公开(公告)号：DE102020114527A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102020114527

申请日：2020-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SAX HARRY ,  GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  ROGALLI MICHAEL

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Chipgehäuse ist bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann Folgendes beinhalten: wenigstens einen Chip, ein freigelegtes Metallgebiet, eine Metallschutzschichtstruktur über dem freigelegten Metallgebiet und zum Schützen des Metallgebiets vor Oxidation eingerichtet, wobei die Schutzschichtstruktur ein niedertemperaturabgeschiedenes Oxid beinhaltet, und eine hydrothermal umgewandelte Metalloxidschicht über der Schutzschichtstruktur.

公开(公告)号：DE102016122141B4

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102016122141

申请日：2016-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  DEBIE MARTINA ,  GATTERBAUER JOHANN ,  GROSS THOMAS ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62

Abstract: Halbleiterbauelement, umfassend:ein in einem Halbleitersubstrat angeordnetes aktives Gebiet;eine oberste Metallebene umfassend Metallleitungen (316, 317), wobei die oberste Metallebene über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist;auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements angeordnete Kontaktpads (331A, 331B), wobei die Kontaktpads (331A, 331B) an die Metallleitungen (316, 317) in der obersten Metallebene gekoppelt sind,ein die an der Hauptoberfläche angeordneten Kontaktpads (331A, 331B) trennendes Trenngebiet (322), wobei benachbarte Kontaktpads (331A, 331B) durch einen Abschnitt des Trenngebiets (322) elektrisch voneinander getrennt sind, undzwischen der oberen Metallebene und den Kontaktpads (331A, 331B) angeordnete reflektierende Strukturen (325), wobei jede der reflektierenden Strukturen (325), die sich direkt über dem aktiven Gebiet befindet, einen zugehörigen Abschnitt des die Kontaktpads (331A, 331B) trennenden Trenngebiets vollständig überlappt,wobei die reflektierenden Strukturen (325) eine andere Zusammensetzung als die Kontaktpads (331A, 331B) und die Metallleitungen (316, 317) in der obersten Metallebene umfassen.

公开(公告)号：DE102016109349A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109349

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE ,  GATTERBAUER JOHANN ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  VELLEI ANTONIO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  HILLE FRANK

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Chipgehäuse bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann einen Chip, eine Metallkontaktstruktur, die ein Nicht-Edelmetall aufweist und den Chip elektrisch kontaktiert, ein Packagingmaterial und eine Schutzschicht, die einen Abschnitt, der an einer Schnittstelle zwischen einem Abschnitt der Metallkontaktstruktur und dem Packagingmaterial gebildet ist, aufweist oder im Wesentlichen aus ihm besteht, aufweisen, wobei die Schutzschicht ein Edelmetall aufweisen kann, wobei der Abschnitt der Schutzschicht eine Mehrzahl von Bereichen aufweisen kann, die frei von dem Edelmetall sind, und wobei die Bereiche, die frei von dem Edelmetall sind, eine Schnittstelle zwischen dem Packagingmaterial und dem Nicht-Edelmetall der Metallkontaktstruktur bereitstellen können.

公开(公告)号：DE102019101061A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019101061

申请日：2019-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAIS NORBERT ,  MUHR VERENA ,  RIEDL EDMUND ,  SAX HARRY

IPC: C23C22/00 ,  C23C16/50

Abstract: Es ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Schichtstruktur bereitgestellt. Das Verfahren kann eine Plasmabehandlung einer Metalloberfläche mit einem wasserstoffhaltigen Plasma umfassen, wodurch nukleophile Gruppen über der Metalloberfläche entstehen, und ein Ausbilden einer organischen Schicht über der Metalloberfläche, wobei die organische Schicht Silan umfasst oder daraus besteht und kovalent an die nukleophilen Gruppen gebunden ist.

公开(公告)号：DE102016015777A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016015777

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  VELLEI ANTONIO ,  HILLE FRANK ,  GATTERBAUER JOHANN ,  RUEHLE BRIGITTE ,  KANERT WERNER ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/18 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Bilden eines elektrischen Kontakts bereitgestellt. Das Verfahren kann das Einrichten einer Metallkontaktstruktur über oder auf einer Metalloberfläche, das Metallisieren einer Metallschicht auf der Metalloberfläche und auf der Metallkontaktstruktur, wodurch die Metallkontaktstruktur auf der Metalloberfläche fixiert wird und ein elektrischer Kontakt zwischen der Metallkontaktstruktur und der Metalloberfläche gebildet wird oder ein existierender elektrischer Kontakt zwischen der Metallkontaktstruktur und der Metalloberfläche verstärkt oder verdickt wird, aufweisen.

