公开(公告)号：DE102014117954B4

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：DE102014117954

申请日：2014-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  JÄGER CHRISTIAN ,  MAHLER JOACHIM ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PRÜCKL ANTON ,  SCHWARZ PATRICK ,  SCHWAGMANN ANDRE ,  PEDONE DANIEL

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/58

Abstract: Leistungshalbleiterschaltvorrichtung, umfassend:eine erste Lastelektrode (310), die elektrisch mit einer Sourcezone (110) einer Transistorzelle (TC) gekoppelt ist,einen Gateleiter (330), der elektrisch mit einer Gateelektrode (155) gekoppelt ist, die kapazitiv mit einer Bodyzone (115) der Transistorzelle (TC) gekoppelt ist, wobei die Source- und Bodyzonen (110, 115) in einem Halbleiterteil (100) gebildet sind, undein thermoresistives Element (400), das thermisch mit dem Halbleiterteil (100) verbunden ist, direkt an die erste Lastelektrode (310) und an den Gateleiter (330) oder die Gateelektrode (155) angrenzt und elektrisch zwischen dem Gateleiter (330) und der ersten Lastelektrode (310) gekoppelt ist, und wobei über einer maximalen Betriebstemperatur (TJMax), die für die Halbleitervorrichtung spezifiziert ist, ein elektrischer Widerstand des thermoresistiven Elementes (400) um wenigstens zwei Größenordnungen innerhalb einer kritischen Temperaturspanne von höchstens 50 Kelvin abnimmt.

公开(公告)号：DE102014117954A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014117954

申请日：2014-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  JÄGER CHRISTIAN ,  MAHLER JOACHIM ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PRÜCKL ANTON ,  SCHWARZ PATRICK ,  SCHWAGMANN ANDRE ,  PEDONE DANIEL

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/58

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen ersten Lastanschluss (L1), der elektrisch mit einer Sourcezone (110) einer Transistorzelle (TC) gekoppelt ist. Ein Gateanschluss (G) ist elektrisch mit einer Gateelektrode (155) gekoppelt, die kapazitiv mit einer Bodyzone (115) der Transistorzelle (TC) gekoppelt ist. Die Source- und Bodyzonen (110, 115) sind in einem Halbleiterteil (100) ausgebildet. Ein thermoresistives Element (400) ist thermisch mit dem Halbleiterteil (100) verbunden und elektrisch zwischen dem Gateanschluss (G) und dem ersten Lastanschluss (L1) gekoppelt. Über einer maximalen Betriebstemperatur (TJMax), die für die Halbleitervorrichtung festgelegt ist, nimmt ein elektrischer Widerstand des thermoresistiven Elementes (400) um wenigstens zwei Größenordnungen innerhalb einer kritischen Temperaturspanne von höchstens 50 Kelvin ab.

公开(公告)号：DE102017122865B3

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102017122865

申请日：2017-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MAHLER JOACHIM ,  MEYER THORSTEN ,  MEYER-BERG GEORG ,  NIKITIN IVAN ,  PUFALL REINHARD ,  RIEDL EDMUND ,  SCHMIDT KLAUS ,  SCHWARZ PATRICK ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/58 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

Abstract: Eine metallische Zwischenverbindung und eine Halbleiteranordnung, die sie enthält, wobei ein Verfahren zu ihrer Herstellen Folgendes enthalten kann: Bereitstellen einer ersten Struktur, die eine erste metallische Schicht enthält, die vorstehende erste Mikrostrukturen aufweist; Bereitstellen einer zweiten Struktur, die eine zweite metallische Schicht enthält, die vorstehende zweite Mikrostrukturen aufweist; Kontaktieren der ersten und zweiten Mikrostrukturen, um eine mechanische Verbindung zwischen den Strukturen zu bilden, wobei die mechanische Verbindung konfiguriert ist, die Durchdringung eines Fluids zu erlauben; Entfernen einer oder mehrerer nichtmetallischer Verbindungen auf der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht mit einem Reduktionsmittel, das die mechanische Verbindung durchdringt und mit der einen oder den mehreren nichtmetallischen Verbindungen reagiert; und Erwärmen der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht auf eine Temperatur, die eine Zwischendiffusion der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht verursacht, um die metallische Zwischenverbindung zwischen den Strukturen zu bilden.