公开(公告)号：DE102017212437B3

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017212437

申请日：2017-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： UHLIG INES ,  KÄMMER KERSTIN ,  THYSSEN NORBERT

IPC: H01L21/764 ,  B81C1/00 ,  H01L21/30

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Herstellen einer vergrabenen Hohlraumstruktur umfasst ein Bereitstellen (110) eines einkristallinen Halbleitersubstrats, ein Erzeugen (120) eines dotierten Volumenbereichs in dem einkristallinen Halbleitersubstrat, wobei der dotierte Volumenbereich für ein erstes Ätzmittel eine erhöhte Ätzrate gegenüber dem angrenzenden, undotierten oder niedriger dotierten Material des einkristallinen Halbleitersubstrats aufweist, ein Bilden (130) einer Zugangsöffnung zu dem dotierten Volumenbereich, und ein Entfernen (140) des dotierten Halbleitermaterials in dem dotierten Volumenbereich mit dem ersten Ätzmittel durch die Zugangsöffnung, um die vergrabene Hohlraumstruktur zu erhalten.

公开(公告)号：DE102011085955A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102011085955

申请日：2011-11-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUEHN OLAF ,  PRUEGL KLEMENS ,  SCHLEDZ RALF ,  STRASER ANDREAS DR ,  THYSSEN NORBERT ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf xMR-Sensoren, die eine sehr ausgeprägte Formanisotropie aufweisen. Ausführungsbeispiele beziehen sich außerdem auf neuartige Strukturierungsprozesse von xMR-Stapeln, um sehr ausgeprägte Formanisotropien zu erzielen, ohne das für die Leistungsfähigkeit relevante magnetfeldempfindliche Schichtsystem chemisch zu beeinflussen und dabei gleichzeitig vergleichsweise einheitliche Strukturbreiten über einen Wafer hinweg bereitzustellen, bei Ausführungsbeispielen bis auf etwa 100 nm. Ausführungsbeispiele können auch xMR-Stapel liefern, die Seitenwände des für die s aufweisen, die glatt sind und/oder eine definierte laterale Geometrie aufweisen, was wichtig ist, um ein homogenes magnetisches Verhalten über den Wafer hinweg zu erzielen.

公开(公告)号：DE102009047202A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102009047202

申请日：2009-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRATZ ACHIM ,  THYSSEN NORBERT

IPC: G01T1/24 ,  G01T1/29 ,  H01L25/18

Abstract: Ein Detektor umfasst ein erstes Halbleitersubstrat und ein zweites Substrat, wobei das erste Halbleitersubstrat ein Detektorelement zum Erfassen einer Strahlung oder eines Partikels umfasst und das zweite Substrat eine Steuerschaltung umfasst. Das Detektorelement erstreckt sich von einer ersten Hauptoberfläche des ersten Halbleitersubstrats zu einer zweiten Hauptoberfläche des ersten Halbleitersubstrats.

公开(公告)号：DE102021120714A1

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE102021120714

申请日：2021-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： UHLIG INES ,  THYSSEN NORBERT ,  OFFENBERG DIRK ,  KAEMMER KERSTIN

IPC: H01L27/146 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  G02B3/00 ,  G02B5/04 ,  G02B5/20 ,  G02B27/00

Abstract: Eine Vorrichtung für einen Bildsensor ist bereitgestellt. Die Vorrichtung umfasst ein Halbleiterbauelement mit einer photosensitiven Region und einem Metallisierungsstapel zum elektrischen Kontaktieren der photosensitiven Region. Die photosensitive Region ist ausgebildet, basierend auf einfallendem Licht ein elektrisches Signal zu erzeugen. Ferner umfasst die Vorrichtung einen optischen Stapel, der auf einer Oberfläche des Halbleiterbauelements gebildet ist, um das einfallende Licht in Richtung der photosensitiven Region zu lenken. Der optische Stapel umfasst eine Mehrzahl von aufeinander gestapelten Regionen. Die Mehrzahl von Regionen umfassen eine Filterregion, die ausgebildet ist, das einfallende Licht nur in einem Zielwellenlängenbereich selektiv durchzulassen.

公开(公告)号：DE102011085955B4

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102011085955

申请日：2011-11-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUEHN OLAF ,  PRUEGL KLEMENS ,  SCHLEDZ RALF ,  STRASSER ANDREAS DR ,  THYSSEN NORBERT ,  ZIMMER JÜRGEN

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: Magnetoresistives Sensorelement, das folgende Merkmale aufweist:einen ersten magnetoresistiven Stapelabschnitt (103), der eine freie Schicht (104) aufweist und eine erste, eine zweite, eine dritte und eine vierte Seite aufweist; undeinen zweiten magnetoresistiven Stapelabschnitt (111), der auf den ersten magnetoresistiven Stapelabschnitt (103) aufgebracht ist und der eine fünfte, eine sechste, eine siebte und eine achte Seite aufweist, von denen jede mit der ersten, der zweiten, der dritten und der vierten Seite nicht bündig abschließt;wobei der erste magnetoresistive Stapelabschnitt (103) anhand eines Damaszener-Prozesses gebildet ist,wobei der zweite magnetoresistive Stapelabschnitt (111) anhand eines Ätzprozesses strukturiert ist,wobei laterale Abmessungen des zweiten magnetoresistiven Stapelabschnitts (111) größer sind als laterale Abmessungen des ersten magnetoresistiven Stapelabschnitts (103).