公开(公告)号：DE102016122141A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102016122141

申请日：2016-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  DEBIE MARTINA ,  GATTERBAUER JOHANN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GROSS THOMAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält ein in einem Halbleitersubstrat angeordnetes aktives Gebiet und eine oberste Metallebene mit Metallleitungen, wobei die oberste Metallebene über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Kontaktpads sind an einer Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements angeordnet, wo die Kontaktpads an die Metallleitungen in der obersten Metallebene gekoppelt sind. Ein Trenngebiet trennt die an der Hauptoberfläche angeordneten Kontaktpads. Benachbarte Kontaktpads sind durch einen Abschnitt des Trenngebiets elektrisch voneinander getrennt. Reflektierende Strukturen sind zwischen der oberen Metallebene und den Kontaktpads angeordnet, wobei jede der reflektierenden Strukturen, die sich direkt über dem aktiven Gebiet befindet, einen assoziierten Abschnitt des die Kontaktpads trennenden Trenngebiets vollständig überlappt.

公开(公告)号：DE102016119676A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：DE102016119676

申请日：2016-10-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  BONART DIETRICH ,  DEBIE MARTINA ,  GROSS THOMAS ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/283

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes umfassen: Ausbilden einer ersten Schicht (102) auf einer Fläche unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses; Ausbilden einer zweiten Schicht (104) über der ersten Schicht (102) unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses; wobei der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht (104) zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht (102) zumindest teilweise bedeckt.

公开(公告)号：DE102016122141B4

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102016122141

申请日：2016-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  DEBIE MARTINA ,  GATTERBAUER JOHANN ,  GROSS THOMAS ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62

Abstract: Halbleiterbauelement, umfassend:ein in einem Halbleitersubstrat angeordnetes aktives Gebiet;eine oberste Metallebene umfassend Metallleitungen (316, 317), wobei die oberste Metallebene über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist;auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements angeordnete Kontaktpads (331A, 331B), wobei die Kontaktpads (331A, 331B) an die Metallleitungen (316, 317) in der obersten Metallebene gekoppelt sind,ein die an der Hauptoberfläche angeordneten Kontaktpads (331A, 331B) trennendes Trenngebiet (322), wobei benachbarte Kontaktpads (331A, 331B) durch einen Abschnitt des Trenngebiets (322) elektrisch voneinander getrennt sind, undzwischen der oberen Metallebene und den Kontaktpads (331A, 331B) angeordnete reflektierende Strukturen (325), wobei jede der reflektierenden Strukturen (325), die sich direkt über dem aktiven Gebiet befindet, einen zugehörigen Abschnitt des die Kontaktpads (331A, 331B) trennenden Trenngebiets vollständig überlappt,wobei die reflektierenden Strukturen (325) eine andere Zusammensetzung als die Kontaktpads (331A, 331B) und die Metallleitungen (316, 317) in der obersten Metallebene umfassen.