公开(公告)号：DE102004046800B4

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102004046800

申请日：2004-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HÖGLAUER JOSEF ,  MUSSHOFF CHRISTIAN ,  OETJEN JENS

IPC: G01R31/28 ,  H01L25/11

Abstract: Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs (30) mit einer Mehrzahl Kontakte (31, 32) eines Halbleitermoduls (10) mit einer Schaltungsanordnung, – bei welchem das Halbleitermodul (10) aktiv durch elektrischen Heizstrom (I') geheizt wird, – bei welchem eine temperaturabhängige physikalische Größe des Halbleitermoduls (10) und deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen (UR) gemessen und ausgewertet werden, – bei welchem die elektrische und thermische Qualität der Kontakte (31, 32) ermittelt wird aus der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) und aus deren zeitlichem Verlauf, – bei welchem der Heizstrom (I') gebildet wird von einer Mehrzahl von Heizstrompulsen (I, I1, I2), – bei welchem durch die Beaufschlagung mit Heizstrompulsen (I, I1, I2) unterschiedliche Bereiche (Ph1, Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) erzeugt werden und – bei welchem die unterschiedlichen Bereiche (Ph1, Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) unterschiedlichen Kontakten (31, 32) zugeordnet und für die Ermittlung der elektrischen und thermischen Qualität der Kontakte (31, 32) entsprechend ausgewertet werden.

公开(公告)号：DE102015109835A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102015109835

申请日：2015-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THALMANN ERWIN ,  LEUTSCHACHER MICHAEL ,  MUSSHOFF CHRISTIAN ,  KRAMP STEFAN

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: Ein Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Prüfgeräts; Bereitstellen eines elektrisch leitenden Trägers; Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche und eine Mehrzahl von Halbleiterchips aufweist, wobei die Halbleiterchips ein erstes Kontaktelement auf der ersten Hauptfläche und ein zweites Kontaktelement auf der zweiten Hauptfläche umfassen, Anordnen des Halbleitersubstrats auf dem Träger, wobei die zweite Hauptfläche dem Träger zugewandt ist, elektrisches Verbinden des Trägers mit einer Kontaktstelle, die auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist, und Prüfen eines Halbleiterchips durch elektrisches Verbinden des Prüfgeräts mit dem ersten Kontaktelement des Halbleiterchips und der Kontaktstelle.

公开(公告)号：DE102004046800A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：DE102004046800

申请日：2004-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOEGLAUER JOSEF ,  MUSSHOFF CHRISTIAN ,  OETJEN JENS

IPC: G01R31/28

Abstract: A method for testing a contact region of a semiconductor module having a circuit arrangement is disclosed. In one embodiment, the semiconductor module is heated by an electrical heating current flow and the electrical and/or thermal quality of a plurality of contacts provided in the contact region is determined in the process from a temperature-dependent measurement quantity. The heating current flow is formed by a plurality of heating current pulses. The application of the heating current pulses leads to different phases of the measurement quantity. The different phases are assigned to the different contacts and evaluated correspondingly for determining the electrical and/or thermal quality of the contacts.