公开(公告)号：DE102014117954A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014117954

申请日：2014-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  JÄGER CHRISTIAN ,  MAHLER JOACHIM ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PRÜCKL ANTON ,  SCHWARZ PATRICK ,  SCHWAGMANN ANDRE ,  PEDONE DANIEL

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/58

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen ersten Lastanschluss (L1), der elektrisch mit einer Sourcezone (110) einer Transistorzelle (TC) gekoppelt ist. Ein Gateanschluss (G) ist elektrisch mit einer Gateelektrode (155) gekoppelt, die kapazitiv mit einer Bodyzone (115) der Transistorzelle (TC) gekoppelt ist. Die Source- und Bodyzonen (110, 115) sind in einem Halbleiterteil (100) ausgebildet. Ein thermoresistives Element (400) ist thermisch mit dem Halbleiterteil (100) verbunden und elektrisch zwischen dem Gateanschluss (G) und dem ersten Lastanschluss (L1) gekoppelt. Über einer maximalen Betriebstemperatur (TJMax), die für die Halbleitervorrichtung festgelegt ist, nimmt ein elektrischer Widerstand des thermoresistiven Elementes (400) um wenigstens zwei Größenordnungen innerhalb einer kritischen Temperaturspanne von höchstens 50 Kelvin ab.

公开(公告)号：DE102015212464B4

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102015212464

申请日：2015-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWAGMANN ANDRE ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (1) mit einem ersten Lastanschluss (11), einem zweiten Lastanschluss (12) und einem Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) eine Aktivregion (13) umfasst, die ausgebildet ist zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12), sowie eine die Aktivregion (13) umgebende Übergangsabschlussregion (14), wobei der Halbleiterkörper (10) beinhaltet- eine Driftschicht (101), die sowohl in der Aktivregion (13) und in der Übergangsabschlussregion (14) angeordnet ist, und die Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Driftschicht-Dotierstoffkonzentration von weniger als 10cmaufweist;- ein Bodygebiet (16), das in der Aktivregion (13) angeordnet ist und das Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyp ist, aufweist, und das die Driftschicht (101) von dem ersten Lastanschluss (11) isoliert;- ein Schutzgebiet (17), das in der Übergangsabschlussregion (14) angeordnet ist und das Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst, und das ausgebildet ist, eine Verarmungsregion, die durch einen Übergang zwischen der Driftschicht (101) und dem Bodygebiet (16) gebildet wird, zu vergrößern;- ein Feldstoppgebiet (18-1), das benachbart zum Schutzgebiet (17) angeordnet ist, wobei das Feldstoppgebiet Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Feldstoppgebiet-Dotierstoffkonzentration aufweist, die um wenigstens einen Faktor von 2 größer ist als die Driftschicht-Dotierstoffkonzentration; und- ein Niedrigdotiergebiet (18-2), das benachbart zum Feldstoppgebiet (18-1) angeordnet ist, wobei das Niedrigdotiergebiet (18-2) Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Dotierstoffkonzentration aufweist, die um wenigstens einen Faktor von 1,5 niedriger ist als die Driftschicht-Dotierstoffkonzentration, und wobei das Bodygebiet (16), das Schutzgebiet (17), das Feldstoppgebiet (18-1) und das Niedrigdotiergebiet (18-2) derart im Halbleiterkörper (10) angeordnet sind, dass sie einen gemeinsamen Tiefenerstreckungsbereich (DR) von wenigstens 1 µm entlang einer vertikalen Erstreckungsrichtung (Z) aufweisen.

公开(公告)号：DE102014117954B4

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：DE102014117954

申请日：2014-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  JÄGER CHRISTIAN ,  MAHLER JOACHIM ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PRÜCKL ANTON ,  SCHWARZ PATRICK ,  SCHWAGMANN ANDRE ,  PEDONE DANIEL

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/58

Abstract: Leistungshalbleiterschaltvorrichtung, umfassend:eine erste Lastelektrode (310), die elektrisch mit einer Sourcezone (110) einer Transistorzelle (TC) gekoppelt ist,einen Gateleiter (330), der elektrisch mit einer Gateelektrode (155) gekoppelt ist, die kapazitiv mit einer Bodyzone (115) der Transistorzelle (TC) gekoppelt ist, wobei die Source- und Bodyzonen (110, 115) in einem Halbleiterteil (100) gebildet sind, undein thermoresistives Element (400), das thermisch mit dem Halbleiterteil (100) verbunden ist, direkt an die erste Lastelektrode (310) und an den Gateleiter (330) oder die Gateelektrode (155) angrenzt und elektrisch zwischen dem Gateleiter (330) und der ersten Lastelektrode (310) gekoppelt ist, und wobei über einer maximalen Betriebstemperatur (TJMax), die für die Halbleitervorrichtung spezifiziert ist, ein elektrischer Widerstand des thermoresistiven Elementes (400) um wenigstens zwei Größenordnungen innerhalb einer kritischen Temperaturspanne von höchstens 50 Kelvin abnimmt.

公开(公告)号：DE102015212464A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：DE102015212464

申请日：2015-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWAGMANN ANDRE ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/768 ,  H01L29/772

Abstract: Halbleiterbauelement (1) mit einem ersten Lastanschluss (11), einem zweiten Lastanschluss (12) und einem Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) eine Aktivregion (13) umfasst, die ausgebildet ist zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12), sowie eine die Aktivregion (13) umgebende Übergangsabschlussregion (14), wobei der Halbleiterkörper (10) beinhaltet: eine Driftschicht (101), die sowohl in der Aktivregion (13) und in der Übergangsabschlussregion (14) angeordnet ist, und die Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Driftschicht-Dotierstoffkonzentration von weniger als 1014 cm–3 aufweist; ein Bodygebiet (16), das in der Aktivregion (13) angeordnet ist und das Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyp ist, aufweist, und das die Driftschicht (101) von dem ersten Lastanschluss (11) isoliert; ein Schutzgebiet (17), das in der Übergangsabschlussregion (14) angeordnet ist und das Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst, und das ausgebildet ist, eine Verarmungsregion, die durch einen Übergang zwischen der Driftschicht (101) und dem Bodygebiet (16) gebildet wird, zu vergrößern; ein Feldstoppgebiet (18-1), das benachbart zum Schutzgebiet (17) angeordnet ist, wobei das Feldstoppgebiet Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Feldstoppgebiet-Dotierstoffkonzentration aufweist, die um wenigstens einen Faktor von 2 größer ist als die Driftschicht-Dotierstoffkonzentration; und ein Niedrigdotiergebiet (18-2), das benachbart zum Feldstoppgebiet (18-1) angeordnet ist, wobei das Niedrigdotiergebiet (18-2) Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps bei einer Dotierstoffkonzentration aufweist, die um wenigstens einen Faktor von 1,5 niedriger ist als die Driftschicht-Dotierstoffkonzentration, und wobei das Bodygebiet (16), das Schutzgebiet (17), das Feldstoppgebiet (18-1) und das Niedrigdotiergebiet (18-2) derart im Halbleiterkörper (10) angeordnet sind, dass sie einen gemeinsamen Tiefenerstreckungsbereich (DR) von wenigstens 1 μm entlang einer vertikalen Erstreckungsrichtung (Z) aufweisen.