公开(公告)号：DE102020133672A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：DE102020133672

申请日：2020-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CARDWELL STUART ,  MAERZ JOSEF ,  NG CHEE YANG ,  O DELL CLIVE ,  PAVIER MARK

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: Halbleiterbauelement mit einem leitenden Rahmen, der eine Die-Befestigungsfläche aufweist, die im wesentlichen planar ist, einem Halbleiterdie mit einem ersten Anschluss auf einer Rückseite und einem zweiten Anschluss, der auf einer Hauptoberfläche angeordnet ist, einer ersten leitenden Kontaktstruktur, die auf der Die-Befestigungsfläche angeordnet ist, und einer zweiten leitenden Kontaktstruktur auf der Hauptoberfläche. Die erste leitende Kontaktstruktur erstreckt sich vertikal über eine Ebene der Hauptoberfläche des Halbleiterdies hinaus. Die erste leitende Kontaktstruktur ist von der Hauptoberfläche des Halbleiterdies durch eine elektrische Isolationsstruktur elektrisch isoliert. Eine obere Oberfläche der elektrischen Isolationsstruktur befindet sich unterhalb der Hauptoberfläche des Halbleiterdies.