公开(公告)号：DE102012006047B3

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102012006047

申请日：2012-03-27

Applicant: DEUTSCH ZENTR LUFT & RAUMFAHRT ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHREIER FRANZ ,  POEPPEL GERHARD ,  KOHLERT DIETER

IPC: G01N21/25

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Ermittlung von Gaskonzentrationen in einem Untersuchungsvolumen, umfassend: eine Strahlungsquelle (Qu), mit der ein elektromagnetischer Strahl erzeugbar ist, eine der Strahlungsquelle (Qu) nachgeschaltete Strahllenkungseinrichtung (LE), mit der eine Vielzahl von Strahlführungen des in die Strahllenkungseinrichtung (LE) eintretenden Strahls (ST) in einer Beobachtungsebene in dem Untersuchungsvolumen einstellbar sind, ein der Strahllenkungseinrichtung (LE) nachgeschaltetes Spektrometer (S), mit dem eine Spektralanalyse des die Strahllenkungseinrichtung (LE) verlassenden Strahls (ST) durchführbar ist, eine Steuereinheit (SE) zur Steuerung der Strahlungsquelle (Qu), der Strahllenkungseinrichtung (LE) und des Spektrometers (S), und eine Auswerteeinheit (AE), mit der auf Basis der Spektralanalyse für die unterschiedlichen Strahlführungen in der Beobachtungsebene eine 2D-Konzentrationsverteilung für ein oder mehrere Gase in dem Untersuchungsvolumen ermittelbar ist. Die Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Strahllenkungseinheit (LE) aufweist: zwei voneinander mit einem Abstand A1 beabstandete erste Strahlumlenkungseinheiten (M1, M2), zwischen denen eine in der Beobachtungsebene liegende erste Strahlachse ausgebildet ist, zwei voneinander mit einem Abstand A2 beabstandete zweite Strahlumlenkungseinheiten (M4, M5), zwischen denen eine in der Beobachtungsebene liegende zweite Strahlachse ausgebildet ist, die orthogonal zu der ersten Strahlachse verläuft, wobei zur Einstellung der Strahlführung die ersten Strahlumlenkungseinheiten (M1, M2) in der Beobachtungsebene orthogonal zur ersten Strahlachse gemeinsam verfahrbar sind, und die zweiten Strahlumlenkungseinheiten (M4, M5) in der Beobachtungsebene orthogonal zur zweiten Strahlachse gemeinsam verfahrbar sind, wobei sich die erste und die zweite Strahlachse stets zwischen den Strahlumlenkungseinheiten (M1, M2) und zwischen den Strahlumlenkungseinheiten (M4, M5) kreuzen; und die Strahllenkungseinheit (LE) derart ausgeführt und eingerichtet ist, dass ein von der Strahlenquelle (Qu) ausgesandeter Strahl stets über einen ersten Gesamt-Strahlweg: Qu–M1–M2–M4–M5–S oder über einen zweiten Gesamt-Strahlweg: Qu–M1–M2–M4–M5–M4–M2–M1–S auf das Spektrometer (S) gelenkt wird.

公开(公告)号：DE102009006926A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：DE102009006926

申请日：2009-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOHLERT DIETER ,  DUSCHINGER BERNHARD ,  HERMANN JOSEF ,  HOLMER RAINER ,  MACKH GUNTHER ,  PENKA SABINE ,  SCHUDERER BERTHOLD ,  SCHWALBE GRIT ,  SEIDEMANN GEORG ,  SIXT ERHARD

IPC: G01R31/28 ,  H01L21/822

公开(公告)号：DE102009006926B4

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102009006926

申请日：2009-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOHLERT DIETER ,  DUSCHINGER BERNHARD ,  HERMANN JOSEF ,  HOLMER RAINER ,  MACKH GUNTHER ,  PENKA SABINE ,  SCHUDERER BERTHOLD ,  SCHWALBE GRIT ,  SEIDEMANN GEORG ,  SIXT ERHARD

IPC: G01R31/28 ,  G01R27/02 ,  H01L21/822

Abstract: Integrierte Schaltung, die folgende Merkmale aufweist: eine Mehrzahl von Zellen (100; 100-1... 100-4), wobei jede Zelle (100; 100-1... 100-4) folgendes aufweist: einen ersten Versorgungsknoten (120); einen zweiten Versorgungsknoten (140); eine Serienschaltung mit einem ersten Transistor (160, S1), einem zweiten Transistor (170, S2) und einem elektrischen Element (110, RX), wobei die Serienschaltung zwischen den ersten und den zweiten Versorgungsknoten (120, 140) gekoppelt ist, und wobei das elektrische Element (110, RX) einen ersten und einen zweiten Knoten umfasst; einen zwischen den ersten Knoten des elektrischen Elements (110, RX) und einen ersten Ausgangsknoten (220) der Zelle (100; 100-1... 100-4) gekoppelten dritten Transistor (240, S3); und einen zwischen den zweiten Knoten des elektrischen Elements (110, RX) und einen zweiten Ausgangsknoten (250) der Zelle (100; 100-1... 100-4) gekoppelten vierten Transistor (270, S4), wobei ein Steueranschluss des ersten, des dritten und des vierten Transistors (160, 240, 270, S1, S3, S4) mit einem ersten Kontrollknoten (180) der Zelle (100; 100-1... 100-4) gekoppelt ist; und wobei ein Steueranschluss des zweiten Transistors (170, S2) mit einem zweiten Kontrollknoten (200) der Zelle (100; 100-1... 100-4) gekoppelt ist.