中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

28 records (took 0.022 seconds)

    Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
    1.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011050953B4

    公开(公告)日：2016-01-07

    申请号：DE102011050953

    申请日：2011-06-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FISCHER THOMAS ,  HAMPP ROLAND ,  HÖCKELE UWE

    IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

    Abstract: Halbleitervorrichtung (100), die aufweist: ein Substrat (110), das ein erstes Gebiet (102) und ein zweites Gebiet (103) aufweist; eine Isolierschicht (140), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist; eine erste leitende Schicht (120), die in oder auf der Isolierschicht (140) in dem ersten Gebiet (102) angeordnet ist, und eine zweite leitende Schicht (130), die in oder auf der Isolierschicht (140) in dem zweiten Gebiet (103) angeordnet ist, wobei die erste leitende Schicht (120) ein erstes leitendes Material aufweist und die zweite leitende Schicht (130) ein zweites leitendes Material aufweist und wobei das erste leitende Material Kupfer ist und das zweite leitende Material Aluminium ist, wobei die erste leitende Schicht (120) eine Landeanschlussfläche für einen Kontaktierungsdraht bildet, und wobei eine NiMoP aufweisende Metallschicht (170) direkt auf der ersten leitenden Schicht (120), aber nicht auf der zweiten leitenden Schicht (130) angeordnet ist, um die erste leitende Schicht (120) mechanisch zu stabilisieren, so dass sie mit dem Kontaktierungsdraht kontaktierbar ist, ohne die darunter liegende Materialanordnung zu beschädigen.

    Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwerkstücks
    2.
    发明专利
    Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwerkstücks 未知

    公开(公告)号：DE102014107557A1

    公开(公告)日：2014-12-04

    申请号：DE102014107557

    申请日：2014-05-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BONART DIETRICH ,  FISCHER THOMAS ,  GISSIBL ANJA ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STRANZL GUDRUN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  WENDT HERMANN

    IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/301

    Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Halbleiterwerkstücks wird bereitgestellt, welches möglicherweise Folgendes beinhaltet: Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks, das einen Metallisierungsschichtstapel, der an einer Seite des Halbleiterwerkstücks angeordnet ist, beinhaltet, wobei der Metallisierungsschichtstapel mindestens eine erste Schicht und eine zweite Schicht, die über der ersten Schicht angeordnet ist, beinhaltet, wobei die erste Schicht ein erstes Material enthält und die zweite Schicht ein zweites Material, das anders geartet ist als das erste Material, enthält (102); Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels, wobei Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels Nassätzen der ersten Schicht und der zweiten Schicht mittels einer Ätzlösung, die mindestens im Wesentlichen die gleiche Ätzrate für das erste Material und das zweite Material aufweist (104), beinhaltet.

    Method of controlling a process apparatus for the sequential pessing of semiconductor wafers
    6.
    发明专利
    Method of controlling a process apparatus for the sequential pessing of semiconductor wafers 未知

    公开(公告)号：GB2379555B

    公开(公告)日：2005-02-09

    申请号：GB0228420

    申请日：2002-04-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHEDEL THORSTEN ,  SCHUMACHER KARL ,  FISCHER THOMAS ,  HOMMEN HEIKO ,  OTTO RALF ,  SCHMIDT SEBASTIAN

    IPC: G03F7/20 ,  H01L21/66

    Abstract: While a first leading semiconductor wafer (11) already processed in a process appliance (1) and belonging to a batch is being measured in a microscope measuring instrument (2) in relation to values for the structure parameters 30, a second or further semiconductor wafer (12) belonging to the batch is processed in the process appliance (1). An event signal (100) reports, for example, an inspection carried out successfully of the first wafer, so that the following wafers (12) no longer need to be inspected. Using the measured results, the process parameters (31) of the process appliance (1) are automatically readjusted. Events such as maintenance work or parameter drifts in trend maps etc. are detected in control units (8 or 9) and, via the output of an event signal (102), for example in an event database (40), lead to the event-based selection of structure parameters (30') to be measured and/or to the initiation of a leading wafer (11). Limiting-value violations (21) of at least one process parameter (31), detected by a control unit (8), are responded to by a warning signal (101) and likewise fed into the event database (40).

    Halbleiterpackages und Verfahren zu deren Ausbildung
    10.
    发明专利
    Halbleiterpackages und Verfahren zu deren Ausbildung 未知

    公开(公告)号：DE102013102973B4

    公开(公告)日：2020-11-05

    申请号：DE102013102973

    申请日：2013-03-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FISCHER THOMAS ,  GRUBER HERMANN ,  HÖCKELE UWE ,  MAHLER JOACHIM ,  PRUECKL ANTON ,  SCHMIDT MATTHIAS

    IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/60 ,  H01L25/04

    Abstract: Halbleiterpackage, das Folgendes aufweist:• ein Substrat;• einen in ein Kapselungsmittel (150) eingebetteten und über dem Substrat angeordneten ersten Die (100);• eine unter dem ersten Die (100) und zwischen dem ersten Die (100) und dem Substrat angeordnete dielektrische Linerschicht (130), wobei die dielektrische Linerschicht (130) eine untere Oberfläche des ersten Die (100) vollständig bedeckt;• eine zwischen dem Substrat und der dielektrischen Linerschicht (130) angeordnete erste Haftschicht (120); und• einen in dem Kapselungsmittel (150) eingebetteten und über dem Substrat angeordneten zweiten Die (200), wobei der zweite Die (200) ein vertikales Bauelement ist mit einem ersten Kontaktgebiet auf einer oberen Oberfläche und einem zweiten Kontaktgebiet auf einer gegenüberliegenden unteren Oberfläche, wobei das zweite Kontaktgebiet elektrisch an das Substrat gekoppelt ist.

Patent Agency Ranking