公开(公告)号：DE102015109764A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE102015109764

申请日：2015-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MENGEL MANFRED ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  KASZTELAN CHRISTIAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen umfasst ein Platzieren einer Laminarstruktur, die elektrisch isolierendes Material umfasst, das zwischen einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Strukturen angeordnet ist, auf eine Oberfläche eines Halbleiterwafers, der eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementstrukturen umfasst, sodass sich eine elektrisch leitfähige Struktur aus der Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Strukturen benachbart zu einer Halbleiterbauelementstruktur aus der Mehrzahl von Halbleiterbauelementstrukturen befindet. Jede elektrisch leitfähige Struktur aus der Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Strukturen erstreckt sich von einer ersten Oberfläche der Laminarstruktur in Richtung einer zweiten gegenüberliegenden Oberfläche der Laminarstruktur.

公开(公告)号：DE102015109073A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015109073

申请日：2015-06-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  KASZTELAN CHRISTIAN ,  FUERGUT EDWARD ,  LEE TECK SIM ,  WANG LEE SHUANG ,  KUEK HSIEH TING ,  MURUGAN SANJAY KUMAR

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: Eine Vorrichtung weist ein Verkapselungsmaterial, eine erste Zuleitung und eine zweite Zuleitung, die aus einer Fläche des Verkapselungsmaterials vorstehen, auf. Die Aussparung erstreckt sich in die Fläche des Verkapselungsmaterials. Eine Erhöhung ist auf der Fläche des Verkapselungsmaterials angeordnet, wobei die erste Zuleitung aus der Erhöhung vorsteht.

公开(公告)号：DE102017125647A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102017125647

申请日：2017-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KASZTELAN CHRISTIAN ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  MENGEL MANFRED ,  NIEDERHOFER ANDREAS

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: Eine thermoelektrische Vorrichtung weist mehrere erste Halbleitermesastrukturen mit einem ersten Leitfähigkeitstyp auf. Außerdem weist die thermoelektrische Vorrichtung mehrere zweite Halbleitermesastrukturen mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Die ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen und die zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen sind elektrisch in Reihe verbunden. Die thermoelektrische Vorrichtung weist ferner eine Glasstruktur auf, die sich lateral zwischen den ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen und den zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen befindet. Die Glasstruktur isoliert die ersten Halbleitermesastrukturen der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen lateral elektrisch von den zweiten Halbleitermesastrukturen der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen.

公开(公告)号：DE102017125647B4

公开(公告)日：2020-12-24

申请号：DE102017125647

申请日：2017-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KASZTELAN CHRISTIAN ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  MENGEL MANFRED ,  NIEDERHOFER ANDREAS

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: Thermoelektrische Vorrichtung (100, 200, 400, 600, 700, 800), die Folgendes umfasst:mehrere erste Halbleitermesastrukturen (110) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;mehrere zweite Halbleitermesastrukturen (120) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei die ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) und die zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) elektrisch in Reihe verbunden sind, undeine Glasstruktur (130), die sich lateral zwischen den ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) und den zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) befindet, wobei die Glasstruktur (130) die ersten Halbleitermesastrukturen (110) der mehreren ersten Halbleitermesastrukturen (110) lateral elektrisch von den zweiten Halbleitermesastrukturen (120) der mehreren zweiten Halbleitermesastrukturen (120) isoliert, und wobei die Glasstruktur (130) ein Borsilicatglas, ein Bor-Zink-Glas und/oder ein Glas mit niedriger Glasübergangstemperatur umfasst.