RADAR-TRANSMITTER MIT REGELUNG DER AUSGANGSPHASE

    公开(公告)号:DE102018121416A1

    公开(公告)日:2020-03-05

    申请号:DE102018121416

    申请日:2018-09-03

    Abstract: Es wird ein Radar-Transmitter beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist der Radar-Transmitter folgendes auf: einen Sendekanal, der dazu ausgebildet ist, ein Lokaloszillatorsignal zu empfangen und basierend auf dem Lokaloszillatorsignal ein HF-Radarsignal zu erzeugen; einen in dem Sendekanal enthaltenen Phasenschieber, der dazu ausgebildet ist, abhängig von einem Eingangsphasenwert eine Phase des HF-Radarsignals einzustellen; und einen in dem Sendekanal enthaltenen Koppler, der dazu ausgebildet ist, das HF-Radarsignal zu empfangen und das HF-Radarsignal an einem Ausgangskontakt auszugeben. Dem Sendekanal ist eine Phasenreglerschaltung zugeordnet, die mit dem Koppler gekoppelt und dazu ausgebildet ist, das Lokaloszillatorsignal und das HF-Radarsignal zu empfangen, und basierend auf einer Phasendifferenz zwischen dem Lokaloszillatorsignal und dem HF-Radarsignal den Eingangsphasenwert für den Phasenschieber anzupassen.

    Gesundheitsüberwachung eines Schaltkreises

    公开(公告)号:DE102017109266A1

    公开(公告)日:2018-10-31

    申请号:DE102017109266

    申请日:2017-04-28

    Abstract: Es ist ein Verfahren offenbart, das mit einer Schaltkreisvorrichtung verwendet wird, die einen Schaltkreis mit einer vorbestimmten Spannung-Strom-Kennlinie und einen Detektor, der zum Detektieren einer Spannung-Strom-Beziehung des Schaltkreises konfiguriert ist, umfasst. Das Verfahren umfasst Verwenden des Detektors, um die Spannung-Strom-Beziehung des Schaltkreises zu detektieren, und Angeben, ob die detektierte Spannung-Strom-Beziehung von der vorbestimmten Spannung-Strom-Kennlinie abweicht. Eine Schaltkreisvorrichtung umfasst einen Schaltkreis mit einer vorbestimmten Spannung-Strom-Kennlinie und einen Detektor, der zum Detektieren einer Spannung-Strom-Beziehung des Schaltkreises konfiguriert ist. Die Schaltkreisvorrichtung ist zum Angeben konfiguriert, ob die detektierte Spannung-Strom-Beziehung von der vorbestimmten Spannung-Strom-Kennlinie abweicht.

    HF-Transceiver mit Testmöglichkeit

    公开(公告)号:DE102017119212A1

    公开(公告)日:2018-06-21

    申请号:DE102017119212

    申请日:2017-08-22

    Abstract: Es wird hier eine HF-Frontendschaltung eines HF-Transceivers beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die Frontend-Schaltung einen Lokaloszillator (LO), der dazu ausgebildet ist, ein HF-Sendesignal zu erzeugen, einen mit dem Lokaloszillator gekoppelten HF-Ausgangsport, wobei das HF-Sendesignal an dem HF-Ausgangsport ausgegeben wird, und eine Monitoring-Schaltung auf, die ein Eingangssignal empfängt und dazu ausgebildet ist, die Phase des Eingangssignals oder die Leistung des Eingangssignals oder Beides zu ermitteln. Ein Richtkoppler ist mit dem HF-Ausgangsport gekoppelt und dazu ausgebildet, ein an dem HF-Ausgangsport eingehendes, reflektiertes Signal der Monitoring-Schaltung als Eingangssignal zuzuführen, und ein Controller ist dazu ausgebildet, basierend auf der ermittelten Phase oder Leistung oder Beidem einen Defekt in einem in Betrieb mit dem HF-Ausgangsport verbundenen Signalpfad zu detektieren.

