公开(公告)号：DE102013111848A1

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE102013111848

申请日：2013-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER CHRISTOPH ,  FISTER SILVANA ,  GIETLER HERBERT ,  HÖCKELE UWE ,  KAHN MARKUS ,  KRENN CHRISTIAN ,  MAIER HUBERT ,  MATOY KURT ,  SCHÖNHERR HELMUT ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  WELLENZOHN ELFRIEDE

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105

Abstract: Es sind eine Passivierungsschicht und ein Verfahren (200) zum Herstellen einer Passivierungsschicht offenbart. Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zum Herstellen einer Passivierungsschicht das Aufbringen einer ersten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf ein Werkstück, wobei die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht Stickstoff umfasst (204), und das in-situ Aufbringen einer zweiten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht, wobei die zweite dielektrische Schicht Sauerstoff umfasst (206).