公开(公告)号：DE102016122141A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102016122141

申请日：2016-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  DEBIE MARTINA ,  GATTERBAUER JOHANN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GROSS THOMAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält ein in einem Halbleitersubstrat angeordnetes aktives Gebiet und eine oberste Metallebene mit Metallleitungen, wobei die oberste Metallebene über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Kontaktpads sind an einer Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements angeordnet, wo die Kontaktpads an die Metallleitungen in der obersten Metallebene gekoppelt sind. Ein Trenngebiet trennt die an der Hauptoberfläche angeordneten Kontaktpads. Benachbarte Kontaktpads sind durch einen Abschnitt des Trenngebiets elektrisch voneinander getrennt. Reflektierende Strukturen sind zwischen der oberen Metallebene und den Kontaktpads angeordnet, wobei jede der reflektierenden Strukturen, die sich direkt über dem aktiven Gebiet befindet, einen assoziierten Abschnitt des die Kontaktpads trennenden Trenngebiets vollständig überlappt.

公开(公告)号：DE102017113515A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017113515

申请日：2017-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROGALLI MICHAEL ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MATOY KURT ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GATTERBAUER JOHANN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aluminiumoxidschicht ist bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes beinhaltet: Bereitstellen einer Metalloberfläche, die wenigstens ein Metall aus einer Gruppe von Metallen beinhaltet, wobei die Gruppe Kupfer, Aluminium, Palladium, Nickel, Silber und Legierungen von diesen beinhaltet, und Abscheiden einer Aluminiumoxidschicht auf der Metalloberfläche durch Atomlagenabscheidung, wobei eine maximale Verarbeitungstemperatur während der Abscheidung 280°C beträgt, so dass die Aluminiumoxidschicht mit einer Oberfläche gebildet wird, die einen Flüssiglotkontaktwinkel von weniger als 40° aufweist.

公开(公告)号：DE102014110362A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110362

申请日：2014-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: In einer Ausführungsform enthält ein Bauelement eine erste leitende Kontaktinsel (20), die über einem Substrat (10) angeordnet ist, und eine Ätzstoppschicht (50), die über einer oberen Oberfläche der ersten leitenden Kontaktinsel (20) angeordnet ist. Das Bauelement enthält weiter eine über der Ätzstoppschicht (50) angeordnete Lötsperre (60).

公开(公告)号：DE102013108813A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE102013108813

申请日：2013-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: Es werden eine Chip-Anschlussfläche (215) und ein Verfahren zum Herstellen einer Chip-Anschlussfläche (215) offenbart. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält das Bilden mehrerer Anschlussflächen (215) auf einem Werkstück, wobei jede Anschlussfläche (215) untere Seitenwände und obere Seitenwände besitzt, und das Verringern einer unteren Breite jeder Anschlussfläche (215), so dass eine obere Breite jeder (215) Anschlussfläche größer ist als die untere Breite. Das Verfahren enthält ferner das Bilden eines Photoresists über den mehreren Anschlussflächen (215) und das Entfernen von Abschnitten des Photoresists, um dadurch längs der unteren Seitenwände Seitenwandabstandshalter (217) zu bilden.

公开(公告)号：DE102013108268A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE102013108268

申请日：2013-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/78 ,  H01L23/485

Abstract: Es werden ein Verfahren zur Herstellung eines Kontakt-Pad-Seitenwand-Abstandshalters (217) und Pad-Seitenwand-Abstandshalter (217) offenbart. Eine Ausführungsform beinhaltet das Bilden einer Mehrzahl von Kontakt-Pads (215) auf einem Substrat (220), wobei jedes Kontakt-Pad (215) Seitenwände aufweist, das Bilden eines ersten Photoresists über dem Substrat (220) und das Entfernen des ersten Photoresists von dem Substrat (220), wodurch Seitenwand-Abstandshalter (217) entlang der Seitenwände der Mehrzahl der Kontakt-Pads (215) gebildet werden.