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    Magnetic encoder element for position measurement
    1.
    发明专利
    Magnetic encoder element for position measurement 有权
    用于位置测量的磁性编码器元件

    公开(公告)号：JP2011099857A

    公开(公告)日：2011-05-19

    申请号：JP2010248016

    申请日：2010-11-05

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： AUSSERLECHNER UDO ,  WERTH TOBIAS ,  SLAMA PETER ,  ZIMMER JUERGEN ,  RABERG WOLFGANG ,  SCHMIDT STEFAN ,  ORASCH MARTIN

    IPC: G01D5/245

    CPC classification number: G01D5/145 ,  G01D5/2457 ,  G01P3/487

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic encoder element for position measurement.
    SOLUTION: A magnetic encoder element for use in a position measurement system including a magnetic field sensor for position measurement along a first direction is disclosed. The encoder element includes at least one first track comprising a material providing a magnetic pattern along the first direction, the magnetic pattern being formed by a remanent magnetization vector that has a variable magnitude dependent on a position along the first direction. The gradient of the remanent magnetization vector is configured such that a resulting magnetic field in a corridor above the first track and at a predefined distance above the plane includes a field component perpendicular to the first direction that does not change its sign along the first direction.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供用于位置测量的磁性编码器元件。 解决方案：一种用于位置测量系统的磁性编码器元件，其包括用于沿第一方向进行位置测量的磁场传感器。 所述编码器元件包括至少一个第一轨道，所述至少一个第一轨道包括沿着所述第一方向提供磁性图案的材料，所述磁图案由具有取决于沿所述第一方向的位置的可变幅度的剩余磁化矢量形成。 剩余磁化强度矢量的梯度被配置为使得在第一轨道之上并且在平面上方的预定距离处的走廊中产生的磁场包括垂直于第一方向的场分量，其不沿着第一方向改变其符号。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    Magnetoresistives Sensormodul und Verfahren zum Herstellen desselben
    2.
    发明专利
    Magnetoresistives Sensormodul und Verfahren zum Herstellen desselben 未知

    公开(公告)号：DE102005047414B4

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：DE102005047414

    申请日：2005-10-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOLB STEFAN ,  PRUEGL KLEMENS ,  ZIMMER JUERGEN

    IPC: H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines magnetoresistiven Sensormoduls (100, 200, 300) mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (102), wobei eine Halbleiterschaltungsanordnung (104) angrenzend an eine Hauptoberfläche (102a) des Halbleitersubstrats (102) in dasselbe integriert ist; Aufbringen einer Metall-Isolator-Anordnung (108) auf die Hauptoberfläche (102a) des Halbleitersubstrats (102), wobei die Metall-Isolator-Anordnung an der Hauptoberfläche (102a) des Halbleitersubstrats (102) angeordnet wird und eine strukturierte Metalllage (108a) und ein Isolationsmaterial (108b), das die strukturierte Metalllage (108a) zumindest teilweise umgibt, aufweist, wobei die strukturierte Metalllage (108a) elektrisch mit der Halbleiterschaltungsanordnung (104) verbunden ist; Planarisieren der Oberfläche des Isolationsmaterials (108b); Erzeugen eines Durchführungskontakts (112) durch das Isolationsmaterial (108b), so dass der Durchführungskontakt (112) mit der strukturierten Metalllage (108a) elektrisch verbunden ist; Planarisieren des Durchführungskontakts (112) vor dem Aufbringen der magnetoresistiven Sensorstruktur (110), so dass der Durchführungskontakt (112) bündig mit der Oberfläche des Isolationsmaterials (108b) abschließt; und Aufbringen einer magnetoresistiven Sensorstruktur (110) auf die...

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007032867A1

    公开(公告)日：2009-01-29

    申请号：DE102007032867

    申请日：2007-07-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RABERG WOLFGANG ,  ZIMMER JUERGEN

    IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09

    Abstract: A magnetic field sensor structure including a first magnetoresistive element in a spin-valve arrangement with a first reference layer structure with a first reference magnetization direction and a second magnetoresistive element in a spin-valve arrangement with a second reference layer structure with a second reference magnetization direction, wherein the first and second magnetoresistive elements are arranged in a layer vertically above each other and galvanically isolated from each other by an intermediate layer, and wherein the first and second reference magnetization directions are different.

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006050833A1

    公开(公告)日：2008-05-08

    申请号：DE102006050833

    申请日：2006-10-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  ALTIS SEMICONDUCTOR SNC

    Inventor： ZIMMER JUERGEN ,  KLOSTERMANN ULRICH ,  ALOF CHRISTIAN

    IPC: H01L43/08 ,  G01R17/00 ,  G01R33/09

    Abstract: A magnetoresistive sensor element has a first magnetic layer structure, a second magnetic layer structure, and a barrier layer. The resistance R1 of the first magnetic layer structure, the resistance R2 of the second magnetic layer structure and resistance-area product RA define a characteristic length lambda of the magnetoresistive sensor element by a functional relation. The contact spacing X0 has an m-fold value of the characteristic length lambda with 0.1 1.

    7.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004032484B3

    公开(公告)日：2005-11-24

    申请号：DE102004032484

    申请日：2004-07-05

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZIMMER JUERGEN ,  SCHMITT STEPHAN ,  RUEHRIG MANFRED

    IPC: G01B7/16 ,  G01B7/24 ,  G01L1/12 ,  G01L9/16

    Abstract: A sensor has a substrate in which a mechanically deformable area is formed. A first magnetostrictive multilayer sensor element and a second magnetostrictive multilayer sensor element are formed in the mechanically deformable area, wherein the first magnetostrictive multilayer sensor element and the second magnetostrictive multilayer sensor element are connected to each other and implemented such that when generating a mechanical deformation of the mechanically deformable area, the electric resistance of the first magnetostrictive multilayer sensor element changes in an opposite way to the electric resistance of the second magnetostrictive multilayer sensor element, or the electric resistance of the first magnetostrictive multilayer sensor element remains unchanged.

    Drift-kompensierte Erfassung einer Richtung eines Magnetfelds
    8.
    发明专利
    Drift-kompensierte Erfassung einer Richtung eines Magnetfelds 未知

    公开(公告)号：DE102018222855A1

    公开(公告)日：2020-06-25

    申请号：DE102018222855

    申请日：2018-12-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KAPSER KONRAD ,  ZIMMER JUERGEN

    IPC: G01R33/09

    Abstract: Ein Magnetfeldsensor zur Erfassung einer Richtung eines Magnetfelds weist einen xMR-Sensor, der ausgelegt ist, um basierend auf dem Magnetfeld ein xMR-Sinussignal und ein xMR-Cosinussignal zu erzeugen, und einen AMR-Sensor, der ausgelegt ist, um basierend auf dem Magnetfeld ein AMR-Sinussignal und/oder ein AMR-Cosinussignal zu erzeugen, auf. Eine Verarbeitungsschaltung ist ausgelegt ist, um die Richtung des Magnetfelds unter Verwendung des xMR-Sinussignals, des xMR-Cosinussignals, einer ersten Phasendifferenz zwischen dem xMR-Sinussignal und dem AMR-Sinussignal oder AMR-Cosinussignal, und einer zweiten Phasendifferenz zwischen dem xMR-Cosinussignal und dem AMR-Sinussignal oder AMR-Cosinussignal zu ermitteln

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