公开(公告)号：DE102011085955A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102011085955

申请日：2011-11-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUEHN OLAF ,  PRUEGL KLEMENS ,  SCHLEDZ RALF ,  STRASER ANDREAS DR ,  THYSSEN NORBERT ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf xMR-Sensoren, die eine sehr ausgeprägte Formanisotropie aufweisen. Ausführungsbeispiele beziehen sich außerdem auf neuartige Strukturierungsprozesse von xMR-Stapeln, um sehr ausgeprägte Formanisotropien zu erzielen, ohne das für die Leistungsfähigkeit relevante magnetfeldempfindliche Schichtsystem chemisch zu beeinflussen und dabei gleichzeitig vergleichsweise einheitliche Strukturbreiten über einen Wafer hinweg bereitzustellen, bei Ausführungsbeispielen bis auf etwa 100 nm. Ausführungsbeispiele können auch xMR-Stapel liefern, die Seitenwände des für die s aufweisen, die glatt sind und/oder eine definierte laterale Geometrie aufweisen, was wichtig ist, um ein homogenes magnetisches Verhalten über den Wafer hinweg zu erzielen.