公开(公告)号：DE102011084024B4

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102011084024

申请日：2011-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  MÜLLER MARCO

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01L9/00

Abstract: Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur (100, 200), das folgende Schritte aufweist: Bilden einer Opferstruktur (110, 210) durch Ätzen einer Mehrzahl von Gräben (112, 212) von einer ersten Hauptoberfläche (103, 203) eines Substrats (102, 202), wobei die Opferstruktur (110, 210) eine oder mehrere Wände zwischen den Gräben (112, 212) aufweist; Abdecken der Mehrzahl von Gräben (112, 212) an der ersten Hauptoberfläche (103, 203) mit einem Abdeckungsmaterial (115, 215), um Hohlräume in dem Substrat (102, 202) zu definieren, so dass das Abdeckungsmaterial (115, 215) im Wesentlichen an der ersten Hauptoberfläche (103) des Substrats (102) bleibt, anstatt zu der Unterseite der Mehrzahl von Gräben (112, 212) zu fallen; Entfernen eines Teils des Substrats (102, 202) von einer zweiten Hauptoberfläche (104, 204) gegenüber der ersten Hauptoberfläche (103, 203) zu einer Tiefe, bei der die Mehrzahl von Gräben (112, 212) vorliegen; und Wegätzen der Opferstruktur (110, 210) durch Wegätzen der ein oder mehreren Wände von der zweiten Hauptoberfläche (104, 204) des Substrats (102, 202), so dass eine Ausnehmung (120, 220) mit einer Unterseite entsteht, die das Abdeckungsmaterial (115, 215) umfasst.