公开(公告)号：DE102019101326A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102019101326

申请日：2019-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK DIETER ,  HÜSKEN HOLGER

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Ausführungsform bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Vorsehen eines Halbleiterkörpers (100) mit einem ersten Halbleitergebiet (104) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einem zweiten Halbleitergebiet (106) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das zwischen dem ersten Halbleitergebiet (104) und einer ersten Oberfläche (108) des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Ferner umfasst das Verfahren ein Ausbilden einer ersten Kontaktschicht (118) über der ersten Oberfläche (108) des Halbleiterkörpers (100). Die erste Kontaktschicht (118) bildet einen direkten elektrischen Kontakt zu dem zweiten Halbleitergebiet (106). Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden eines Kontaktgrabens (114), der sich in den Halbleiterkörper (100) erstreckt, indem zumindest ein Bereich des zweiten Halbleitergebiets (106) entfernt wird. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Ausbilden einer zweiten Kontaktschicht (120) in dem Kontaktgraben (114), wobei die zweite Kontaktschicht (120) mit dem Halbleiterkörper (100) an einer Bodenseite des Kontaktgrabens (114) direkt elektrisch verbunden ist.

公开(公告)号：DE102014110366A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110366

申请日：2014-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÜSKEN HOLGER ,  TÜRKES PETER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorvorrichtung, die Folgendes aufweist: mindestens eine einzelne Transistorzelle, die in einem Transistorzellenfeld auf einem Halbleiterkörper angeordnet ist, wobei jede einzelne Transistorzelle eine Gateelektrode aufweist; einen Gatekontakt, der elektrisch mit den Gateelektroden der Transistorzellen gekoppelt und konfiguriert ist, um die mindestens eine Transistorzelle durch Bereitstellen eines Gatestroms in eine erste Richtung einzuschalten, und konfiguriert ist, um die mindestens eine Transistorzelle durch Bereitstellen eines Gatestroms in eine zweite Richtung abzuschalten, wobei die zweite Richtung zu der ersten Richtung entgegengesetzt ist, und mindestens eine Gatewiderstandsstruktur, die monolithisch in die Transistorvorrichtung integriert ist, wobei die Gatewiderstandsstruktur einen ersten Widerstand für den Gatestrom bereitstellt, wenn der Gatestrom in die erste Richtung fließt, und einen zweiten Widerstand für den Gatestrom, der von dem ersten Widerstand unterschiedlich ist, bereitstellt, wenn der Gatestrom in die zweite Richtung fließt.

公开(公告)号：DE102014117767B4

公开(公告)日：2021-08-05

申请号：DE102014117767

申请日：2014-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER ,  BABURSKE ROMAN ,  HÜSKEN HOLGER

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen pn-Übergang (171), der zwischen einer Driftzone (120) und einem Ladungsträgertransferbereich (115) in einem Halbleiterkörper (100) gebildet ist,einen Rekombinationsbereich (190),einen Trennungsbereich (195) zwischen dem Rekombinationsbereich (190) und der Driftzone (120), undeinen Zugangskanal (184), der gestaltet ist, um einen permanenten Ladungsträgerpfad für Minoritätsladungsträger des Trennungsbereichs (195) zu bilden, wobei der Ladungsträgerpfad den Rekombinationsbereich (190) mit der Driftzone (120) verbindet.

公开(公告)号：DE102015213630A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：DE102015213630

申请日：2015-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  HÜSKEN HOLGER ,  VOSS STEPHAN ,  SCHÄFER CARSTEN DR ,  ROTH ROMAN ,  PFIRSCH FRANK ,  SANDOW CHRISTIAN DR

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung (1) präsentiert, die ein Source-Gebiet (104), das elektrisch mit einem ersten Lastanschluss (E) der Halbleitervorrichtung (1) verbunden ist, und ein Driftgebiet (101), das ein erstes Halbleitermaterial (M1) mit einer ersten Bandlücke aufweist, wobei das Driftgebiet (101) Dotierungsstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist und dafür ausgelegt ist, zumindest einen Teil eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (E) und einem zweiten Lastanschluss (C) der Halbleitervorrichtung (1) zu tragen, aufweist. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst ferner ein Halbleiter-Body-Gebiet (102), das Dotierungsstoffe eines zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (E) verbunden ist, wobei ein Übergang zwischen dem Halbleiter-Body-Gebiet (102) und dem Driftgebiet (101) einen pn-Übergang (103) bildet, wobei der pn-Übergang (103) dafür ausgelegt ist, eine zwischen den ersten Lastanschluss (E) und den zweiten Lastanschluss (C) gelegte Spannung zu blockieren. Das Halbleiter-Body-Gebiet (102) isoliert das Source-Gebiet (104) vom Driftgebiet (101) und weist eine Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke auf, die ein zweites Halbleitermaterial (M2) mit einer zweiten Bandlücke, die kleiner als die erste Bandlücke ist, aufweist, wobei die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke im Halbleiter-Body-Gebiet (102) angeordnet ist, so dass die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke und das Source-Gebiet (104) in einem Querschnitt entlang einer vertikalen (Z)-Richtung wenigstens einen von einem gemeinsamen lateralen Erstreckungsbereich (LR) entlang einer ersten lateralen (X)-Richtung und einem gemeinsamen vertikalen Erstreckungsbereich (VR) entlang der vertikalen (Z)-Richtung aufweisen.

