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    Elektronisches Modul mit elektrisch isolierender Struktur mit Material mit niedrigem Elastizitätsmodul
    1.
    发明专利
    Elektronisches Modul mit elektrisch isolierender Struktur mit Material mit niedrigem Elastizitätsmodul 未知

    公开(公告)号：DE102014115099A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：DE102014115099

    申请日：2014-10-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SALMINEN TONI ,  DINKEL MARKUS

    IPC: H01L23/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

    Abstract: Elektronisches Modul (150), aufweisend mindestens einen elektronischen Chip (152), eine Verkapselungsstruktur (154), in welcher der mindestens eine elektronische Chip (152) zumindest teilweise verkapselt ist, eine elektrisch leitfähige Struktur (156) zum elektrisch leitfähigen Kontaktieren des mindestens einen elektronischen Chips (152), und eine elektrisch isolierende Struktur (158, 160), die zumindest teilweise aus einem Material mit niedrigem Elastizitätsmodul ausgebildet ist, wobei eine Variation des Werts des Elastizitätsmoduls in einem Temperaturbereich zwischen –40 °C und +150 °C höchstens 10 GPa beträgt.

    MULTIFUNKTIONALES VERBINDUNGSMODUL UND TRÄGER MIT DARAN BEFESTIGTEM MULTIFUNKTIONALEM VERBINDUNGSMODUL
    2.
    发明专利
    MULTIFUNKTIONALES VERBINDUNGSMODUL UND TRÄGER MIT DARAN BEFESTIGTEM MULTIFUNKTIONALEM VERBINDUNGSMODUL 未知

    公开(公告)号：DE102016111573B4

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：DE102016111573

    申请日：2016-06-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS ,  BABULANO GIULIANO ANGELO ,  CHEN LIU ,  DINKEL MARKUS ,  GRUBER MARTIN ,  JOST FRANZ ,  MEYER THORSTEN ,  MIESLINGER STEFAN ,  OETJEN JENS ,  SALMINEN TONI

    IPC: H01L25/16 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02

    Abstract: Verbindungsmodul, das Folgendes umfasst:eine Metallklemme (702), die einen ersten Endabschnitt (704), einen zweiten Endabschnitt (706) und einen Mittelabschnitt (708), der sich zwischen dem ersten und dem zweiten Endabschnitt (704, 706) erstreckt, umfasst, wobei der erste Endabschnitt (704) zum externen Anbringen an einem/einer Halbleiternacktchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an einem Träger oder an einem Metallbereich des Trägers angebracht ist, konfiguriert ist, der zweite Endabschnitt (706) zum externen Anbringen an einem anderen Metallbereich des Trägers oder an einem/einer anderen Halbleiterchip oder Halbleiterchipbaugruppe, der/die an dem Träger angebracht ist, konfiguriert ist; undeinen Magnetfeldsensor (104), der an der Metallklemme (702) befestigt ist, wobei der Magnetfeldsensor (104) arbeitet, um ein Magnetfeld abzufühlen, das durch Strom produziert wird, der durch die Metallklemme (702) fließt,wobei die Metallklemme (702) in eine Einkapselung (712) eingebettet ist und wobei elektrische Kontaktstellen (714) an einer Seite des Magnetfeldsensors (104) angeordnet sind, die von der Metallklemme (702) weg weist, wobei die elektrischen Kontaktstellen (714) jeweils zum Anbringen eines Bonddrahtes ausgebildet sind, undwobei eine Oberfläche des Mittelabschnitts (708) der Metallklemme (702), die von dem Magnetfeldsensor (104) weg weist, durch die Einkapselung (712) bedeckt ist.

