公开(公告)号：DE102023121373B3

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE102023121373

申请日：2023-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NG CHEE YANG ,  CHUA KOK YAU ,  OTHMAN NURFARENA ,  MOSTOFIZADEH MILAD ,  SOOSAI PRAKASAM JOSEPH VICTOR

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines oder mehrerer Halbleiterpackages, umfassend das Bereitstellen einer Substratschicht (1), die einen oder mehrere elektrische Kontaktbereiche (1A) umfasst, das Verbinden eines Halbleiterchips (2) mit einem der elektrischen Kontaktbereiche (1A), das Bereitstellen eines Wärmeableitungselements (3), das einen oder mehrere Kontaktbereiche (3A) umfasst, das Anbringen eines Bandes (4) an einer Rückseite des Wärmeableitungselements (3), so dass sich gegenüberliegende Enden des Bandes (4) über gegenüberliegende Seitenkanten des Wärmeableitungselements (3) hinaus erstrecken, Verbinden einer Vorderseite des Wärmeableitungselements (3) mit der Halbleiterdie (2) durch Koppeln mindestens eines Kontaktbereichs mit der Halbleiterdie (2), Anordnen eines Formwerkzeugs (5) über dem Wärmeableitungselement (3) und der Substratschicht (1), wobei sich die gegenüberliegenden Enden des Bandes (4) aus dem Formwerkzeug (5) heraus erstrecken, so dass das Band (4) von außerhalb des Formwerkzeugs (5) entfernbar ist, Einfüllen eines Einkapselungsmittels (6) in den Formhohlraum und Entfernen des Bandes (4).

公开(公告)号：DE102017218138B4

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102017218138

申请日：2017-10-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NG CHEE YANG ,  CHIANG CHAU FATT ,  CHUA KOK YAU ,  LEE SWEE KAH ,  SOLOMKO VALENTYN

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/60 ,  H01Q1/38

Abstract: Vorrichtung, aufweisend:ein Substrat (102, 416), das leitfähige Strukturen (108, 408) aufweist und eine erste Oberfläche (104, 404) gegenüber einer zweiten Oberfläche (106, 406) aufweist;leitfähige Säulen (110, 410A, 410B), die über mindestens einer der leitfähigen Strukturen aufgebaut sind und elektrisch mit dieser bzw. diesen gekoppelt sind;eine integrierte Schaltung (522), die über der ersten Oberfläche angeordnet ist und elektrisch mit den leitfähigen Strukturen gekoppelt ist;eine Gussmasse (202) über der ersten Oberfläche des Substrats, wobei eine oder mehrere der leitfähigen Säulen benachbart zu einer oder mehreren Kanten der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet sind und wobei ein Teil (114) von jeder der einen oder der mehreren der leitfähigen Säulen (110, 410A, 410B) an einer seitlichen äußeren Oberfläche der Gussmasse freiliegt, wobei die Vorrichtung ferner eine metallische Antenne (302) über mindestens einem Teil der äußeren Oberfläche der Gussmasse aufweist, die in leitfähigem Kontakt mit dem Teil (114) der einen oder der mehreren der leitfähigen Säulen (110, 410A, 410B) ist und das Teil (114) überlappt.

公开(公告)号：DE102017221082A1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102017221082

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHIANG CHAU FATT ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  GOLLER BERND ,  KILGER THOMAS ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MAIER DOMINIC ,  MUEHLBAUER FRANZ XAVER ,  NG CHEE YANG ,  SEE BENG KEH ,  STEIERT MATTHIAS ,  WAECHTER CLAUS

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst einen Halbleiter-Die, der eine an einer ersten Seite des Halbleiter-Dies angeordnete Sensorstruktur aufweist, und einen ersten Port, der sich von der ersten Seite zu einer zweiten Seite des Halbleiter-Dies gegenüber der ersten Seite durch den Halbleiter-Die erstreckt, um eine Verbindung zur Außenumgebung bereitzustellen. Entsprechende Herstellungsverfahren werden ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102020133672A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：DE102020133672