公开(公告)号：DE102014117767A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102014117767

申请日：2014-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER ,  BABURSKE ROMAN ,  HÜSKEN HOLGER

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen pn-Übergang (171) zwischen einer Driftzone (120) und einem Ladungsträgertransferbereich (115) in einem Halbleiterkörper (100). Ein Zugangskanal (184) bildet einen permanenten Ladungsträgerpfad, der die Driftzone (120) mit einem Rekombinationsbereich (190) durch einen Trennungsbereich (195) zwischen der Driftzone (120) und dem Rekombinationsbereich (190) verbindet. Der Zugangskanal (184) stellt eine Plasmadichte in der Driftzone (120) und dem Rekombinationsbereich (190) ein.

公开(公告)号：DE102014110366B4

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：DE102014110366

申请日：2014-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÜSKEN HOLGER ,  TÜRKES PETER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Gatewiderstandsstruktur auf einem Halbleiterkörper (100), wobei der Halbleiterkörper (100) eine Gateelektrode (18) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp oder einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei die Gateelektrode (18) eine Oberseite (101) aufweist, wobei die Gatewiderstandsstruktur Folgendes aufweist:einen ersten Halbleiterbereich (184) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich von der Oberseite (101) in die Gateelektrode (18) in eine vertikale Richtung erstreckt,einen zweiten Halbleiterbereich (183) mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp, der in der Gateelektrode (18) neben dem ersten Halbleiterbereich (184) angeordnet ist und daher einen p-n-Übergang mit dem ersten Halbleiterbereich (184) bildet, wobei der zweite Halbleiterbereich (183) unterhalb des ersten Halbleiterbereichs (184) in eine vertikale Richtung angeordnet ist;eine Isolierschicht (181), die angeordnet ist, um den ersten Halbleiterbereich (184) von der umgebenden Gateelektrode (18) zu isolieren,eine Kontaktschicht (19), die auf der Oberseite (101) angeordnet ist, die den ersten Halbleiterbereich (184) abdeckt, um den ersten Halbleiterbereich (184) elektrisch zu verbinden, und zusätzlich Teile der Oberseite (101) neben dem ersten Halbleiterbereich (184) in eine horizontale Richtung abdeckt.

公开(公告)号：DE102015213630B4

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：DE102015213630

申请日：2015-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  HÜSKEN HOLGER ,  VOSS STEPHAN ,  SCHÄFER CARSTEN DR ,  ROTH ROMAN ,  PFIRSCH FRANK ,  SANDOW CHRISTIAN DR

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung (1), welche Folgendes aufweist:- ein Source-Gebiet (104), das elektrisch mit einem ersten Lastanschluss (E) der Halbleitervorrichtung (1) verbunden ist,- ein Driftgebiet (101), das ein erstes Halbleitermaterial (M1) mit einer ersten Bandlücke aufweist, wobei das Driftgebiet (101) Dotierungsstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist und dafür ausgelegt ist, zumindest einen Teil eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (E) und einem zweiten Lastanschluss (C) der Halbleitervorrichtung (1) zu tragen, und- ein Halbleiter-Body-Gebiet (102), das Dotierungsstoffe eines zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (E) verbunden ist, wobei ein Übergang zwischen dem Halbleiter-Body-Gebiet (102) und dem Driftgebiet (101) einen pn-Übergang (103) bildet, wobei der pn-Übergang (103) dafür ausgelegt ist, eine zwischen den ersten Lastanschluss (E) und den zweiten Lastanschluss (C) gelegte Spannung zu blockieren, wobei das Halbleiter-Body-Gebiet (102) das Source-Gebiet (104) vom Driftgebiet (101) isoliert und eine Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke aufweist, welche ein zweites Halbleitermaterial (M2) mit einer zweiten Bandlücke, die kleiner als die erste Bandlücke ist, aufweist, wobei die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke und das Source-Gebiet (104) in einem Querschnitt entlang einer vertikalen (Z)-Richtung wenigstens einen von einem gemeinsamen lateralen Erstreckungsbereich (LR) entlang einer ersten lateralen (X)-Richtung und einem gemeinsamen vertikalen Erstreckungsbereich (VR) entlang der vertikalen (Z)-Richtung aufweisen; und wobeider erste Lastanschluss (E) ein Kontaktmetall (3) aufweist, das in Kontakt sowohl mit dem Source-Gebiet (104) als auch mit der Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke angeordnet ist; und wobeidas Halbleiter-Body-Gebiet (102) ferner eine Anti-latch-up-Zone (102-1) aufweist, wobei die Anti-latch-up-Zone (102-1) in Kontakt mit dem Source-Gebiet (104) und dem Kontaktmetall (3) angeordnet ist und eine höhere elektrische Leitfähigkeit aufweist als das Halbleiter-Body-Gebiet (102) außerhalb der Anti-latch-up-Zone (102-1), wobei die Anti-latch-up-Zone (102-1) und die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke ein gemeinsames Überlappungsgebiet (102-5) aufweisen.