    PHASEN- UND AMPLITUDEN-SIGNALERFASSUNGSSCHALTUNG FÜR RADIOFREQUENZ- (RF-) SENDER

    公开(公告)号:DE102017119946A1

    公开(公告)日:2018-03-22

    申请号:DE102017119946

    申请日:2017-08-30

    Abstract: Einen Radiofrequenz-(RF-)Sender zur Selbsterfassung von Leistung und Phase eines RF-Signals wird bereitgestellt. Ein Lokaloszillator (LO) ist zum Erzeugen eines LO-Signals ausgebildet. Ein Leistungsverstärker ist ausgebildet, um das RF-Signal aus dem LO-Signal zu erzeugen, wobei das LO- und RF-Signal periodische Signale sind, die eine Wellenform und eine Frequenz gemeinschaftlich verwenden. Ein IQ-Demodulator ist ausgebildet, um das LO-Signal und das RF-Signal in ein Inphasen-(I-)Signal und ein Quadratur-(Q-)Signal abwärts umzuwandeln, wobei die Gleichspannungen (DC) jeweils des I- und Q-Signals Leistung und Phase des RF-Signals definieren. Ein Verfahren zur Selbsterfassung von Leistung eines RF-Signals und ein Radarsystem, in dem der RF-Sender angeordnet ist, werden ebenfalls bereitgestellt.

    Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung

    公开(公告)号:DE102020132641B4

    公开(公告)日:2022-10-27

    申请号:DE102020132641

    申请日:2020-12-08

    Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterchip (2), umfassend einen elektrischen Kontakt (10), der auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist;ein externes Verbindungselement (8), das dazu ausgelegt ist, eine erste elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung und einer Leiterplatte (20) bereitzustellen; undeine elektrische Umverteilungsschicht (6), die sich in einer Richtung parallel zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) erstreckt und dazu ausgelegt ist, eine zweite elektrische Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) und dem externen Verbindungselement (8) bereitzustellen,wobei die elektrische Umverteilungsschicht (6) eine Masseleitung (14B), die mit einem Massepotential verbunden ist, und eine Signalleitung (14A), die dazu ausgelegt ist, ein elektrisches Signal mit einer Wellenlänge zu übertragen, umfasst,wobei, wenn in einer Richtung senkrecht zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) betrachtet:eine Breite eines Zwischenraums (24) zwischen der Masseleitung (14B) und der Signalleitung (14A) ist kontinuierlich kleiner als 10 Prozent der Wellenlänge und mindestens kleiner als 40 Mikrometer entlang eines Pfades (26),eine Variation der Breite des Zwischenraums (24) ist kontinuierlich kleiner als 25 Prozent der Breite des Zwischenraums (24) entlang des Pfades (26),ein Anfangspunkt (28) des Pfades (26) und der elektrische Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) haben eine ähnliche Koordinate in Bezug auf eine Koordinatenachse in einer Richtung von dem elektrischen Kontakt (10) zu einem Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8), undein Endpunkt (30) des Pfades (26) und der Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8) haben eine ähnliche Koordinate in Bezug auf die Koordinatenachse in der Richtung von dem elektrischen Kontakt (10) zu dem Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8).

    Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung

    公开(公告)号:DE102020132641A1

    公开(公告)日:2022-06-09

    申请号:DE102020132641

    申请日:2020-12-08

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung hat einen Halbleiterchip mit einem auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontakt, ein externes Verbindungselement, dazu ausgelegt, eine elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung und einer Leiterplatte bereitzustellen, eine sich in einer Richtung parallel zur Hauptoberfläche des Halbleiterchips erstreckende elektrische Umverteilungsschicht, dazu ausgelegt, eine weitere elektrische Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips und dem externen Verbindungselement bereitzustellen. Die elektrische Umverteilungsschicht hat eine mit einem Massepotential verbundene Masseleitung und eine Signalleitung, dazu ausgelegt, ein elektrisches Signal mit einer Wellenlänge zu übertragen. Wenn in einer Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche des Halbleiterchips betrachtet: eine Breite eines Zwischenraums zwischen Masseleitung und Signalleitung ist kontinuierlich kleiner als 10 Prozent der Wellenlänge und mindestens kleiner als 40 Mikrometer entlang eines Pfads, ein Anfangspunkt des Pfads und der elektrische Kontakt des Halbleiterchips haben eine ähnliche Position in Bezug auf eine Richtung vom elektrischen Kontakt zu einem Mittelpunkt des externen Verbindungselements, ein Endpunkt des Pfads und der Mittelpunkt des externen Verbindungselements haben eine ähnliche Position in Bezug auf die Richtung vom elektrischen Kontakt zum Mittelpunkt des externen Verbindungselements.

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