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公开(公告)号:DE102020133672A1
公开(公告)日:2021-06-24
申请号:DE102020133672
申请日:2020-12-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: CARDWELL STUART , MAERZ JOSEF , NG CHEE YANG , O DELL CLIVE , PAVIER MARK
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/50
Abstract: Halbleiterbauelement mit einem leitenden Rahmen, der eine Die-Befestigungsfläche aufweist, die im wesentlichen planar ist, einem Halbleiterdie mit einem ersten Anschluss auf einer Rückseite und einem zweiten Anschluss, der auf einer Hauptoberfläche angeordnet ist, einer ersten leitenden Kontaktstruktur, die auf der Die-Befestigungsfläche angeordnet ist, und einer zweiten leitenden Kontaktstruktur auf der Hauptoberfläche. Die erste leitende Kontaktstruktur erstreckt sich vertikal über eine Ebene der Hauptoberfläche des Halbleiterdies hinaus. Die erste leitende Kontaktstruktur ist von der Hauptoberfläche des Halbleiterdies durch eine elektrische Isolationsstruktur elektrisch isoliert. Eine obere Oberfläche der elektrischen Isolationsstruktur befindet sich unterhalb der Hauptoberfläche des Halbleiterdies.
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公开(公告)号:DE102016125521A1
公开(公告)日:2018-06-28
申请号:DE102016125521
申请日:2016-12-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: CARDWELL STUART
Abstract: Ein Verfahren, das ein Beaufschlagen einer gemeinsamen Presskraft aufweist, die dahingehend wirksam ist, einen elektronischen Chip (100) mit einem Verbinderkörper (102) mittels einer Verbindungsstruktur (104) zu verbinden und zu einem Ausbilden des Verbinderkörpers (102) beizutragen.
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公开(公告)号:DE102020122662A1
公开(公告)日:2022-03-03
申请号:DE102020122662
申请日:2020-08-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: WESTMARLAND PAUL , CARDWELL STUART
Abstract: Ein Package (100), welches einen Träger (102), einen Halbleiterchip (104), welcher einen ersten Verbindungsbereich (106) hat, bei welchem der Halbleiterchip (104) bei einer ersten vertikalen Ebene (108) auf oder über dem Träger (102) montiert ist, und einen Verbindungkörper (110) aufweist, wobei der Halbleiterchip (104) gebogen ist, um dadurch bei einem zweiten Verbindungsbereich (112) des Halbleiterchips (104) bei einer zweiten vertikalen Ebene (114), welche verschieden von der ersten vertikalen Ebene (108) ist, mit dem Verbindungkörper (110) verbunden zu werden.
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公开(公告)号:DE102016125521B4
公开(公告)日:2020-10-15
申请号:DE102016125521
申请日:2016-12-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: CARDWELL STUART
Abstract: Ein Verfahren, welches ein Beaufschlagen einer gemeinsamen Presskraft aufweist, die wirksam ist:• einen elektronischen Chip (100) mit einem Verbinderkörper (102) mittels einer Verbindungsstruktur (104) zu verbinden und• zu einem Ausbilden des Verbinderkörpers (102) beizutragen, wobei vor dem Ausbilden der Verbinderkörper (102) eine ebene Struktur ist, wobei nach dem Ausbilden der Verbinderkörper (102) in eine dreidimensional gebogene Struktur umgewandelt ist.
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