公开(公告)号：DE102014114532A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102014114532

申请日：2014-10-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GROSS THOMAS ,  GRUBER HERMANN ,  IRLBACHER WERNER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BORCKE MATHIAS VON ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/822 ,  H01C7/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324 ,  H01L23/62 ,  H01L27/08 ,  H01L29/167

Abstract: Ein Verfahren (200a) zum Herstellen einer Polysilizium-Widerstandsvorrichtung kann aufweisen; ein Bilden einer Polysiliziumschicht (202a); ein Implantieren von ersten Dotieratomen in mindestens einem Abschnitt der Polysiliziumschicht, wobei die ersten Dotieratome Donatoren mit tiefen Energieniveaus aufweisen (204a); ein Implantieren von zweiten Dotieratomen in dem mindestens einen Abschnitt der Polysiliziumschicht (206a); und ein Ausglühen des mindestens einen Abschnitts der Polysiliziumschicht (208a).

公开(公告)号：DE102008064698B4

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：DE102008064698

申请日：2008-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BORCKE MATHIAS VON ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungsbauelement, umfassend: – ein Halbleitersubstrat (2) in dem eine Vielzahl von Lastzellen (T1) ausgebildet sind, wobei mindestens einige dieser Lastzellen jeweils eine Feldelektrode (FP) aufweisen, die in Gräben angeordnet sind; und – ein Schaltelement (60) mit – mindestens einer Sensorzelle (T2), die in einem weiteren Graben angeordnet ist, wobei die Sensorzelle (T2) eine Durchbruchsspannung aufweist, die geringer ist als die Durchbruchsspannung der Lastzellen (T1); und – einer Funktionseinheit (F), die angepasst ist, einen Durchbruch der Sensorzelle (T2) zu registrieren, wobei die Funktionseinheit (F) angepasst ist, wenigstens einen Teil der Feldelektroden (FP) der Lastzellen (T1) bei Durchbruch der Sensorzelle (T2) mit einem vorgegebenen elektrischen Potential zu beaufschlagen.

公开(公告)号：DE10140344A1

公开(公告)日：2003-03-06

申请号：DE10140344

申请日：2001-08-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHAEFER ANDRE ,  NIKUTTA WOLFGANG ,  BORCKE MATHIAS VON ,  KANDOLF HELMUT

IPC: H03K5/01 ,  H03K17/16 ,  H03K17/693 ,  H03K5/12 ,  H03K6/04

Abstract: The signal driver (100) has a first unit (102) for driving the signal (Vout) from first level in direction to a second level and a line of intermediate levels, contg. an intermediate level different from a reference level. The reference level lies between the first and second signal levels. A second unit (106) drives the signal in the direction of the second signal level from the last intermediate level of the line of intermediate levels. Independent claims are included for integrated circuit contg. the signal driver.