公开(公告)号：DE102020132641B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102020132641

申请日：2020-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  ARCIONI FRANCESCA ,  ERDOEL TUNCAY ,  FIORE VINCENZO ,  KOLLMANN HELMUT ,  RONI ARIF ,  STAVAGNA EMANUELE ,  WAGNER CHRISTOPH

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/66

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterchip (2), umfassend einen elektrischen Kontakt (10), der auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist;ein externes Verbindungselement (8), das dazu ausgelegt ist, eine erste elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung und einer Leiterplatte (20) bereitzustellen; undeine elektrische Umverteilungsschicht (6), die sich in einer Richtung parallel zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) erstreckt und dazu ausgelegt ist, eine zweite elektrische Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) und dem externen Verbindungselement (8) bereitzustellen,wobei die elektrische Umverteilungsschicht (6) eine Masseleitung (14B), die mit einem Massepotential verbunden ist, und eine Signalleitung (14A), die dazu ausgelegt ist, ein elektrisches Signal mit einer Wellenlänge zu übertragen, umfasst,wobei, wenn in einer Richtung senkrecht zu der Hauptoberfläche des Halbleiterchips (2) betrachtet:eine Breite eines Zwischenraums (24) zwischen der Masseleitung (14B) und der Signalleitung (14A) ist kontinuierlich kleiner als 10 Prozent der Wellenlänge und mindestens kleiner als 40 Mikrometer entlang eines Pfades (26),eine Variation der Breite des Zwischenraums (24) ist kontinuierlich kleiner als 25 Prozent der Breite des Zwischenraums (24) entlang des Pfades (26),ein Anfangspunkt (28) des Pfades (26) und der elektrische Kontakt (10) des Halbleiterchips (2) haben eine ähnliche Koordinate in Bezug auf eine Koordinatenachse in einer Richtung von dem elektrischen Kontakt (10) zu einem Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8), undein Endpunkt (30) des Pfades (26) und der Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8) haben eine ähnliche Koordinate in Bezug auf die Koordinatenachse in der Richtung von dem elektrischen Kontakt (10) zu dem Mittelpunkt des externen Verbindungselementes (8).

公开(公告)号：DE102020132641A1

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102020132641

申请日：2020-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  ARCIONI FRANCESCA ,  ERDOEL TUNCAY ,  FIORE VINCENZO ,  KOLLMANN HELMUT ,  RONI ARIF ,  STAVAGNA EMANUELE ,  WAGNER CHRISTOPH

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/66

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung hat einen Halbleiterchip mit einem auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontakt, ein externes Verbindungselement, dazu ausgelegt, eine elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung und einer Leiterplatte bereitzustellen, eine sich in einer Richtung parallel zur Hauptoberfläche des Halbleiterchips erstreckende elektrische Umverteilungsschicht, dazu ausgelegt, eine weitere elektrische Verbindung zwischen dem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips und dem externen Verbindungselement bereitzustellen. Die elektrische Umverteilungsschicht hat eine mit einem Massepotential verbundene Masseleitung und eine Signalleitung, dazu ausgelegt, ein elektrisches Signal mit einer Wellenlänge zu übertragen. Wenn in einer Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche des Halbleiterchips betrachtet: eine Breite eines Zwischenraums zwischen Masseleitung und Signalleitung ist kontinuierlich kleiner als 10 Prozent der Wellenlänge und mindestens kleiner als 40 Mikrometer entlang eines Pfads, ein Anfangspunkt des Pfads und der elektrische Kontakt des Halbleiterchips haben eine ähnliche Position in Bezug auf eine Richtung vom elektrischen Kontakt zu einem Mittelpunkt des externen Verbindungselements, ein Endpunkt des Pfads und der Mittelpunkt des externen Verbindungselements haben eine ähnliche Position in Bezug auf die Richtung vom elektrischen Kontakt zum Mittelpunkt des externen Verbindungselements.