公开(公告)号：DE102018132447A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102018132447

申请日：2018-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

Abstract: Vorgesehen werden ein Hilfsträger (680) und ein Siliziumcarbid-Substrat (700). Das Siliziumcarbid-Substrat (700) enthält eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) zwischen einer Hauptoberfläche (701) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) und der Hilfsschicht (760). Die Vorrichtungsschicht (750) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650), wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt. Der Hilfsträger (680) ist mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden. Die Hilfsschicht (760) wird entfernt. Eine Ausformungsstruktur (400) wird ausgebildet, die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt. Die Vorrichtungsgebiete (650) werden getrennt, wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

公开(公告)号：DE102018114070A1

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102018114070

申请日：2018-06-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MISCHITZ MARTIN ,  HUBER HARALD ,  KNABL MICHAEL ,  SGIAROVELLO CLAUDIA ,  TRAVAN CATERINA ,  WOOD ANDREW CHRISTOPHER GRAEME

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauelemente auf einem Wafer umfasst das Verfahren Bilden einer Strukturschicht (220), die mehrere gleiche Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) umfasst (S120), und Bereitstellen einer Schutzschicht (230) auf der Strukturschicht (220) (S150). Die Schutzschicht (230) auf einer ersten (221) der mehreren Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) unterscheidet sich von der Schutzschicht (230) auf einer zweiten (222) der mehreren Halbleiterbauelementstrukturen (221, 222) .

公开(公告)号：DE102018132447B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102018132447

申请日：2018-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KNABL MICHAEL ,  PICCIN MATTEO ,  DENIFL GÜNTER ,  KERN RONNY

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (500), wobei das Verfahren aufweist:Vorsehen eines Hilfsträgers (680) und eines Siliziumcarbid-Substrats (700),wobei das Siliziumcarbid-Substrat (700) eine Hilfsschicht (760) und eine Vorrichtungsschicht (750) aufweist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) zwischen der Hilfsschicht (760) und einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbid-Substrats (700) an einer Vorderseite des Siliziumcarbid-Substrats (700) gelegen ist,wobei die Vorrichtungsschicht (750) eine Vielzahl lateral getrennter Vorrichtungsgebiete (650) aufweist,wobei sich jedes Vorrichtungsgebiet (650) von der Hauptoberfläche (701) zur Hilfsschicht (760) erstreckt, undwobei der Hilfsträger (680) mit dem Siliziumcarbid-Substrat (700) an der Vorderseite strukturell verbunden ist;Entfernen der Hilfsschicht (760);Ausbilden, nach Entfernen der Hilfsschicht (760), einer Ausformungsstruktur (400), die eine gitterförmige Vertiefung (770) füllt, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral trennt;Entfernen des Hilfsträgers (680) nach Ausbilden der Ausformungsstruktur (400); undTrennen der Vorrichtungsgebiete (650), wobei Teile der Ausformungsstruktur (400) Rahmenstrukturen (480) bilden, die die Vorrichtungsgebiete (650) lateral umgeben.

公开(公告)号：DE102019110402A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019110402

申请日：2019-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KUENLE MATTHIAS ,  VOSS STEPHAN ,  MOSER ANDREAS ,  GRIEBL ERICH ,  KNABL MICHAEL ,  RUPP ROLAND ,  SGOURIDIS SOKRATIS

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers ist vorgeschlagen. Das Verfahren kann ein Reduzieren einer Dicke des Halbleiterwafers umfassen. Eine Trägerstruktur wird auf einer ersten Seite des Halbleiterwafers platziert, z. B. vor oder nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Das Verfahren umfasst ferner ein Bereitstellen einer Stützstruktur auf einer zweiten Seite des Halbleiterwafers gegenüber der ersten Seite, z. B. nach dem Reduzieren der Dicke des Halbleiterwafers. Es werden Verfahren zum Schweißen einer Stützstruktur auf einen Halbleiterwafer vorgeschlagen. Ferner werden Halbleiter-Verbundstrukturen mit auf einen Halbleiterwafer geschweißten Stützstrukturen vorgeschlagen.

公开(公告)号：DE102013107787B4

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：DE102013107787

申请日：2013-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BREYMESSER ALEXANDER ,  BROCKMEIER ANDRE ,  KNABL MICHAEL ,  MEYER URSULA ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L23/46 ,  H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04

Abstract: Chipbaugruppe (310), aufweisend: eine erste Verkapselungsstruktur (202); eine über der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildete erste Passivierungsschicht (224) und eine über der ersten Passivierungsschicht (224) gebildete erste elektrisch leitende Schicht (234); mindestens einen über der ersten elektrisch leitenden Schicht (234) und der ersten Passivierungsschicht (224) angeordneten Chip (242), wobei mindestens eine Chipkontaktstelle (243) die erste elektrisch leitende Schicht (234) kontaktiert; mindestens einen in der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildeten Hohlraum (2112), wobei der mindestens eine Hohlraum (2112) einen Abschnitt der die mindestens eine Chipkontaktstelle (243) bedeckenden ersten Passivierungsschicht (224) exponiert; eine auf der ersten Verkapselungsstruktur (202) aufgebrachte und den mindestens einen Hohlraum (2112) bedeckende zweite Verkapselungsstruktur (2116), wobei eine Kammerzone (2118) über der mindestens einen Chipkontaktstelle (243) durch den mindestens einen Hohlraum (2112) und die zweite Verkapselungsstruktur (2116) definiert wird; wobei die zweite Verkapselungsstruktur (2116) einen Einlass (2122) und einen Auslass (2124), die mit der Kammerzone (2118) verbunden sind, umfasst, wobei der Einlass (2122) und der Auslass (2124) einen Zufluss und einen Abfluss von wärmeableitendem Material in die und aus der Kammerzone (2118) steuern.