申请日：2020-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CARDWELL STUART ,  MAERZ JOSEF ,  NG CHEE YANG ,  O DELL CLIVE ,  PAVIER MARK

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: Halbleiterbauelement mit einem leitenden Rahmen, der eine Die-Befestigungsfläche aufweist, die im wesentlichen planar ist, einem Halbleiterdie mit einem ersten Anschluss auf einer Rückseite und einem zweiten Anschluss, der auf einer Hauptoberfläche angeordnet ist, einer ersten leitenden Kontaktstruktur, die auf der Die-Befestigungsfläche angeordnet ist, und einer zweiten leitenden Kontaktstruktur auf der Hauptoberfläche. Die erste leitende Kontaktstruktur erstreckt sich vertikal über eine Ebene der Hauptoberfläche des Halbleiterdies hinaus. Die erste leitende Kontaktstruktur ist von der Hauptoberfläche des Halbleiterdies durch eine elektrische Isolationsstruktur elektrisch isoliert. Eine obere Oberfläche der elektrischen Isolationsstruktur befindet sich unterhalb der Hauptoberfläche des Halbleiterdies.

公开(公告)号：DE102014110552A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110552

申请日：2014-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NG CHEE YANG

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L25/16

Abstract: Ein integriertes Passivbauteilpackage (100) enthält eine Verkapselungsverbindung (102) und mehrere elektrisch leitfähige Kontaktflächen (104), die in die Verkapselungsverbindung (102) eingebettet sind. Jede der Kontaktflächen (104) weist gegenüberliegende erste (105) und zweite (107) Seiten auf. Die erste Seite (105) der Kontaktflächen (104) ist von der Verkapselungsverbindung (102) unbedeckt und bildet eine Gruppierung externer elektrischer Verbindungen auf der ersten Seite des Package (100) aus. Das integrierte Passivbauteilpackage (100) enthält ferner mehrere passive Bauteile (106), die in die Verkapselungsverbindung (102) eingebettet sind. Jedes der passiven Bauteile (106) weist einen ersten Anschluss, der an einer der Kontaktflächen (104) angebracht ist, und einen zweiten Anschluss auf, der an einer anderen der Kontaktflächen (104) auf der zweiten Seite der Kontaktflächen (104) angebracht ist. Es sind außerdem entsprechende Halbleitermodule und Herstellungsverfahren vorgesehen.

公开(公告)号：DE102014117209B4

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：DE102014117209

申请日：2014-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NG CHEE YANG

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L25/16 ,  H04R1/00

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100), umfassend:ein Mikrofonmodul, das auf einem ersten Halbleiterchip (110) implementiert ist, wobei das Mikrofonmodul ein bewegbares Mikrofonelement (112) aufweist, das auf einer Hauptseite (114) des ersten Halbleiterchips (110) angeordnet ist;ein Signalverarbeitungsmodul, das auf einem zweiten, unterschiedlichen Halbleiterchip (120) implementiert ist, wobei der zweite Halbleiterchip an der Hauptseite (114) des ersten Halbleiterchips (110) befestigt ist;einen Leiterrahmen, wobei der Leiterrahmen an einer Rückseite des ersten Halbleiterchips (110) befestigt ist, wobei der Leiterrahmen ein Loch aufweist, das sich durch den Leiterrahmen erstreckt und gegenüberliegend zu dem bewegbaren Mikrofonelement (112) angeordnet ist; undeine Schaltungsplatine aufweist, wobei der Leiterrahmen an der Schaltungsplatine befestigt ist, wobei ein Zwischenraum zwischen dem Leiterrahmen und der Schaltungsplatine um das Loch des Leiterrahmens mit Ausnahme einer Öffnung abgedichtet ist, die in einer bevorzugten Empfindlichkeitsrichtung angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102021125094A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102021125094

