HALBLEITERBAUGRUPPE MIT LEITENDEM RAHMEN FÜR E/A-ABSTAND UND THERMISCHE DISSIPATION

    公开(公告)号:DE102020133672A1

    公开(公告)日:2021-06-24

    申请号:DE102020133672

    申请日:2020-12-16

    Abstract: Halbleiterbauelement mit einem leitenden Rahmen, der eine Die-Befestigungsfläche aufweist, die im wesentlichen planar ist, einem Halbleiterdie mit einem ersten Anschluss auf einer Rückseite und einem zweiten Anschluss, der auf einer Hauptoberfläche angeordnet ist, einer ersten leitenden Kontaktstruktur, die auf der Die-Befestigungsfläche angeordnet ist, und einer zweiten leitenden Kontaktstruktur auf der Hauptoberfläche. Die erste leitende Kontaktstruktur erstreckt sich vertikal über eine Ebene der Hauptoberfläche des Halbleiterdies hinaus. Die erste leitende Kontaktstruktur ist von der Hauptoberfläche des Halbleiterdies durch eine elektrische Isolationsstruktur elektrisch isoliert. Eine obere Oberfläche der elektrischen Isolationsstruktur befindet sich unterhalb der Hauptoberfläche des Halbleiterdies.

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