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公开(公告)号：DE102016111248B4
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：DE102016111248
申请日：2016-06-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHEN LIU , SALMINEN TONI , MIESLINGER STEFAN , BABULANO GIULIANO ANGELO , OETJEN JENS , DINKEL MARKUS , JOST FRANZ
Abstract: Leistungshalbleiter-Package, umfassend:ein Substrat mit mehreren Metallzuleitungen;einen Leistungshalbleiter-Die, der an einer ersten der Zuleitungen angebracht ist; undeinen Magnetfeldsensor, der in das gleiche Leistungshalbleiter-Package wie der Leistungshalbleiter-Die integriert und in unmittelbarer Nähe zu einem Stromweg des Leistungshalbleiter-Die positioniert ist, wobei der Magnetfeldsensor betätigt werden kann zum Generieren eines Signals als Reaktion auf ein Magnetfeld, das durch einen im Stromweg fließenden Strom erzeugt wird, wobei die Größe des Signals proportional zu der im Stromweg fließenden Strommenge ist, wobei der Magnetfeldsensor:in den Leistungshalbleiter-Die eingebettet ist;auf dem Leistungshalbleiter-Die angeordnet ist; oderauf einem Metallclip angeordnet ist, der in dem Leistungshalbleiter-Package enthalten ist und der eine oder mehrere der Zuleitungen elektrisch mit dem Leistungshalbleiter-Die oder einer anderen der Zuleitungen verbindet.
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公开(公告)号：DE102004046800A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：DE102004046800
申请日：2004-09-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： OTREMBA RALF , HOEGLAUER JOSEF , MUSSHOFF CHRISTIAN , OETJEN JENS
IPC: G01R31/28
Abstract: A method for testing a contact region of a semiconductor module having a circuit arrangement is disclosed. In one embodiment, the semiconductor module is heated by an electrical heating current flow and the electrical and/or thermal quality of a plurality of contacts provided in the contact region is determined in the process from a temperature-dependent measurement quantity. The heating current flow is formed by a plurality of heating current pulses. The application of the heating current pulses leads to different phases of the measurement quantity. The different phases are assigned to the different contacts and evaluated correspondingly for determining the electrical and/or thermal quality of the contacts.
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公开(公告)号：DE102016112390B4
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：DE102016112390
申请日：2016-07-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： OETJEN JENS , MACHEINER STEFAN
IPC: H01L23/488 , H01L21/283 , H01L21/58 , H01L23/495
Abstract: Lötpad (10), umfassend:eine Oberfläche (12);eine Zinnschicht (14), die auf der Oberfläche (12) angeordnet ist; undeine Bismutschicht (18) und eine Antimonschicht (20) und eine Nickelschicht (22), die auf der Zinnschicht (14) angeordnet sind, wobei die Bismutschicht (18) auf der Zinnschicht (14) angeordnet ist, die Antimonschicht (20) auf der Bismutschicht (18) angeordnet ist und die Nickelschicht (22) auf der Antimonschicht (20) angeordnet ist, wobei jede Schicht die gesamte jeweilige darunterliegende Schicht bedeckt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016111248A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：DE102016111248
申请日：2016-06-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHEN LIU , SALMINEN TONI , MIESLINGER STEFAN , BABULANO GIULIANO ANGELO , OETJEN JENS , DINKEL MARKUS , JOST FRANZ
Abstract: Ein Leistungshalbleiter-Package enthält ein Substrat mit mehreren Metallzuleitungen, einen Leistungshalbleiter-Die, der an einer ersten der Zuleitungen angebracht ist, und einen Magnetfeldsensor, der in das gleiche Leistungshalbleiter-Package wie der Leistungshalbleiter-Die integriert und in unmittelbarer Nähe zu einem Stromweg des Leistungshalbleiter-Die positioniert ist. Der Magnetfeldsensor kann betätigt werden zum Generieren eines Signals als Reaktion auf ein Magnetfeld, das durch einen im Stromweg fließenden Strom erzeugt wird, wobei die Größe des Signals proportional zu der im Stromweg fließenden Strommenge ist.
