公开(公告)号：DE102017103310A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102017103310

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MISCHITZ MARTIN ,  SGIAROVELLO CLAUDIA ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/525 ,  H01L27/118

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Wafers. Das Verfahren umfasst eine Bereitstellen eines Wafers, der eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungsstrukturen aufweist, und ein Prüfen mindestens einer aus der Vielzahl von Halbleitervorrichtungsstrukturen. Auf der Grundlage eines Prüfergebnisses wird auf einem ausgewählten Abschnitt des Wafers eine Substanz bereitgestellt, die ein Schaltkreiselement in mindestens einer aus der Vielzahl von Halbleitervorrichtungsstrukturen selektiv konfiguriert.

公开(公告)号：DE102018114070A1

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102018114070

申请日：2018-06-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MISCHITZ MARTIN ,  HUBER HARALD ,  KNABL MICHAEL ,  SGIAROVELLO CLAUDIA ,  TRAVAN CATERINA ,  WOOD ANDREW CHRISTOPHER GRAEME

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauelemente auf einem Wafer umfasst das Verfahren Bilden einer Strukturschicht (220), die mehrere gleiche Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) umfasst (S120), und Bereitstellen einer Schutzschicht (230) auf der Strukturschicht (220) (S150). Die Schutzschicht (230) auf einer ersten (221) der mehreren Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) unterscheidet sich von der Schutzschicht (230) auf einer zweiten (222) der mehreren Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) .