公开(公告)号：DE102016124802A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：DE102016124802

申请日：2016-12-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes enthalten: Strukturieren einer Halbleiterregion (102), um eine strukturierte Oberfläche (104) der Halbleiterregion (102) zu bilden (100a); Anordnen (106) eines Dotanden (108) in der Halbleiterregion (102); und Aktivieren des Dotanden (108) mindestens teilweise durch Bestrahlen der strukturierten Oberfläche (104) mindestens teilweise mit elektromagnetischer Strahlung (110), die mindestens eine diskrete Wellenlänge hat, um die Halbleiterregion (102) mindestens teilweise zu erwärmen.

公开(公告)号：DE102015109961A1

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE102015109961

申请日：2015-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  LIU SHUHAI ,  ÖFNER HELMUT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SUSITI ALEXANDER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324

Abstract: Ein Aspekt betrifft einen Magnetic-Czochralski (MCZ) Halbleiterwafer (100), der entgegengesetzte erste und zweite Seiten (101, 102) aufweist, die in einer ersten vertikalen Richtung von der zweiten Seite beabstandet, und der behandelt wird, indem erste Teilchen (10) über die zweite Seite (102) in den Halbleiterwafer implantiert werden, um Kristalldefekte in dem Halbleiterwafer (100) zu erzeugen. Die Kristalldefekte weisen eine maximale Defektkonzentration bei einer ersten Tiefe (d1) auf. In einem ersten thermischen Prozess wird der Halbleiterwafer (100) erwärmt, um strahlungsinduzierte Donatoren zu bilden. Die Implantationsenergie und -dosis sind so gewählt, dass der Halbleiterwafer (100) nach dem ersten thermischen Prozess ein n-dotiertes Halbleitergebiet (118) aufweist, das zwischen der zweiten Seite (102) und der ersten Tiefe (d1) angeordnet ist, und dass das n-dotierte Halbleitergebiet (118) in der ersten vertikalen Richtung (v1) ein lokales Maximum (MAX) einer Netto-Dotierungskonzentration zwischen der ersten Tiefe (d1) und der zweiten Seite (102) aufweist, sowie ein lokales Minimum (MIN) der Netto-Dotierungskonzentration zwischen der ersten Tiefe (d1) und dem ersten Maximum (MAX).

公开(公告)号：DE102014111219A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102014111219

申请日：2014-08-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  GRIEBL ERICH ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VOSS STEPHAN ,  HÄBERLEN OLIVER ,  MOSER ANDREAS

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper und eine Randabschlussstruktur. Die Randabschlussstruktur umfasst eine erste Oxidschicht, eine zweite Oxidschicht, ein Halbleitermesagebiet zwischen der ersten Oxidschicht und der zweiten Oxidschicht und ein dotiertes Feldgebiet, das einen ersten Abschnitt in dem Halbleitermesagebiet und einen zweiten Abschnitt in einem Gebiet unterhalb des Halbleitermesagebiets aufweist. Der zweite Abschnitt überlappt die ersten und zweiten Oxidschicht im Gebiet unterhalb des Halbleitermesagebiets.

公开(公告)号：DE102015118322A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：DE102015118322

申请日：2015-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  VOSS STEPHAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Superjunction-Bipolartransistor umfasst ein aktives Transistorzellengebiet (610), das aktive Transistorzellen (aTC) umfasst, die mit einer ersten Lastelektrode (310) an einer Vorderseite eines Halbleiterkörpers (100) elektrisch verbunden sind. Ein Superjunction-Gebiet (630) überlappt das aktive Transistorzellengebiet (610) und umfasst einen niederohmigen Bereich (632) und einen Reservoirbereich (638) außerhalb des niederohmigen Bereichs (632). Der niederohmige Bereich (632) umfasst eine erste Superjunction-Struktur (180) mit einer ersten vertikalen Ausdehnung (v1) bezüglich einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100). Der Reservoirbereich (638) umfasst keine Superjunction-Struktur oder eine zweite Superjunction-Struktur (190) mit einer mittleren zweiten vertikalen Ausdehnung (v2), die geringer als die erste vertikale Ausdehnung (v1) ist.

