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公开(公告)号：DE102014117954B4
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：DE102014117954
申请日：2014-12-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG , JÄGER CHRISTIAN , MAHLER JOACHIM , SCHULZE HANS-JOACHIM , PRÜCKL ANTON , SCHWARZ PATRICK , SCHWAGMANN ANDRE , PEDONE DANIEL
Abstract: Leistungshalbleiterschaltvorrichtung, umfassend:eine erste Lastelektrode (310), die elektrisch mit einer Sourcezone (110) einer Transistorzelle (TC) gekoppelt ist,einen Gateleiter (330), der elektrisch mit einer Gateelektrode (155) gekoppelt ist, die kapazitiv mit einer Bodyzone (115) der Transistorzelle (TC) gekoppelt ist, wobei die Source- und Bodyzonen (110, 115) in einem Halbleiterteil (100) gebildet sind, undein thermoresistives Element (400), das thermisch mit dem Halbleiterteil (100) verbunden ist, direkt an die erste Lastelektrode (310) und an den Gateleiter (330) oder die Gateelektrode (155) angrenzt und elektrisch zwischen dem Gateleiter (330) und der ersten Lastelektrode (310) gekoppelt ist, und wobei über einer maximalen Betriebstemperatur (TJMax), die für die Halbleitervorrichtung spezifiziert ist, ein elektrischer Widerstand des thermoresistiven Elementes (400) um wenigstens zwei Größenordnungen innerhalb einer kritischen Temperaturspanne von höchstens 50 Kelvin abnimmt.
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公开(公告)号：DE102020129423A1
公开(公告)日：2022-05-12
申请号：DE102020129423
申请日：2020-11-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FUERGUT EDWARD , HONG CHII SHANG , LEE TECK SIM , OTREMBA RALF , PEDONE DANIEL , SCHMOELZER BERND
IPC: H01L23/31 , H01L21/58 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/495
Abstract: Ein Package (100) zum Montieren auf einer Montagebasis (102), wobei das Package (100) einen Träger (106), eine elektronische Komponente (108), welche an dem Träger (106) montiert ist, Leiter (110), welche mit der elektronischen Komponente (108) elektrisch gekoppelt sind und mit der Montagebasis (102) elektrisch zu koppeln sind, und einen linearen Abstandshalter (112) zum Definieren eines Abstands in Bezug auf den Träger (106) aufweist.
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公开(公告)号：DE102014117954A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：DE102014117954
申请日：2014-12-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG , JÄGER CHRISTIAN , MAHLER JOACHIM , SCHULZE HANS-JOACHIM , PRÜCKL ANTON , SCHWARZ PATRICK , SCHWAGMANN ANDRE , PEDONE DANIEL
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen ersten Lastanschluss (L1), der elektrisch mit einer Sourcezone (110) einer Transistorzelle (TC) gekoppelt ist. Ein Gateanschluss (G) ist elektrisch mit einer Gateelektrode (155) gekoppelt, die kapazitiv mit einer Bodyzone (115) der Transistorzelle (TC) gekoppelt ist. Die Source- und Bodyzonen (110, 115) sind in einem Halbleiterteil (100) ausgebildet. Ein thermoresistives Element (400) ist thermisch mit dem Halbleiterteil (100) verbunden und elektrisch zwischen dem Gateanschluss (G) und dem ersten Lastanschluss (L1) gekoppelt. Über einer maximalen Betriebstemperatur (TJMax), die für die Halbleitervorrichtung festgelegt ist, nimmt ein elektrischer Widerstand des thermoresistiven Elementes (400) um wenigstens zwei Größenordnungen innerhalb einer kritischen Temperaturspanne von höchstens 50 Kelvin ab.
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公开(公告)号：DE102015107041A1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：DE102015107041
申请日：2015-05-06
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： FAISS SIMON , HENNECK STEPHAN , NAPETSCHNIG EVELYN , NIKITIN IVAN , PEDONE DANIEL , WEIDGANS BERNHARD
IPC: H01L21/283 , H01L21/60 , H01L23/482
Abstract: Ein Verfahren (200) zum Bearbeiten eines Halbleiterbauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann aufweisen: Abscheiden einer ersten Metallisierungsschicht über einem Halbleiterwerkstück (202); Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht (204); und Abscheiden einer zweiten Metallisierungsschicht über der strukturierten ersten Metallisierungsschicht, wobei das Abscheiden der zweiten Metallisierungsschicht einen stromlosen Abscheidungsprozess aufweist, der ein Eintauchen der strukturierten ersten Metallisierungsschicht in einen Metallelektrolyt aufweist (206).
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