公开(公告)号：DE102016100258A1

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：DE102016100258

申请日：2016-01-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FACHMANN CHRISTIAN ,  FISCHER PETRA ,  ROTH ROMAN ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  JOSHI RAVI KESHAV

IPC: H01L21/768

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Metallisierungsschicht über einem Halbleitersubstrat umfasst das Abscheiden einer Deckschicht eines Diffusionsbarriereliners über einer dielektrischen Zwischenebenschicht und das Abscheiden einer Deckschicht einer Zwischenschicht über dem Diffusionsbarriereliner. Eine Deckschicht einer Leistungsmetallschicht, die Kupfer umfasst, wird über der Zwischenschicht abgeschieden. Die Zwischenschicht umfasst eine feste Lösung eines Majoritätselements und Kupfer. Die Zwischenschicht weist eine unterschiedliche Ätzselektivität zu der Leistungsmetallschicht auf. Nach dem Abscheiden der Leistungsmetallschicht, Strukturieren der Leistungsmetallschicht, der Zwischenschicht und des Diffusionsbarriereliners.

公开(公告)号：DE102016104788A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Metallstruktur, die elektrisch mit einem Halbleiterkörper verbunden ist. Eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur ist zwischen der Metallstruktur und dem Halbleiterkörper. Die Metalladhäsions- und Barrierestruktur umfasst eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist.

公开(公告)号：DE102009045184A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：DE102009045184

申请日：2009-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEPE DIRK ,  GUTT THOMAS ,  ROTH ROMAN

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01R4/02

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Bondverbindung zwischen einem Bonddraht (9) und einem Leistungshalbleiterchip (1). Der Leistungshalbleiterchip (10) weist einen Halbleiterkörper (1) auf, in dem ein aktiver Zellbereich (12) mit einer Vielzahl von Zellen (15) angeordnet ist, die in einer lateralen Richtung (r) aufeinanderfolgend angeordnet und elektrisch parallel geschaltet sind. Der Halbleiterkörper (1) weist einen Oberflächenabschnitt (11') auf, der in einer zur lateralen Richtung (r) senkrechten vertikalen Richtung (v) oberhalb des aktiven Zellbereichs (12) angeordnet ist. Auf den Oberflächenabschnitt (15) ist eine Metallisierungsschicht (20) aufgebracht, auf die ein Bonddraht (9) gebondet ist. Der Bonddraht (9) besteht aus einer Legierung, die wenigstens 99 Gew.-% Aluminium (91) enthält, sowie wenigstens einen weiteren Legierungsbestandteil (92). Das Aluminium (91) weist eine Kornstruktur mit einer mittleren Korngröße ( ) auf, die kleiner ist als 2 µm.

公开(公告)号：DE102009001028A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：DE102009001028

申请日：2009-02-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTH ROMAN ,  SIEPE DIRK

IPC: H01R4/02 ,  H01L21/607 ,  H01R43/02

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Hestellung einer Bondverbindung. Dabei wird ein Körper (1, 1') bereitgestellt, der eine mit einer anorganischen, dielektrischen Schutzschicht (13, 13') versehene metallische Oberfläche (12a, 12a') aufweist. Die Schutzschicht (13, 13') bedeckt zumindest einen Oberflächenabschnitt (12b), 12b') der metallischen Oberfläche (12a, 12a'), in dem die metallische Oberfläche (12a, 12a') elektrisch leitend mit einem Anschlussleiter (30, 30') verbunden werden soll. Zur Herstellung der Bondverbindung wird ein Abschnitt eines bereitgestellten Anschlussleiters (30, 30') oberhalb des Oberflächenabschnitts (12b, 12b') an die Schutzschicht (13, 13') und den Körper (1, 1') gepresst, so dass die Schutzschicht (13, 13') zumindest lokal oberhalb des Oberflächenabschnitts (12b, 12b') zerstört wird und eine elektrisch leitende Bondverbindung zwischen der metallischen Oberfläche (12a, 12a') und dem Anschlussleiter (30, 30') entsteht.

公开(公告)号：DE102016101801B4

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE102016101801

申请日：2016-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTH ROMAN ,  HILLE FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement (1), das Folgendes umfasst:- eine erste Lastanschlussstruktur (11) und eine zweite Lastanschlussstruktur (12), die getrennt von der ersten Lastanschlussstruktur (11) angeordnet ist;- eine Halbleiterstruktur (10), die elektrisch mit sowohl der ersten Lastanschlussstruktur (11) als auch der zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und die dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zu führen, wobei die erste Lastanschlussstruktur (11) Folgendes umfasst:- eine leitfähige Schicht (111), die sich in Kontakt mit der Halbleiterstruktur (10) befindet;- einen Bonding-Block (112), der dazu konfiguriert ist, von einem Ende (31) wenigstens eines Bonddrahtes (3) kontaktiert zu werden und wenigstens einen Teil des Laststroms von dem wenigstens einen Bonddraht (3) und/oder der leitfähigen Schicht (111) zu empfangen;- einen Verstärkungsblock (113), der eine Härte aufweist, die größer als sowohl die Härte der leitfähigen Schicht (111) als auch des Bonding-Blocks (112) ist, wobei der Bonding-Block (112) mittels des Verstärkungsblocks (113) auf der leitfähigen Schicht (111) montiert ist; wobei- in der leitfähigen Schicht (111) und/oder in dem Verstärkungsblock (113) Stickstoffatome eingebracht sind, wobei:- sowohl der Bonding-Block (112) als auch die leitfähige Schicht (111) Kupfer umfassen;- eine Dicke der leitfähigen Schicht (111) und/oder die Dicke des Verstärkungsblocks (113) in einer Richtung parallel zur Richtung des Laststroms kleiner ist/sind als ein Zehntel von der Dicke des Bonding-Blocks (112) in dieser Richtung.

