公开(公告)号：DE102014114532A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102014114532

申请日：2014-10-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GROSS THOMAS ,  GRUBER HERMANN ,  IRLBACHER WERNER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BORCKE MATHIAS VON ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/822 ,  H01C7/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324 ,  H01L23/62 ,  H01L27/08 ,  H01L29/167

Abstract: Ein Verfahren (200a) zum Herstellen einer Polysilizium-Widerstandsvorrichtung kann aufweisen; ein Bilden einer Polysiliziumschicht (202a); ein Implantieren von ersten Dotieratomen in mindestens einem Abschnitt der Polysiliziumschicht, wobei die ersten Dotieratome Donatoren mit tiefen Energieniveaus aufweisen (204a); ein Implantieren von zweiten Dotieratomen in dem mindestens einen Abschnitt der Polysiliziumschicht (206a); und ein Ausglühen des mindestens einen Abschnitts der Polysiliziumschicht (208a).