPOHL ANTON ,  TADDIKEN HANS ,  UHLIG INES

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schaltvorrichtung Folgendes aufweisen: einen Antennenanschluss; einen Schalter, der einen ersten Schalteranschluss und einen zweiten Schalteranschluss aufweist, wobei der erste Schalteranschluss an den Antennenanschluss gekoppelt ist, wobei der Schalter mindestens einen Transistor (100) an mindestens einem von über oder in einem Siliziumgebiet aufweist, das eine Sauerstoff-Störstellenkonzentration aufweist, die niedriger als etwa 3 × 1017 Atome pro cm3 ist; und einen Sende/Empfängeranschluss, der an den zweiten Schalteranschluss gekoppelt ist, wobei der Sende/Empfängeranschluss mindestens einer von denen ist, die ausgestaltet sind, ein Signal bereitzustellen, das über den Antennenanschluss empfangen wird, oder die ausgestaltet sind, ein Signal zu empfangen, das über den Antennenanschluss zu senden ist.

公开(公告)号：DE102017205448A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：DE102017205448

申请日：2017-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  STELTENPOHL ANTON ,  CATTANEO ANDREA ,  KUEHN CHRISTIAN ,  FEICK HENNING ,  BARTELS MARTIN

IPC: H01L23/66 ,  H01L27/08

Abstract: Ein Hochfrequenz-Widerstandselement weist eine widerstandsbehaftete Polysiliziumbahn, eine Isolationskomponente und ein Halbleitersubstrat auf. Die widerstandsbehaftete Polysiliziumbahn befindet sich über der Isolationskomponente. Die Isolationskomponente ist seitlich zumindest teilweise von einer modifizierten Halbleiterregion umgeben, die sich über dem Halbleitersubstrat befindet und eine höhere Ladungsträger-Rekombinationsrate aufweist als das Halbleitersubstrat.

公开(公告)号：DE102008064719B4

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：DE102008064719

申请日：2008-05-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GILES LUIS-FELIPE ,  GOLDBACH MATTHIAS ,  BARTELS MARTIN ,  KUPPER PAUL

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/24 ,  H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/74

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:Bilden (100) einer Mehrzahl von Mikrohohlräumen in einem Substrat mittels eines Implantierens von H-, He-, F-, Ne-, Cl- oder Ar-Ionen in das Substrat;Erzeugen (105) einer Amorphisierung des Substrats durch Implantation von Germaniumionen und/oder Siliziumionen, wobei kristallographische Defekte gebildet werden,Dotieren des Substrats mit Dotierungsatomen; undAusheilen (115) des Substrats bei einer Temperatur von weniger als 580°C, so dass zumindest ein Teil der kristallographischen Defekte unter Verwendung der Mikrohohlräume beseitigt wird;wobei ein Halbleiterelement unter Verwendung der Dotierungsatome gebildet wird.

公开(公告)号：DE102008022502B4

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：DE102008022502

申请日：2008-05-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GILES LUIS-FELIPE ,  GOLDBACH MATTHIAS ,  BARTELS MARTIN ,  KÜPPER PAUL

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/24 ,  H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/74

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:Bilden einer Mehrzahl von Mikrohohlräumen in einem Substrat, was ein Implantieren von H-, He-, F-, Ne-, Cl- oder Ar-Ionen aufweist;Erzeugen einer Amorphisierung des Substrats durch Implantation von Germaniumionen und/oder Siliziumionen, wobei kristallographische Defekte gebildet werden;Dotieren des Substrats mit Dotierungsatomen;Aufbringen einer amorphen Schicht aus Silizium über dem Substrat; undAusheilen des Substrats bei einer Temperatur von weniger als 650°C, so dass zumindest ein Teil der kristallographischen Defekte unter Verwendung der Mikrohohlräume beseitigt wird;wobei ein Halbleiterelement unter Verwendung der Dotierungsatome gebildet wird.

公开(公告)号：DE102015107977A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102015107977

申请日：2015-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTELS MARTIN ,  FEICK HENNING ,  KUEHN CHRISTIAN ,  OFFENBERG DIRK ,  STELTENPOHL ANTON ,  TADDIKEN HANS ,  UHLIG INES

IPC: H01L21/423 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes beinhalten: Herstellen einer Öffnung in einem ersten Bereich eines Halbleitersubstrats, wobei die Öffnung mindestens eine Seitenwand und einen Boden hat, Implantieren von Dotierstoff-Atomen in die mindestens eine Seitenwand und den Boden der Öffnung; Konfigurieren mindestens eines Teils von einem zweiten Bereich des Halbleitersubstrats, seitlich angrenzend an den ersten Bereich, als mindestens einen aus einem amorphen oder polykristallinen Bereich; und Herstellen einer Verbindungsstruktur über mindestens einem aus dem ersten und dem zweiten Bereich des Halbleitersubstrats.

公开(公告)号：DE102008022502A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：DE102008022502

申请日：2008-05-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GILES LUIS-FELIPE ,  GOLDBACH MATTHIAS ,  BARTELS MARTIN ,  KUEPPER PAUL

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/24 ,  H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/74

Abstract: A method of producing a semiconductor element in a substrate includes forming a plurality of micro-cavities in a substrate, creating an amorphization of the substrate to form crystallographic defects and a doping of the substrate with doping atoms, depositing an amorphous layer on top of the substrate, and annealing the substrate, such that at least a part of the crystallographic defects is eliminated using the micro-cavities. The semiconductor element is formed using the doping atoms.