公开(公告)号：DE102016104788B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleitervorrichtung (100, 200, 300), die aufweist:eine Metallstruktur (105, 205, 305), die elektrisch mit einem Halbleiterkörper (106, 206, 306) verbunden ist,eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) zwischen der Metallstruktur (105, 205, 305) und dem Halbleiterkörper (106, 206, 306), wobei die Metalladhäsions- und Barrierestruktur (107, 207, 307) eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, umfasst, sowie eine Wolframschicht auf der Titan, Wolfram und Stickstoff aufweisenden Schicht.

公开(公告)号：DE102009045184B4

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102009045184

申请日：2009-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEPE DIRK ,  GUTT THOMAS ,  ROTH ROMAN

IPC: H01L23/49 ,  H01R4/02

Abstract: Leistungshalbleiteranordnung mit einer Bondverbindung zwischen einem Bonddraht und einem Leistungshalbleiterchip umfassend einen Leistungshalbleiterchip (10) mit einem Halbleiterkörper (1), in dem ein aktiver Zellbereich (12) mit einer Vielzahl von Zellen (15) angeordnet ist, die in einer lateralen Richtung (r) aufeinanderfolgend angeordnet und elektrisch parallel geschaltet sind, wobei- der Halbleiterkörper (1) einen Oberflächenabschnitt (11') aufweist, der in einer zur lateralen Richtung (r) senkrechten vertikalen Richtung (v) oberhalb des aktiven Zellbereichs (12) angeordnet ist;- auf den Oberflächenabschnitt (11') eine Metallisierungsschicht (20) aufgebracht ist, auf die ein Bonddraht (9) gebondet ist;- der Bonddraht (9) einen Durchmesser von größer gleich 300 µm aufweist und aus einer Legierung besteht, die wenigstens 99 Gew.% Aluminium (91) enthält, sowie wenigstens einen weiteren Legierungsbestandteil (92);- das Aluminium (91) eine Kornstruktur mit einer mittleren Korngröße ( ) aufweist, die kleiner ist als 2 µm.

公开(公告)号：DE102016109713A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102016109713

申请日：2016-05-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTH ROMAN ,  UMBACH FRANK

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst das Bilden einer Isoliermaterialschicht über einem Halbleitersubstrat und das Modifizieren von zumindest einem Abschnitt einer Oberfläche der Isoliermaterialschicht nach dem Bilden der Isoliermaterialschicht. Ferner umfasst das Verfahren das Bilden einer elektrisch leitfähigen Struktur auf zumindest dem Abschnitt der Oberfläche der Isoliermaterialschicht nach der Modifikation von zumindest dem Abschnitt der Oberfläche der Isoliermaterialschicht.

公开(公告)号：DE102015219183A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102015219183

申请日：2015-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAGNER WOLFGANG ,  ROTH ROMAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/28

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) vorgeschlagen. Das Halbleiterbauelement (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10), der an einen ersten Lastanschluss (11) und an einen zweiten Lastanschluss (12) gekoppelt und konfiguriert ist zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12). Der erste Lastanschluss (11) umfasst eine an den Halbleiterkörper gekoppelte zusammenhängende Metallschicht (11-1); und mindestens eine Metallinsel (11-2), die auf und in Kontakt mit der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) angeordnet und konfiguriert ist zum Kontaktieren durch ein Ende (31) eines Bonddrahts (3) und Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des Bonddrahts (3), wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) und die Metallinsel (11-2) aus dem gleichen Metall bestehen.

公开(公告)号：DE102015213630A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：DE102015213630

申请日：2015-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  HÜSKEN HOLGER ,  VOSS STEPHAN ,  SCHÄFER CARSTEN DR ,  ROTH ROMAN ,  PFIRSCH FRANK ,  SANDOW CHRISTIAN DR

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung (1) präsentiert, die ein Source-Gebiet (104), das elektrisch mit einem ersten Lastanschluss (E) der Halbleitervorrichtung (1) verbunden ist, und ein Driftgebiet (101), das ein erstes Halbleitermaterial (M1) mit einer ersten Bandlücke aufweist, wobei das Driftgebiet (101) Dotierungsstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist und dafür ausgelegt ist, zumindest einen Teil eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (E) und einem zweiten Lastanschluss (C) der Halbleitervorrichtung (1) zu tragen, aufweist. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst ferner ein Halbleiter-Body-Gebiet (102), das Dotierungsstoffe eines zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (E) verbunden ist, wobei ein Übergang zwischen dem Halbleiter-Body-Gebiet (102) und dem Driftgebiet (101) einen pn-Übergang (103) bildet, wobei der pn-Übergang (103) dafür ausgelegt ist, eine zwischen den ersten Lastanschluss (E) und den zweiten Lastanschluss (C) gelegte Spannung zu blockieren. Das Halbleiter-Body-Gebiet (102) isoliert das Source-Gebiet (104) vom Driftgebiet (101) und weist eine Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke auf, die ein zweites Halbleitermaterial (M2) mit einer zweiten Bandlücke, die kleiner als die erste Bandlücke ist, aufweist, wobei die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke im Halbleiter-Body-Gebiet (102) angeordnet ist, so dass die Zone (102-2) mit einer verkleinerten Bandlücke und das Source-Gebiet (104) in einem Querschnitt entlang einer vertikalen (Z)-Richtung wenigstens einen von einem gemeinsamen lateralen Erstreckungsbereich (LR) entlang einer ersten lateralen (X)-Richtung und einem gemeinsamen vertikalen Erstreckungsbereich (VR) entlang der vertikalen (Z)-Richtung aufweisen.