公开(公告)号：DE102015105016A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：DE102015105016

申请日：2015-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FALCK ELMAR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VOSS STEPHAN ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein vertikales Halbleiterbauteil (1) umfasst ein Substrat (2) mit einer Oberseite (11) und einer Unterseite (12), ein im Substrat (2) angeordnetes aktives Gebiet (AA) mit einem Driftgebiet (22), das mit einem ersten Dotiersubstanztyp dotiert ist, ein Randabschlussgebiet (ER), das das aktive Gebiet (AA) an den Seiten umgibt, ein an der Oberseite vorgesehenes und im Randabschlussgebiet (ER) angeordnetes Kanalstopper-Abschlussgebiet (40) und einen ersten Trenngraben (50), der an einer Seite des Kanalstopper-Abschlussgebiets (40) in Richtung des aktiven Gebiets (AA) angeordnet ist und angrenzend an das Kanalstopper-Abschlussgebiet (40) vorgesehen ist. Weiterhin wird ein Herstellungsverfahren für solch ein Halbleiterbauteil vorgesehen.

公开(公告)号：DE102015017417B3

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：DE102015017417

申请日：2015-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VOSS STEPHAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:mehrere Bauelementzellen (101, 102, 10n), die jeweils ein Bodygebiet (12), ein Sourcegebiet (11), eine zu dem Bodygebiet (12) benachbarte und von dem Bodygebiet (12) durch ein Gatedielektrikum (53) dielektrisch isolierte Gateelektrode (23) und ein Sourcevia (41), das elektrisch an das Sourcegebiet (11) angeschlossen ist, aufweisen;eine elektrisch leitende Gateschicht (21), die die Gateelektroden (23) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) aufweist oder elektrisch an die Gateelektroden (23) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) angeschlossen ist und die elektrisch an einen Gateleiter (30) angeschlossen ist; undeine oberhalb der Gateschicht (21) angeordnete Sourceelektrode (40), die durch eine Dielektrikumsschicht (54) dielektrisch gegenüber der Gateschicht (21) isoliert ist, wobei die Sourcevias (41) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) an die Sourceelektrode (40) angeschlossen sind oder einen Teil der Sourceelektrode (40) bilden,wobei die Sourcevias (41) in Gräben angeordnet sind, die sich durch die Gateschicht (21) bis an die Sourcegebiete (11) erstrecken und in denen die Sourcevias (41) dielektrisch gegenüber der Gateschicht (21) isoliert sind, undwobei die Gateschicht (21) ein Basismaterial und wenigstens eines der folgenden aufweist:ein Gebiet (22) mit erhöhtem Widerstand, das zusätzlich zu den Gräben in der Gateschicht (21) vorhanden ist, an das Basismaterial angrenzt und einen höheren spezifischen Widerstand aufweist als das Basismaterial, oder ein Gebiet (24) mit verringertem Widerstand, das einen niedrigeren spezifischen Widerstand aufweist als das Basismaterial,wobei das wenigstens eine von dem Gebiet (22) mit dem erhöhten Widerstand und dem Gebiet (24) mit dem verringerten Widerstand derart beabstandet zu dem Gateleiter (30) angeordnet ist, dass zwischen dem wenigstens einen von dem Gebiet (22) mit dem erhöhten Widerstand und dem Gebiet (24) mit dem verringerten Widerstand und dem Gateleiter (30) zumindest einige der Sourcevias (41) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102020119953A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：DE102020119953

申请日：2020-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KUENLE MATTHIAS ,  OEFNER HELMUT ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/302 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend ein Bilden einer ersten Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat, wobei die erste Halbleiterschicht von dem gleichen Dotierstofftyp wie das Halbleitersubstrat ist, wobei die erste Halbleiterschicht eine höhere Dotierstoffkonzentration als das Halbleitersubstrat aufweist, ein Erhöhen der Porosität der ersten Halbleiterschicht, ein erstes Tempern der ersten Halbleiterschicht bei einer Temperatur von zumindest 1050°C, ein Bilden einer zweiten Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht und ein Trennen der zweiten Halbleiterschicht von dem Halbleitersubstrat durch Spalten innerhalb der ersten Halbleiterschicht.