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公开(公告)号：DE102016111573B4
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：DE102016111573
申请日：2016-06-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS , BABULANO GIULIANO ANGELO , CHEN LIU , DINKEL MARKUS , GRUBER MARTIN , JOST FRANZ , MEYER THORSTEN , MIESLINGER STEFAN , OETJEN JENS , SALMINEN TONI
Abstract: Verbindungsmodul, das Folgendes umfasst:eine Metallklemme (702), die einen ersten Endabschnitt (704), einen zweiten Endabschnitt (706) und einen Mittelabschnitt (708), der sich zwischen dem ersten und dem zweiten Endabschnitt (704, 706) erstreckt, umfasst, wobei der erste Endabschnitt (704) zum externen Anbringen an einem/einer Halbleiternacktchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an einem Träger oder an einem Metallbereich des Trägers angebracht ist, konfiguriert ist, der zweite Endabschnitt (706) zum externen Anbringen an einem anderen Metallbereich des Trägers oder an einem/einer anderen Halbleiterchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an dem Träger angebracht ist, konfiguriert ist; undeinen Magnetfeldsensor (104), der an der Metallklemme (702) befestigt ist, wobei der Magnetfeldsensor (104) arbeitet, um ein Magnetfeld abzufühlen, das durch Strom produziert wird, der durch die Metallklemme (702) fließt,wobei die Metallklemme (702) in eine Einkapselung (712) eingebettet ist und wobei elektrische Kontaktstellen (714) an einer Seite des Magnetfeldsensors (104) angeordnet sind, die von der Metallklemme (702) weg weist, wobei die elektrischen Kontaktstellen (714) jeweils zum Anbringen eines Bonddrahtes ausgebildet sind, undwobei eine Oberfläche des Mittelabschnitts (708) der Metallklemme (702), die von dem Magnetfeldsensor (104) weg weist, durch die Einkapselung (712) bedeckt ist.
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公开(公告)号：DE102016112390A1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：DE102016112390
申请日：2016-07-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： OETJEN JENS , MACHEINER STEFAN
IPC: H01L23/488 , H01L21/283 , H01L21/58 , H01L23/495
Abstract: Ein Lötpad beinhaltet eine Oberfläche. Eine Zinnschicht ist auf der Oberfläche angeordnet. Eine Bismutschicht und/oder eine Antimonschicht und/oder eine Nickelschicht sind auf der Zinnschicht angeordnet.
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公开(公告)号：DE102016111573A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：DE102016111573
申请日：2016-06-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BABULANO GIULIANO ANGELO , CHEN LIU , DINKEL MARKUS , GRUBER MARTIN , JOST FRANZ , MEYER THORSTEN , MIESLINGER STEFAN , OETJEN JENS , SALMINEN TONI , SCHALLER RAINER MARKUS
Abstract: Ein Verbindungsmodul enthält eine Metallklemme, die einen ersten Endabschnitt, einen zweiten Endabschnitt und einen Mittelabschnitt, der sich zwischen dem ersten Endabschnitt und dem zweiten Endabschnitt erstreckt. Der erste Endabschnitt ist zum externen Befestigen an einem Halbleiternacktchip oder einer Halbleiterchipbaugruppe, der/die an einem Träger angebracht ist, oder an einem Metallbereich des Trägers konfiguriert. Der zweite Endabschnitt ist konfiguriert zum externen Anbringen an einem anderen Metallbereich des Trägers oder an einem/einer anderen Halbleiterchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an dem Träger angebracht ist. Das Modul enthält ferner einen Magnetfeldsensor, der an der Metallklemme befestigt ist. Der Magnetfeldsensor arbeitet, um ein Magnetfeld abzufühlen, das durch Strom, der durch die Metallklemme fließt, produziert wird. Das Verbindungsmodul kann verwendet werden, um eine direkte elektrische Verbindung zwischen Komponenten und/oder Metallbereichen eines Trägers, an dem das Modul angebracht ist, zu bilden.
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公开(公告)号：DE102004046800B4
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：DE102004046800
申请日：2004-09-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： OTREMBA RALF , HÖGLAUER JOSEF , MUSSHOFF CHRISTIAN , OETJEN JENS
Abstract: Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs (30) mit einer Mehrzahl Kontakte (31, 32) eines Halbleitermoduls (10) mit einer Schaltungsanordnung, – bei welchem das Halbleitermodul (10) aktiv durch elektrischen Heizstrom (I') geheizt wird, – bei welchem eine temperaturabhängige physikalische Größe des Halbleitermoduls (10) und deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen (UR) gemessen und ausgewertet werden, – bei welchem die elektrische und thermische Qualität der Kontakte (31, 32) ermittelt wird aus der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) und aus deren zeitlichem Verlauf, – bei welchem der Heizstrom (I') gebildet wird von einer Mehrzahl von Heizstrompulsen (I, I1, I2), – bei welchem durch die Beaufschlagung mit Heizstrompulsen (I, I1, I2) unterschiedliche Bereiche (Ph1, Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) erzeugt werden und – bei welchem die unterschiedlichen Bereiche (Ph1, Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) unterschiedlichen Kontakten (31, 32) zugeordnet und für die Ermittlung der elektrischen und thermischen Qualität der Kontakte (31, 32) entsprechend ausgewertet werden.
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