Thermoelektrische Vorrichtungen und Verfahren zum Bilden von thermoelektrischen Vorrichtungen

    公开(公告)号:DE102017125647A1

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:DE102017125647

    申请日:2017-11-02

    Abstract: Eine thermoelektrische Vorrichtung weist mehrere erste Halbleitermesastrukturen mit einem ersten Leitfähigkeitstyp auf. Außerdem weist die thermoelektrische Vorrichtung mehrere zweite Halbleitermesastrukturen mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Die ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen und die zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen sind elektrisch in Reihe verbunden. Die thermoelektrische Vorrichtung weist ferner eine Glasstruktur auf, die sich lateral zwischen den ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen und den zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen befindet. Die Glasstruktur isoliert die ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen lateral elektrisch von den zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen.

    Thermoelektrische Vorrichtungen und Verfahren zum Bilden von thermoelektrischen Vorrichtungen

    公开(公告)号:DE102017125647B4

    公开(公告)日:2020-12-24

    申请号:DE102017125647

    申请日:2017-11-02

    Abstract: Thermoelektrische Vorrichtung (100, 200, 400, 600, 700, 800), die Folgendes umfasst:mehrere erste Halbleitermesastrukturen (110) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;mehrere zweite Halbleitermesastrukturen (120) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei die ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) und die zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) elektrisch in Reihe verbunden sind, undeine Glasstruktur (130), die sich lateral zwischen den ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) und den zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) befindet, wobei die Glasstruktur (130) die ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) lateral elektrisch von den zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) isoliert, und wobei die Glasstruktur (130) ein Borsilicatglas, ein Bor-Zink-Glas und/oder ein Glas mit niedriger Glasübergangstemperatur umfasst.

    Wafer-Schutzplatte und Verfahren zum Schützen eines Wafers

    公开(公告)号:DE102016015811B3

    公开(公告)日:2022-06-23

    申请号:DE102016015811

    申请日:2016-07-28

    Abstract: Wafer-Schutzplatte (880) zum Schutz mindestens eines auf einem Waferrahmen (104, 204) mit elastischer Trägerfolie (104F, 204F) angeordneten Wafers (102), aufweisend:einen Aufliegebereich (880A) zum Aufliegen auf einem starren Bereich (104S, 204S) des Waferrahmens (104, 204) ;einen Innenbereich (880I); undeinen Kontaktbereich (880K) zwischen dem Innenbereich (880I) und dem Aufliegebereich (880A);wobei die Wafer-Schutzplatte (880) so gestaltet ist undauf einer den Wafer aufweisenden Oberseite des Waferrahmens (104, 204) angeordnet werden kann, dass bei aufliegendem Aufliegebereich (880A) der Innenbereich (880I) über dem Wafer (102) angeordnet ist und der Kontaktbereich (880K) sich so weit in Richtung zur Trägerfolie (104F, 204F) hin erstreckt, dass bei einem Kontakt zwischen der Trägerfolie (104F, 204F) und dem Kontaktbereich (880K) die Oberseite des Wafers (102) nicht in Kontakt ist mit der Wafer-Schutzplatte (880).

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