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公开(公告)号:DE102015107489B4
公开(公告)日:2020-07-02
申请号:DE102015107489
申请日:2015-05-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: FÜRGUT EDWARD , ESCHER-POEPPEL IRMGARD , SCHUSTEREDER WERNER , GANITZER PAUL , FASSL STEPHANIE , POEPPEL GERHARD , WIEDENHOFER HARALD
Abstract: Verfahren zur Reduzierung eines Schichtwiderstands in einer elektronischen Vorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen einer elektronischen Vorrichtung, umfassend eine mehrschichtige Struktur, welche eine Metallisierungsschicht und eine Halbleiterschicht aufweist;wobei die elektronische Vorrichtung mindestens einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist, wobei der mindestens eine erste Bereich durch die Metallisierungsschicht der mehrschichtigen Struktur gebildet wird und der zweite Bereich durch ein Kapselungsmaterial eingekapselt wird, wobei das Kapselungsmaterial eine Formmasse ist,Bilden einer Absorptionsschicht, welche eine Rückseite des ersten Bereichs abdeckt,Bilden einer Reflexionsschicht, welche eine Rückseite des zweiten Bereichs abdeckt, undlokales Einführen von Energie mittels einer Lichtquelle nach dem Bilden der Absorptionsschicht und der Reflexionsschicht in die Rückseiten des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs, um einen Schichtwiderstand zu reduzieren,wobei eine höhere Energiemenge in die mehrschichtige Struktur eingeführt wird als in das Kapselungsmaterial.
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公开(公告)号:DE102015107489A1
公开(公告)日:2016-11-17
申请号:DE102015107489
申请日:2015-05-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: FÜRGUT EDWARD , ESCHER-POEPPEL IRMGARD , SCHUSTEREDER WERNER , GANITZER PAUL , FASSL STEPHANIE , POEPPEL GERHARD , WIEDENHOFER HARALD
Abstract: Verschiedene Ausführungsbeispiele stellen ein Verfahren zur Reduzierung eines Schichtwiderstands in einer elektronischen Vorrichtung bereit, die mindestens teilweise in einem Kapselungsmaterial eingekapselt ist, wobei das Verfahren umfasst: das Bereitstellen einer elektronischen Vorrichtung, die eine mehrschichtige Struktur umfasst und mindestens teilweise durch ein Kapselungsmaterial eingekapselt ist; und das lokale Einführen von Energie in die mehrschichtige Struktur, um einen Schichtwiderstand zu reduzieren.
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