公开(公告)号：DE102008000218B4

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：DE102008000218

申请日：2008-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER WOLFGANG

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66

Abstract: Teststruktur (100) zur Messung von Elektromigration mit:einem Werkstück (102);einem Temperatureinsteller (104), der in einer über dem Werkstück (102) ausgebildeten ersten Materialschicht (M0) angeordnet ist;einer Beanspruchungsleitung (106), die in einer über dem Temperatureinsteller (104) ausgebildeten zweiten Materialschicht (M1) angeordnet ist;einer Zuleitung (108), die in einer über dem Temperatureinsteller (104) ausgebildeten dritten Materialschicht (M2) ausgebildet ist;einem leitenden Merkmal (110), das zwischen der Beanspruchungsleitung (106) und der Zuleitung (108) in einer vierten Materialschicht (V1) angeordnet ist; undzumindest einer Rückmeldungsanordnung (114a, 114b, 114c, 114d), die an den Temperatureinsteller (104) und das leitende Merkmal (110) gekoppelt ist, um eine Temperatur zumindest des leitenden Merkmals (110) zu überwachen und zu regeln.

公开(公告)号：DE102008000218A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：DE102008000218

申请日：2008-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER WOLFGANG

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66

Abstract: Semiconductor device test structures and methods are disclosed. In a preferred embodiment, a test structure includes a feed line, a stress line disposed proximate the feed line, and a conductive feature disposed between the stress line and the feed line. The test structure includes a temperature adjuster proximate at least the conductive feature, and at least one feedback device coupled to the temperature adjuster and at least the conductive feature.

公开(公告)号：DE102008000217A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：DE102008000217

申请日：2008-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER WOLFGANG ,  KOLLER KLAUS

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/768

公开(公告)号：DE10218530B4

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：DE10218530

申请日：2002-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER WOLFGANG ,  HELNEDER JOHANN ,  SCHWERD MARKUS ,  KOERNER HEINRICH ,  GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN

IPC: H01L27/08 ,  H01L23/522

Abstract: Metallic structures serve as thermal shielding and as devices for transferring heat to a substrate and have first metallic crosspieces (16a-f) in a first metallized layer that stretch crosswise across strip resistors (10a-c), parallel to which and beneath which run second cross pieces (18a-i). The first crosspieces link to the substrate via metallic ridges (20a-d) to produce heat.

公开(公告)号：DE10218530A1

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：DE10218530

申请日：2002-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER WOLFGANG ,  HELNEDER JOHANN ,  SCHWERD MARKUS ,  KOERNER HEINRICH ,  GLASOW ALEXANDER VON ,  FISCHER ARMIN

IPC: H01L27/08 ,  H01L23/522

Abstract: Metallic structures serve as thermal shielding and as devices for transferring heat to a substrate and have first metallic crosspieces (16a-f) in a first metallized layer that stretch crosswise across strip resistors (10a-c), parallel to which and beneath which run second cross pieces (18a-i). The first crosspieces link to the substrate via metallic ridges (20a-d) to produce heat.

公开(公告)号：DE102008000217B4

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：DE102008000217

申请日：2008-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WALTER WOLFGANG ,  KOLLER KLAUS

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768

Abstract: Teststruktur (100), umfassend: eine Speiseleitung (104a), die in einer ersten leitenden Materialschicht (M1) angeordnet ist, und eine Stressleitung (104b), die in der ersten leitenden Materialschicht (M1) benachbart der Speiseleitung (104a), aber von der Speiseleitung (104a) beabstandet, angeordnet ist, wobei die Stressleitung (104b) an die Speiseleitung (104a) durch ein leitendes Strukturmerkmal (108a, 108b, 112, 108c) gekoppelt ist, das in mindestens einer zweiten leitenden Materialschicht (V1) benachbart der ersten leitenden Materialschicht (M1) angeordnet ist, wobei die Speiseleitung (104a) eine Länge im Bereich von etwa 20 Mikrometer bis 80 Mikrometer hat.