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公开(公告)号：DE102009036175B4
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：DE102009036175
申请日：2009-08-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LOEHNDORF MARKUS , RABERG WOLFGANG , SCHOEN FLORIAN
Abstract: MEMS-Silizium-Bauelement (MEMS = mikro-elektromechanisches System) (200; 300), das folgende Merkmale aufweist: ein Resonatorelement (204; 304), das einen magnetischen Abschnitt (206; 306) mit einer feststehenden Magnetisierung aufweist; zumindest ein Sensorelement (208; 308), das einen magnetoresistiven Abschnitt (210; 310) aufweist, wobei eine Magnetisierung und ein Widerstand des magnetoresistiven Abschnitts (210; 310) je nach einer Nähe des magnetischen Abschnitts (206; 306) zu dem Sensorelement (208; 308) variiert; und eine Trägerstruktur (202; 302), die zumindest einen Abschnitt eines Hohlraums (205; 305) definiert, wobei das Resonatorelement (204; 304) in dem Hohlraum (205; 305) angeordnet ist und das zumindest eine Sensorelement (208; 308) einen Teil der Trägerstruktur (202; 302) bildet, wobei das Sensorelement (208; 308) ein erstes Sensorelement, das in der Nähe eines ersten Endes des Resonatorelements (204; 304) angeordnet ist, und ein zweites Sensorelement, das in der Nähe eines zweiten Endes des Resonatorelements (204; 304) angeordnet...
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公开(公告)号：DE102009021957B4
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：DE102009021957
申请日：2009-05-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LOEHNDORF MARKUS , SCHOEN FLORIAN
Abstract: Vorrichtung mit folgenden Merkmalen: einer Silizium-MEMS-Vorrichtung (100), die folgende Merkmale aufweist: – ein Resonanzelement (108), das konfiguriert ist, um sich simultan in einer ersten Bewegungsebene zu bewegen und in Resonanz zu befinden und in einer zweiten Bewegungsrichtung zu bewegen, die senkrecht zu der ersten Bewegungsebene ist; – eine Elektrode (106) mit einer einer ersten Seite des Resonanzelements (108) gegenüberliegenden wirksamen Fläche, die sich verändert, wenn sich das Resonanzelement (108) in der zweiten Bewegungsrichtung bewegt; und – einen Hohlraum (114), der einen Abstand (d) zwischen der Elektrode (106) und der ersten Seite des Resonanzelements (108) definiert, wobei sich der Abstand verändert, wenn sich das Resonanzelement (108) in der ersten Bewegungsebene in Resonanz befindet; einer Oszillatorschaltungsanordnung (122), die mit der Silizium-MEMS-Vorrichtung (100) gekoppelt ist und konfiguriert ist, um eine Referenzfrequenz, die durch die Silizium-MEMS-Vorrichtung erzeugt wird, zu extrahieren; und einer Einrichtung zum Erfassen der Änderung der...
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公开(公告)号：DE102010000818A1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：DE102010000818
申请日：2010-01-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： NAWAZ MOSHIN , SCHOEN FLORIAN , WINKLER BERNHARD
Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf MEMS-Bauelemente. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst ein mikroelektromechanisches-System-(MEMS-)Bauelement ein Resonatorelement mit einem Umfang, eine Ankerregion und eine Mehrzahl von Balkenelementen, die die Ankerregion und das Resonatorelement koppeln. Weitere Ausführungsbeispiele umfassen zusätzliche Bauelemente, Systeme und Verfahren.
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公开(公告)号：DE102009021957A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：DE102009021957
申请日：2009-05-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LOEHNDORF MARKUS , SCHOEN FLORIAN
Abstract: The invention relates to MEMS resonators. In one embodiment, an integrated resonator and sensor device includes a micro-electromechanical system (MEMS) resonator, and an anchor portion coupled to the MEMS resonator and configured to allow resonance of the MEMS resonator in a first plane of motion and movement of the MEMS resonator in a second plane of motion. In other embodiments, additional apparatuses, devices, systems and methods are disclosed.
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公开(公告)号：DE102010000818B4
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：DE102010000818
申请日：2010-01-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： NAWAZ MOSHIN , SCHOEN FLORIAN , WINKLER BERNHARD
Abstract: Mikroelektromechanisches-System-(MEMS-)Bauelement, das folgende Merkmale umfasst: ein Resonatorelement (402; 502; 602; 702) mit einem Umfang; eine Elektrode (404; 504; 604; 706), die von dem Resonatorelement (402; 502; 602; 702) beabstandet ist; eine Ankerregion (608; 708), die zumindest eine Öffnung umfasst; eine Mehrzahl von Balkenelementen, die die Ankerregion (608; 708) und das Resonatorelement (402; 502; 602; 702) koppeln; eine Mehrzahl von Masseelementen (420; 520; 620; 720), die auf dem Resonatorelement (402; 502; 602; 702) gebildet sind und die jeweils zumindest eine Öffnung (422; 522; 622; 722) umfassen.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102010029284A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：DE102010029284
申请日：2010-05-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： NAWAZ MOHSIN , SARAROIU MIHAIL , SCHOEN FLORIAN
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公开(公告)号：DE102009034231A1
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：DE102009034231
申请日：2009-07-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GRUENBERGER ROBERT , NAWAZ MOHSIN , SCHOEN FLORIAN , WINKLER BERNHARD
Abstract: The invention relates to MEMS devices. In one embodiment, a micro-electromechanical system (MEMS) device comprises a resonator element comprising a semiconducting material, and at least one trench formed in the resonator element and filled with a material comprising oxide. Further embodiments comprise additional devices, systems and methods.