申请日：2021-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NG CHEE YANG ,  WOETZEL STEFAN ,  FUERGUT EDWARD ,  GAN THAI KEE ,  LEE CHEE HONG ,  NARAYANASAMY JAYAGANASAN ,  OTREMBA RALF

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Halbleitergehäuse (100) weist: einen Träger (102) mit einem elektrisch isolierenden Körper und einer ersten Kontaktstruktur (108) an einer ersten Seite (104) des elektrisch isolierenden Körpers; und ein Halbleiterchip (116) mit einem ersten Pad, das an der ersten Kontaktstruktur (108) des Trägers (102) angebracht ist, auf, wobei das erste Pad auf Source- oder Emitter-Potential liegt. Das erste Pad ist von einer Kante des Halbleiterchips (116) um einen ersten Abstand nach innen beabstandet. Der Halbleiterchip (116) hat einen Randabschlussbereich zwischen dem Rand und dem ersten Pad. Die erste Kontaktstruktur (108) des Trägers (102) ist von der Kante des Halbleiterchips (116) um einen zweiten Abstand nach innen beabstandet, der größer als der erste Abstand ist, so dass ein elektrisches Feld, das während des normalen Betriebs des Halbleiterchips (116) von dem Kantenabschlussbereich in Richtung des Trägers (102) ausgeht, die erste Kontaktstruktur (108) des Trägers (102) nicht erreicht. Es werden ferner Herstellungsverfahren bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102014116941A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102014116941

申请日：2014-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NG CHEE YANG

IPC: H01L23/552 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterchip mit einer ersten Hauptoberfläche, einer der ersten Hauptoberfläche entgegengesetzten zweiten Hauptoberfläche und einer Seitenwandoberfläche. Ein elektrischer Kontaktbereich ist an der Seitenwandoberfläche des Halbleiterchips freigelegt. Eine elektrisch leitfähige Schicht bedeckt zumindest teilweise die zweite Hauptoberfläche und den elektrischen Kontaktbereich.

公开(公告)号：DE102020129148A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102020129148

申请日：2020-11-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NG CHEE YANG

IPC: H01L23/42 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Chippackages wird bereitgestellt. Das Verfahren kann ein Anordnen eines elastischen Wärmeleitmaterials über einem Halbleiterchip aufweisen, wobei das elastische Wärmeleitmaterial eingerichtet sein kann, Wärme von dem Chip nach außen zu übertragen, das Anordnen einer Form um das Wärmeleitmaterial und zumindest teilweise um den Halbleiterchip, wodurch das elastische Wärmeleitmaterial mittels der Form komprimiert wird, und das Füllen der Form mit einem Verpackungsmaterial.

公开(公告)号：DE102020103553A1

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102020103553

申请日：2020-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NG CHEE YANG ,  CHUA HOCK SIANG ,  MACHEINER STEFAN ,  MAERZ JOSEF ,  OTHMAN NURFARENA ,  SOOSAI PRAKASAM JOSEPH VICTOR ,  TAY HONG HOCK

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L23/367 ,  H01L25/16

Abstract: Ein Halbleitergehäuse beinhaltet einen Rahmen mit einem isolierenden Körper mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche, einer ersten Vielzahl von Metallbahnen an der ersten Hauptfläche und einer ersten Kavität in dem isolierenden Körper. Wärme- und/oder elektrisch leitfähiges Material füllt die erste Kavität im isolierenden Körper und weist eine andere Zusammensetzung als die erste Vielzahl von Metallbahnen auf. Das wärme- und/oder elektrisch leitfähige Material stellt einen wärme- und/oder elektrisch leitfähigen Pfad zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche des isolierenden Körpers dar. Ein Halbleiterchip, der am Rahmen an der ersten Hauptfläche des isolierenden Körpers befestigt ist, ist elektrisch mit der ersten Vielzahl von Metallbahnen und mit dem thermisch und/oder elektrisch leitfähigen Material verbunden, das die erste Kavität im isolierenden Körper füllt. Ein entsprechendes Herstellungsverfahren wird ebenfalls beschrieben.