公开(公告)号：DE102009021244B4

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：DE102009021244

申请日：2009-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUENBERGER ROBERT ,  MUELLER KARLHEINZ ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764

Abstract: MEMS-Bauelement (100), das folgende Merkmale aufweist: eine Halbleiterschicht (3, 4, 5), die über einem Substrat (1) angeordnet ist; eine erste isoliend der Halbleiterschicht (3, 4, 5) angeordnet ist; einen Graben (31), der in der Halbleiterschicht (3, 4, 5) angeordnet ist, wobei der Graben (31) eine erste Seitenwand und eine gegenüberliegende zweite Seitenwand aufweist; eine zweite isolierende Materialschicht (16), die auf einem oberen Teil der ersten Seitenwand angeordnet ist; ein leitfähiges Material (17), das innerhalb des Grabens (31) angeordnet ist; und einen Luftzwischenraum (47), der durch Entfernen der zweiten isolierenden Materialschicht (16) zwischen dem leitfähigen Material (17) und der zweiten Seitenwand und durch Entfernen eines Teils der ersten isolierenden Schicht (2) zwischen dem leitfähigen Material (17), der Halbleiterschicht (3, 4, 5) und dem Substrat (1) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschicht (3, 4, 5) einen Resonatorabschnitt aufweist,...

公开(公告)号：DE102013100156A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：DE102013100156

申请日：2013-01-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AUSSERLECHNER UDO ,  GRUENBERGER ROBERT ,  STRUTZ VOLKER ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  WABNIG SIGRID

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/15 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L43/06

Abstract: In einer Ausführungsform enthält ein Halbleiterbaustein (130) einen isolierenden Behälter (1410) mit einer Aussparung, die einen inneren Membranabschnitt und einen äußeren Randabschnitt bildet. Der Randabschnitt ist dicker als der Membranabschnitt. Der Baustein (130) enthält einen Halbleiterchip, der in der Aussparung angeordnet ist, und eine Rückwand (1405), die unter dem Membranabschnitt des isolierenden Behälters (1410) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102009021244A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：DE102009021244

申请日：2009-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUENBERGER ROBERT ,  MUELLER KARLHEINZ ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764

公开(公告)号：DE102020110473A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102020110473

申请日：2020-04-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDL FLORIAN ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  GRUENBERGER ROBERT ,  WAECHTER CLAUS ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche angeordnet ist; einen spannungsempfindlichen Sensor, der bei der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, wobei der spannungsempfindliche Sensor empfindlich für mechanische Spannung ist; einen Spannungsentkopplungsgraben, der eine vertikale Ausdehnung hat, die sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der Spannungsentkopplungsgraben vertikal teilweise in das Substrat in Richtung der zweiten Oberfläche, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche erstreckt; und eine Vielzahl von Partikelfiltergräben, die sich vertikal von der zweiten Oberfläche in das Substrat erstrecken, wobei jeder der Vielzahl von Partikelfiltergräben eine longitudinale Ausdehnung aufweist, die sich orthogonal zu der vertikalen Ausdehnung des Spannungsentkopplungsgrabens erstreckt.

公开(公告)号：DE102020108740A1

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE102020108740

申请日：2020-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDL FLORIAN ,  GRUENBERGER ROBERT ,  LANGHEINRICH WOLFRAM

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01D11/24 ,  G01L9/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Halbleiterchip, der ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche beinhaltet; einen spannungsempfindlichen Sensor, der bei der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, wobei der spannungsempfindliche Sensor empfindlich gegenüber mechanischer Spannung ist; ein erstes Paar benachbarter Spannungsentkopplungsgräben, die lateral von einer ersten lateralen Seite des spannungsempfindlichen Sensors angeordnet sind, wobei sich jeder Spannungsentkopplungsgräben des ersten Paares benachbarter Spannungsentkopplungsgräben teilweise von der ersten Oberfläche in das Substrat in Richtung der zweiten Oberfläche erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche; und eine erste Federstruktur, die zwischen dem ersten Paar benachbarter Spannungsentkopplungsgräben ausgebildet ist, so dass die erste Federstruktur lateral von dem spannungsempfindlichen Sensor angeordnet ist und dazu ausgelegt ist, externe Spannung von einer Umgebung zu absorbieren.

公开(公告)号：DE102020105272A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102020105272

申请日：2020-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK ,  BRANDL FLORIAN ,  GRUENBERGER ROBERT ,  LANGHEINRICH WOLFRAM ,  LUBER SEBASTIAN ,  MEIER ROLAND ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Halbleiterchip, der ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche beinhaltet; mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben, der sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der mindestens eine Spannungsentkopplungsgraben teilweise in das Substrat zur zweiten Oberfläche hin erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche; ein mikroelektromechanisches System (MEMS)-Element, beinhaltend einen empfindlichen Bereich, das an der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet und seitlich von dem mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben beabstandet ist; und ein Spannungsentkopplungsmaterial, das den mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben füllt und den empfindlichen Bereich des MEMS-Elements bedeckt.

公开(公告)号：DE102009034231A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：DE102009034231

申请日：2009-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUENBERGER ROBERT ,  NAWAZ MOHSIN ,  SCHOEN FLORIAN ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/42

Abstract: The invention relates to MEMS devices. In one embodiment, a micro-electromechanical system (MEMS) device comprises a resonator element comprising a semiconducting material, and at least one trench formed in the resonator element and filled with a material comprising oxide. Further embodiments comprise additional devices, systems and methods.