公开(公告)号：DE102022115688A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022115688

申请日：2022-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ERDOEL TUNCAY ,  HARTNER WALTER ,  MOELLER ULRICH ,  RIEDER BERNHARD ,  SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01P5/08

Abstract: Ein Chip-Package umfasst einen Chip, der ausgebildet ist, ein Signal zu erzeugen und/oder zu empfangen; ein Laminatsubstrat, das einen substratintegrierten Wellenleiter (SIW) zum Tragen des Signals umfasst, wobei der substratintegrierte Wellenleiter eine Chip-zu-SIW-Übergangsstruktur umfasst, die ausgebildet ist, das Signal zwischen den SIW und den Chip zu koppeln, und eine SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur, die ausgebildet ist, das Signal aus dem SIW aus- oder in den SIW einzukoppeln, wobei die SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur eine Wellenleiterapertur umfasst; und eine Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen, die um eine Peripherie der Wellenleiterapertur angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen ausgebildet ist, das Signal von der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur zu empfangen und das Signal von dem Chip-Package auszugeben oder das Signal mit der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur und in das Chip-Package zu koppeln.

公开(公告)号：DE102020132641B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102020132641

申请日：2020-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  ARCIONI FRANCESCA ,  ERDOEL TUNCAY ,  FIORE VINCENZO ,  KOLLMANN HELMUT ,  RONI ARIF ,  STAVAGNA EMANUELE ,  WAGNER CHRISTOPH

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/66

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterchip (2), umfassend einen elektrischen Kontakt (10), der auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist;ein externes Verbindungselement (8), das dazu ausgelegt ist, eine erste elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung und einer Leiterplatte (20) bereitzustellen; undeine elektrische Umverteilungsschicht (6), die sich in einer Richtung parallel zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) erstreckt und dazu ausgelegt ist, eine zweite elektrische Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) und dem externen Verbindungselement (8) bereitzustellen,wobei die elektrische Umverteilungsschicht (6) eine Masseleitung (14B), die mit einem Massepotential verbunden ist, und eine Signalleitung (14A), die dazu ausgelegt ist, ein elektrisches Signal mit einer Wellenlänge zu übertragen, umfasst,wobei, wenn in einer Richtung senkrecht zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) betrachtet:eine Breite eines Zwischenraums (24) zwischen der Masseleitung (14B) und der Signalleitung (14A) ist kontinuierlich kleiner als 10 Prozent der Wellenlänge und mindestens kleiner als 40 Mikrometer entlang eines Pfades (26),eine Variation der Breite des Zwischenraums (24) ist kontinuierlich kleiner als 25 Prozent der Breite des Zwischenraums (24) entlang des Pfades (26),ein Anfangspunkt (28) des Pfades (26) und der elektrische Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) haben eine ähnliche Koordinate in Bezug auf eine Koordinatenachse in einer Richtung von dem elektrischen Kontakt (10) zu einem Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8), undein Endpunkt (30) des Pfades (26) und der Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8) haben eine ähnliche Koordinate in Bezug auf die Koordinatenachse in der Richtung von dem elektrischen Kontakt (10) zu dem Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8).

公开(公告)号：DE102020132641A1

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102020132641

申请日：2020-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  ARCIONI FRANCESCA ,  ERDOEL TUNCAY ,  FIORE VINCENZO ,  KOLLMANN HELMUT ,  RONI ARIF ,  STAVAGNA EMANUELE ,  WAGNER CHRISTOPH

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/66

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung hat einen Halbleiterchip mit einem auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontakt, ein externes Verbindungselement, dazu ausgelegt, eine elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung und einer Leiterplatte bereitzustellen, eine sich in einer Richtung parallel zur Hauptoberfläche des Halbleiterchips erstreckende elektrische Umverteilungsschicht, dazu ausgelegt, eine weitere elektrische Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips und dem externen Verbindungselement bereitzustellen. Die elektrische Umverteilungsschicht hat eine mit einem Massepotential verbundene Masseleitung und eine Signalleitung, dazu ausgelegt, ein elektrisches Signal mit einer Wellenlänge zu übertragen. Wenn in einer Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche des Halbleiterchips betrachtet: eine Breite eines Zwischenraums zwischen Masseleitung und Signalleitung ist kontinuierlich kleiner als 10 Prozent der Wellenlänge und mindestens kleiner als 40 Mikrometer entlang eines Pfads, ein Anfangspunkt des Pfads und der elektrische Kontakt des Halbleiterchips haben eine ähnliche Position in Bezug auf eine Richtung vom elektrischen Kontakt zu einem Mittelpunkt des externen Verbindungselements, ein Endpunkt des Pfads und der Mittelpunkt des externen Verbindungselements haben eine ähnliche Position in Bezug auf die Richtung vom elektrischen Kontakt zum Mittelpunkt des externen Verbindungselements.

公开(公告)号：DE102021102228A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102021102228

申请日：2021-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  ELIAN KLAUS ,  ERDOEL TUNCAY ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  RIEDER BERNHARD ,  SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01P1/06

Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Sendesignale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Empfangssignale zu empfangen. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner einen zwischen einer ersten Seite des Hochfrequenz-Package und einer zweiten Seite des Wellenleiter-Bauteils angeordneten Spalt und eine Abschirmstruktur, welche dazu ausgelegt ist: eine relative Bewegung zwischen dem Hochfrequenz-Package und dem Wellenleiter-Bauteil in einer ersten Richtung senkrecht zur ersten Seite des Hochfrequenz-Package zuzulassen, und die Sendesignale und/oder die Empfangssignale derart abzuschirmen, dass eine Ausbreitung der Signale über den Spalt abgeschwächt oder verhindert wird.