公开(公告)号：DE102017128247A1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102017128247

申请日：2017-11-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SPULBER OANA ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung in einem Halbleiterkörper umfasst ein Ausbilden eines ersten Feldstoppzonenbereichs eines ersten Leitfähigkeitstyps auf einem Halbleitersubstrat. Eine Driftzone des ersten Leitfähigkeitstyps wird auf dem ersten Feldstoppzonenbereich ausgebildet. Eine durchschnittliche Dotierungskonzentration der Driftzone wird kleiner als 80 % einer durchschnittlichen Dotierungskonzentration des ersten Feldstoppzonenbereichs festgelegt. Der Halbleiterkörper wird an einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers bearbeitet. Der Halbleiterkörper wird abgedünnt, indem Material des Halbleitersubstrats von einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt wird. Ein zweiter Feldstoppzonenbereich des ersten Leitfähigkeitstyps wird gebildet, indem Protonen bei einer oder mehreren Energien durch die zweite Oberfläche in den Halbleiterkörper implantiert werden. Eine tiefste Spitze am Ende einer Reichweite der Protonen wird in dem ersten Feldstoppzonenbereich in einer vertikalen Distanz zu einem Übergang zwischen der Driftzone und dem ersten Feldstoppzonenbereich in einem Bereich von 3 µm bis 60 µm festgelegt. Der Halbleiterkörper wird mittels thermischer Bearbeitung ausgeheilt.

公开(公告)号：DE102014110366A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110366

申请日：2014-07-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÜSKEN HOLGER ,  TÜRKES PETER ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorvorrichtung, die Folgendes aufweist: mindestens eine einzelne Transistorzelle, die in einem Transistorzellenfeld auf einem Halbleiterkörper angeordnet ist, wobei jede einzelne Transistorzelle eine Gateelektrode aufweist; einen Gatekontakt, der elektrisch mit den Gateelektroden der Transistorzellen gekoppelt und konfiguriert ist, um die mindestens eine Transistorzelle durch Bereitstellen eines Gatestroms in eine erste Richtung einzuschalten, und konfiguriert ist, um die mindestens eine Transistorzelle durch Bereitstellen eines Gatestroms in eine zweite Richtung abzuschalten, wobei die zweite Richtung zu der ersten Richtung entgegengesetzt ist, und mindestens eine Gatewiderstandsstruktur, die monolithisch in die Transistorvorrichtung integriert ist, wobei die Gatewiderstandsstruktur einen ersten Widerstand für den Gatestrom bereitstellt, wenn der Gatestrom in die erste Richtung fließt, und einen zweiten Widerstand für den Gatestrom, der von dem ersten Widerstand unterschiedlich ist, bereitstellt, wenn der Gatestrom in die zweite Richtung fließt.

公开(公告)号：DE102015118524B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102015118524

申请日：2015-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  VOSS STEPHAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:mehrere Bauelementzellen (101, 102, 10n), die jeweils ein Bodygebiet (12), ein Sourcegebiet (11), eine zu dem Bodygebiet (12) benachbarte und von dem Bodygebiet (12) durch ein Gatedielektrikum (53) dielektrisch isolierte Gateelektrode (23) und ein Sourcevia (41), das elektrisch an das Sourcegebiet (11) angeschlossen ist, aufweisen;eine elektrisch leitende Gateschicht (21), die die Gateelektroden (23) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) aufweist oder elektrisch an die Gateelektroden (23) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) angeschlossen ist und die elektrisch an einen Gateleiter (30) angeschlossen ist; undeine oberhalb der Gateschicht (21) angeordnete Sourceelektrode (40), die durch eine Dielektrikumsschicht (54) dielektrisch gegenüber der Gateschicht (21) isoliert ist, wobei die Sourcevias (41) der mehreren Bauelementzellen (101, 102, 10n) an die Sourceelektrode (40) angeschlossen sind oder einen Teil der Sourceelektrode (40) bilden,wobei die Sourcevias (41) in Gräben angeordnet sind, die sich durch die Gateschicht (21) bis an die Sourcegebiete (11) erstrecken und in denen die Sourcevias (41) dielektrisch gegenüber der Gateschicht (21) isoliert sind, undwobei die Gateschicht (21) ein Basismaterial und wenigstens eines der folgenden aufweist:ein Gebiet (22) mit erhöhtem Widerstand, das zusätzlich zu den Gräben in der Gateschicht (21) vorhanden ist, an das Basismaterial angrenzt und einen höheren spezifischen Widerstand aufweist als das Basismaterial, oder ein Gebiet (24) mit verringertem Widerstand, das einen niedrigeren spezifischen Widerstand aufweist als das Basismaterial,wobei das wenigstens eine von dem Gebiet (22) mit dem erhöhten Widerstand und dem Gebiet (24) mit dem verringerten Widerstand derart beabstandet zu dem Gateleiter (30) angeordnet ist, dass zwischen dem wenigstens einen von dem Gebiet (22) mit dem erhöhten Widerstand und dem Gebiet (24) mit dem verringerten Widerstand und dem Gateleiter (30) die Sourcevias (41) angeordnet sind.