    Vergossenes Halbleitergehäuse mit C-Flügel- und Knickflügelleitungen
    4.
    发明专利
    Vergossenes Halbleitergehäuse mit C-Flügel- und Knickflügelleitungen 未知

    公开(公告)号：DE102018127666A1

    公开(公告)日：2019-05-09

    申请号：DE102018127666

    申请日：2018-11-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOH CHER HAU DANNY ,  CHONG HAI SIN ,  MACHEINER STEFAN ,  POH YONG CHERN ,  SALMINEN TONI ,  SAW KHAY CHWAN

    IPC: H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01R4/02

    Abstract: Eine Halbleitergehäuse hat ein Halbleiterdie, das in einem vergossenen Gehäusekörper eingebettet ist, Leitungen, die mit dem Die elektrisch verbunden sind und von einer Seitenfläche des vergossenen Gehäusekörpers vorstehen, und eine Ausnehmung, die sich von der Seitenfläche nach innen und in eine untere Hauptfläche des vergossenen Gehäusekörpers erstreckt, um eine einzige Nut zu bilden. Die Ausnehmung beginnt unter einem Bereich der Seitenfläche, von dem die Leitungen vorstehen, so dass dieser Bereich der Seitenfläche eben ist und alle Leitungen aus dem vergossenen Gehäusekörper in derselben Ebene austreten. Eine erste Untermenge der Leitungen ist zu dem vergossenen Gehäusekörper nach innen gebogen und in der einzigen Nut gelegen, um eine erste Reihe von Leitungen zu bilden, die für eine Flächenmontage konfiguriert sind. Eine zweite Untermenge der Leitungen erstreckt sich von dem vergossenen Gehäusekörper nach außen, um eine zweite Reihe von Leitungen zu bilden, die für eine Flächenmontage konfiguriert sind.

    Leistungspackage mit integriertem Magnetfeldsensor
    6.
    发明专利
    Leistungspackage mit integriertem Magnetfeldsensor 未知

    公开(公告)号：DE102016111248B4

    公开(公告)日：2021-12-16

    申请号：DE102016111248

    申请日：2016-06-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： CHEN LIU ,  SALMINEN TONI ,  MIESLINGER STEFAN ,  BABULANO GIULIANO ANGELO ,  OETJEN JENS ,  DINKEL MARKUS ,  JOST FRANZ

    IPC: H01L25/16 ,  G01R33/06 ,  H01L23/48 ,  H01L23/62 ,  H01L27/22 ,  H01L43/06

    Abstract: Leistungshalbleiter-Package, umfassend:ein Substrat mit mehreren Metallzuleitungen;einen Leistungshalbleiter-Die, der an einer ersten der Zuleitungen angebracht ist; undeinen Magnetfeldsensor, der in das gleiche Leistungshalbleiter-Package wie der Leistungshalbleiter-Die integriert und in unmittelbarer Nähe zu einem Stromweg des Leistungshalbleiter-Die positioniert ist, wobei der Magnetfeldsensor betätigt werden kann zum Generieren eines Signals als Reaktion auf ein Magnetfeld, das durch einen im Stromweg fließenden Strom erzeugt wird, wobei die Größe des Signals proportional zu der im Stromweg fließenden Strommenge ist, wobei der Magnetfeldsensor:in den Leistungshalbleiter-Die eingebettet ist;auf dem Leistungshalbleiter-Die angeordnet ist; oderauf einem Metallclip angeordnet ist, der in dem Leistungshalbleiter-Package enthalten ist und der eine oder mehrere der Zuleitungen elektrisch mit dem Leistungshalbleiter-Die oder einer anderen der Zuleitungen verbindet.

    Modul mit integriertem Leistungselektronikschaltkreis und Logikschaltkreis und Verfahren zur Zusammenschaltung eines Leistungselektronikschaltkreises mit einem Logikschaltkreis
    7.
    发明专利
    Modul mit integriertem Leistungselektronikschaltkreis und Logikschaltkreis und Verfahren zur Zusammenschaltung eines Leistungselektronikschaltkreises mit einem Logikschaltkreis 未知

    公开(公告)号：DE102015113208B4

    公开(公告)日：2021-08-19

    申请号：DE102015113208

    申请日：2015-08-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： CHEN LIU ,  DINKEL MARKUS ,  SALMINEN TONI