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公开(公告)号：DE102008062499A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：DE102008062499
申请日：2008-12-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RABERG WOLFGANG , SCHOEN FLORIAN , WEBER WERNER , WINKLER BERNHARD
Abstract: Micro-electromechanical system (MEMS) devices and methods of manufacture thereof are disclosed. In one embodiment, a MEMS device includes a first semiconductive material and at least one trench disposed in the first semiconductive material, the at least one trench having a sidewall. An insulating material layer is disposed over an upper portion of the sidewall of the at least one trench in the first semiconductive material and over a portion of a top surface of the first semiconductive material proximate the sidewall. A second semiconductive material or a conductive material is disposed within the at least one trench and at least over the insulating material layer disposed over the portion of the top surface of the first semiconductive material proximate the sidewall.
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公开(公告)号：DE102009031545B4
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：DE102009031545
申请日：2009-07-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHOEN FLORIAN
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Mikroelektromechanischen-System-(MEMS-)Bauelements, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Werkstücks (102; 202; 302), wobei das Werkstück (102; 202; 302) einen Volumenhalbleiterwafer umfasst; Implantieren einer Substanz in einen Abschnitt des Werkstücks (102; 202; 302), wodurch eine vergrabene isolierende Materialschicht (114; 214; 314) mit einem Umfang unterhalb einer oberen Oberfläche des Werkstücks (102; 202; 302) gebildet wird; Strukturieren eines oberen Abschnitts des Werkstücks (102; 202; 302), um einen über der vergrabenen isolierenden Materialschicht (114; 214; 314) entlang des Umfangs derselben angeordneten Graben (126) zu erzeugen, der sich bis zu der vergrabenen isolierenden Materialschicht (114; 214; 314) erstreckt; Füllen von zumindest einem Teil des Grabens (126) des Werkstücks (102; 202; 302) mit zumindest einem isolierenden Material, wodurch ein Isolationsring (128; 328) in dem oberen Abschnitt des Werkstücks (102; 202; 302) gebildet wird, wobei das isolierende Material in dem Graben (126), das an die vergrabene isolierende Materialschicht (114; 214; 314) angrenzt, eine Ätzselektivität zu der vergrabenen isolierenden Materialschicht (114; 214; 314) aufweist; und Bilden eines beweglichen Elements (144a; 344a) in dem oberen Abschnitt des Werkstücks (102; 202; 302), der von dem Isolationsring (128; 328) umgeben ist, wobei das Bilden des beweglichen Elements (144a; 344a) das Bilden von zumindest einem Loch (140; 340) nahe dem beweglichen Element (144a; 344a) umfasst, und das Entfernen von zumindest einem Abschnitt der vergrabenen isolierenden Materialschicht (114; 214; 314) durch das zumindest eine Loch (140), wodurch das bewegliche Element (144a; 344a), das den oberen Abschnitt des Werkstücks (102; 202; 302) umfasst, innerhalb des Isolationsrings (128; 328) gebildet wird, wobei durch die Ätzselektivität die vergrabene isolierende Materialschicht (114; 214; 314) unterhalb des Isolationsrings (128; 328) entfernt wird und der Isolationsring (128; 328) stehen bleibt.
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公开(公告)号：DE102008062499B4
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：DE102008062499
申请日：2008-12-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RABERG WOLFGANG , SCHOEN FLORIAN , WEBER WERNER , WINKLER BERNHARD
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Mikroelektromechanisches-System-Bauelements (MEMS-Bauelements), wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Arbeitsstücks (102; 202), wobei das Arbeitsstück ein Substrat (104), eine auf dem Substrat (104) angeordnete vergrabene Oxidschicht (106, 206, 306, 406) und ein auf der vergrabenen Oxidschicht (106, 206, 306, 406) angeordnetes erstes halbleitendes Material (108, 208, 308, 408) aufweist, wobei das erste halbleitende Material (108, 208, 308, 408) eine obere Oberfläche aufweist; Bilden zumindest eines Grabens (110, 210, 310, 410) in dem ersten halbleitenden Material (108, 208, 308, 408), wobei eine obere Oberfläche der vergrabenen Oxidschicht (106, 206, 306, 406) an dem Boden des zumindest einen Grabens (110, 210, 310, 410) freigelegt wird, wobei der zumindest eine Graben (110, 210, 310, 410) eine erste Seitenwand und eine der ersten Seitenwand gegenüberliegende zweite Seitenwand aufweist; Bilden einer Isoliermaterialschicht (240; 115; 215; 315; 415; 515) auf der oberen Oberfläche des ersten halbleitenden Materials...
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