公开(公告)号：DE102008052470B4

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：DE102008052470

申请日：2008-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS ,  MELZL MICHAEL ,  RUHL GÜNTHER DR ,  STRASSER ANDREAS DR ,  GÖLLNER REINHARD ,  GROTELOH DÖRTHE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zum Prozessieren eines Kontaktpads (103), das Verfahren aufweisend:• Bilden eines Passivierungsschichtstapels (101) auf zumindest einer oberen Oberfläche (103a) des Kontaktpads (103), wobei der Passivierungsschichtstapel (101) mindestens eine Passivierungsschicht (101a, 101b, 101c) aufweist;• Entfernen eines ersten Teilbereichs (101d) des Passivierungsschichtstapels (101) von oberhalb des Kontaktpads (103), wobei ein zweiter Teilbereich (101e) des Passivierungsschichtstapels (101) auf dem Kontaktpad (103) verbleibt und das Kontaktpad (103) bedeckt;• Bilden einer Haftschicht (108) auf dem Passivierungsschichtstapel (101);• Strukturieren der Haftschicht (108), wobei die Haftschicht (108) von oberhalb des Kontaktpads (103) entfernt wird;• Entfernen des zweiten Teilbereichs (101e) des Passivierungsschichtstapels (101), wodurch die obere Oberfläche (103a) des Kontaktpads (103) freigelegt wird; und• Bilden eines Verstärkungsschichtstapels (111) auf der oberen Oberfläche (103a) des Kontaktpads (103) nach dem Entfernen des zweiten Teilbereichs (101e) des Passivierungsschichtstapels (101), wobei der Verstärkungsschichtstapel (111) mindestens eine Verstärkungsschicht (111a, 111b, 111c) aufweist und wobei der Verstärkungsschichtstapel (111) in dem Passivierungsschichtstapel (101) derart versenkt ist, dass eine obere Oberfläche des Verstärkungsschichtstapels (111) bündig ist mit einer oberen Oberfläche des Passivierungsschichtstapels (101).

公开(公告)号：DE102011085955B4

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102011085955

申请日：2011-11-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUEHN OLAF ,  PRUEGL KLEMENS ,  SCHLEDZ RALF ,  STRASSER ANDREAS DR ,  THYSSEN NORBERT ,  ZIMMER JÜRGEN

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: Magnetoresistives Sensorelement, das folgende Merkmale aufweist:einen ersten magnetoresistiven Stapelabschnitt (103), der eine freie Schicht (104) aufweist und eine erste, eine zweite, eine dritte und eine vierte Seite aufweist; undeinen zweiten magnetoresistiven Stapelabschnitt (111), der auf den ersten magnetoresistiven Stapelabschnitt (103) aufgebracht ist und der eine fünfte, eine sechste, eine siebte und eine achte Seite aufweist, von denen jede mit der ersten, der zweiten, der dritten und der vierten Seite nicht bündig abschließt;wobei der erste magnetoresistive Stapelabschnitt (103) anhand eines Damaszener-Prozesses gebildet ist,wobei der zweite magnetoresistive Stapelabschnitt (111) anhand eines Ätzprozesses strukturiert ist,wobei laterale Abmessungen des zweiten magnetoresistiven Stapelabschnitts (111) größer sind als laterale Abmessungen des ersten magnetoresistiven Stapelabschnitts (103).