    IPC: H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

    Abstract: Verfahren zur Zusammenschaltung eines Leistungselektronikschaltkreises mit einem Logikschaltkreis, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines ersten Laminierungssubstrats (304) umfassend ein dielektrisches Material (306) und eine Metallfolie (308);Anordnen eines Logik-Leiterplatten-Kerns (200) und eines vorlaminierten Leistungshalbleitermodul-Inlays (302) auf dem ersten Laminierungssubstrat (304), wobei das Leistungshalbleitermodul-Inlay (302) einen oder mehrere Leistungshalbleiterchips (106) umfasst, die vollständig in einem dielektrischen Material (108) eingebettet sind;Anordnen eines zweiten Laminierungssubstrats (312) umfassend ein dielektrisches Material (314) und eine Metallfolie (316) auf dem Logik-Leiterplatten-Kern (200) und dem Leistungshalbleitermodul-Inlay (302), sodass ein Stapel gebildet wird;Laminieren des Stapels;Befestigen eines oder mehrerer Logikchips (118) an der Metallfolie (316) des zweiten Laminierungssubstrats (312) oberhalb des Logik-Leiterplatten-Kerns (200); undAusbilden einer einstückigen elastischen Verbindung (104) zwischen dem Leistungshalbleitermodul-Inlay (302) und dem Logik-Leiterplatten-Kern (200), wobei die einstückige elastische Verbindung (104) das Leistungshalbleitermodul-Inlay (302) mechanisch und elektrisch mit dem Logik-Leiterplatten-Kern (200) verbindet.

    Elektronisches Modul mit elektrisch isolierender Struktur mit Material mit niedrigem Elastizitätsmodul und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls
    8.
    发明专利
    Elektronisches Modul mit elektrisch isolierender Struktur mit Material mit niedrigem Elastizitätsmodul und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls 未知

    公开(公告)号：DE102014115099B4

    公开(公告)日：2021-05-06

    申请号：DE102014115099

    申请日：2014-10-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SALMINEN TONI ,  DINKEL MARKUS

    IPC: H01L23/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

    Abstract: Elektronisches Modul (150), aufweisend:• mindestens einen elektronischen Chip (152);• eine Verkapselungsstruktur (154), in welcher der mindestens eine elektronische Chip (152) zumindest teilweise verkapselt ist;• eine elektrisch leitfähige Struktur (156) zum elektrisch leitfähigen Kontaktieren des mindestens einen elektronischen Chips (152); und• eine elektrisch isolierende Struktur (158, 160), die zumindest teilweise aus einem Material mit niedrigem Elastizitätsmodul ausgebildet ist;• wobei eine Variation des Werts des Elastizitätsmoduls in einem Temperaturbereich zwischen -40 °C und +150 °C höchstens 10 GPa beträgt;• wobei die elektrisch leitfähige Struktur (156) als Umverdrahtung in der elektrisch isolierenden Struktur (158, 160) eingebettet ist, so dass die elektrisch leitfähige Struktur (156) und die elektrisch isolierende Struktur (158, 160) eine Umverdrahtungsebene (400) bilden, an deren einer Hauptfläche (402) der mindestens eine elektronische Chip (152) und die Verkapselungsstruktur (154) angrenzen und an deren anderer Hauptfläche (404) das elektronische Modul (150) an einem elektronischen Peripheriegerät (180) montierbar ist.

    Modul mit integriertem Leistungselektronikschaltkreis und Logikschaltkreis
    9.
    发明专利
    Modul mit integriertem Leistungselektronikschaltkreis und Logikschaltkreis 未知

    公开(公告)号：DE102015113208A1

    公开(公告)日：2016-02-18

    申请号：DE102015113208

    申请日：2015-08-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： CHEN LIU ,  DINKEL MARKUS ,  SALMINEN TONI

    IPC: H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

    Abstract: Ein integriertes Leistungsmodul mit integriertem Leistungselektronikschaltkreis und Logikschaltkreis umfasst ein eingebettetes Leistungshalbleitermodul mit einem oder mehreren Leistungshalbleiterchips, die in einem dielektrischen Material eingebettet sind, eine Mehrschicht-Logik-Leiterplatte mit einem oder mehreren Logikchips, die an einer Oberfläche der Logikleiterplatte befestigt sind, und eine elastische Verbindung, die zwischen dem eingebetteten Leistungshalbleitermodul und der Logikleiterplatte einstückig ausgebildet ist. Die elastische Verbindung verbindet das eingebettete Leistungshalbleitermodul mechanisch mit der Logikleiterplatte und stellt einen elektrischen Pfad zwischen dem eingebetteten Leistungshalbleitermodul und der Logikleiterplatte bereit. Ein Verfahren zur Herstellung des integrierten Leistungsmoduls ist ebenfalls bereitgestellt.

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