公开(公告)号：DE102013102973A1

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：DE102013102973

申请日：2013-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER THOMAS ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MAHLER JOACHIM ,  PRUECKL ANTON ,  SCHMIDT MATTHIAS

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/60 ,  H01L25/04

Abstract: Bei einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterpackage das Bereitstellen eines ersten Die (100) mit Kontaktoberflächen auf einer oberen Oberfläche, aber nicht auf einer gegenüberliegenden unteren Oberfläche, auf. Eine dielektrische Linerschicht (130) wird unter der unteren Oberfläche des ersten Die (100) abgeschieden. Der erste Die (100) wird mit der abgeschiedenen dielektrischen Linerschicht (130) an einem Die-Paddel (110) eines Substrats angebracht.

公开(公告)号：DE102013102973B4

公开(公告)日：2020-11-05

申请号：DE102013102973

申请日：2013-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER THOMAS ,  GRUBER HERMANN ,  HÖCKELE UWE ,  MAHLER JOACHIM ,  PRUECKL ANTON ,  SCHMIDT MATTHIAS

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/60 ,  H01L25/04

Abstract: Halbleiterpackage, das Folgendes aufweist:• ein Substrat;• einen in ein Kapselungsmittel (150) eingebetteten und über dem Substrat angeordneten ersten Die (100);• eine unter dem ersten Die (100) und zwischen dem ersten Die (100) und dem Substrat angeordnete dielektrische Linerschicht (130), wobei die dielektrische Linerschicht (130) eine untere Oberfläche des ersten Die (100) vollständig bedeckt;• eine zwischen dem Substrat und der dielektrischen Linerschicht (130) angeordnete erste Haftschicht (120); und• einen in dem Kapselungsmittel (150) eingebetteten und über dem Substrat angeordneten zweiten Die (200), wobei der zweite Die (200) ein vertikales Bauelement ist mit einem ersten Kontaktgebiet auf einer oberen Oberfläche und einem zweiten Kontaktgebiet auf einer gegenüberliegenden unteren Oberfläche, wobei das zweite Kontaktgebiet elektrisch an das Substrat gekoppelt ist.