公开(公告)号：DE102014116082A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014116082

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNECK STEPHAN ,  KRIVEC STEFAN ,  MATOY KURT ,  WEILNBÖCK FLORIAN ,  AHLERS DIRK ,  GASSER KARL-HEINZ ,  FISCHER PETRA ,  FASTNER ULRIKE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L29/45

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterchip mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche auf. Eine Chipelektrode ist auf der ersten Hauptoberfläche angeordnet. Die Chipelektrode weist eine erste Metallschicht, die ein erstes Metallmaterial, das aus der Gruppe bestehend aus W, Cr, Ta, Ti und Metalllegierungen von W, Cr, Ta, Ti ausgewählt ist, umfasst, auf. Die Chipelektrode weist ferner eine zweite Metallschicht, die ein zweites Metallmaterial, das aus der Gruppe bestehend aus Cu und einer Cu-Legierung ausgewählt ist, umfasst, auf, wobei die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterchip und der zweiten Metallschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017120577A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：DE102017120577

申请日：2017-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  MATOY KURT

IPC: H01L21/283 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung beinhaltet Ätzen einer ersten Oberfläche eines Halbleitersubstrats von einer ersten Seite unter Verwendung eines ersten Ätzprozesses, um eine zweite Oberfläche freizulegen. Die zweite Oberfläche beinhaltet erste mehrere Merkmale. Die ersten mehreren Merkmale weisen eine durchschnittliche Höhe auf, die eine erste Höhe ist. Die zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats wird von der ersten Seite unter Verwendung eines zweiten Ätzprozesses geätzt, um eine dritte Oberfläche des Halbleitersubstrats freizulegen. Der zweite Ätzprozess wandelt die ersten mehreren Merkmale in zweite mehrere Merkmale um. Die zweiten mehreren Merkmale weisen eine durchschnittliche Höhe auf, die eine zweite Höhe ist. Die zweite Höhe ist geringer als die erste Höhe. Eine leitfähige Schicht wird über der dritten Oberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung eines physikalischen Abscheidungsprozesses gebildet.

公开(公告)号：DE102017113515A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017113515

申请日：2017-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROGALLI MICHAEL ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MATOY KURT ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GATTERBAUER JOHANN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aluminiumoxidschicht ist bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes beinhaltet: Bereitstellen einer Metalloberfläche, die wenigstens ein Metall aus einer Gruppe von Metallen beinhaltet, wobei die Gruppe Kupfer, Aluminium, Palladium, Nickel, Silber und Legierungen von diesen beinhaltet, und Abscheiden einer Aluminiumoxidschicht auf der Metalloberfläche durch Atomlagenabscheidung, wobei eine maximale Verarbeitungstemperatur während der Abscheidung 280°C beträgt, so dass die Aluminiumoxidschicht mit einer Oberfläche gebildet wird, die einen Flüssiglotkontaktwinkel von weniger als 40° aufweist.

公开(公告)号：DE102014116082A8

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102014116082

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNECK STEPHAN ,  KRIVEC STEFAN ,  MATOY KURT ,  WEILNBÖCK FLORIAN ,  AHLERS DIRK ,  GASSER KARL-HEINZ ,  FISCHER PETRA ,  FASTNER ULRIKE

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L29/45

公开(公告)号：DE102016120292A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016120292

申请日：2016-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MATOY KURT ,  BRANDL PETER ,  OSTERMANN THOMAS ,  AHLERS DIRK

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/62 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (10) einer Ausführungsform enthält eine Transistorvorrichtung (11) in einem Halbleiterdie (100), das einen Halbleiterkörper (101) umfasst. Die Transistorvorrichtung (11) umfasst Transistorzellen (102), die parallel verbunden sind und zumindest 80 % eines gesamten aktiven Gebiets (103) an einer ersten Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (101) bedecken. Ferner enthält die Halbleitervorrichtung (10) ein Steueranschluss-Kontaktgebiet (G) an der ersten Oberfläche (104), das mit einer Steuerelektrode (106) von jeder der Transistorzellen (102) elektrisch verbunden ist. Ein erstes Lastanschluss-Kontaktgebiet (S) an der ersten Oberfläche (104) ist mit einem ersten Lastanschlussgebiet (108) von jeder der Transistorzellen (102) elektrisch verbunden. Die Halbleitervorrichtung (10) enthält ferner einen Widerstand (R) in dem Halbleiterdie (100), der zwischen das Steueranschluss-Kontaktgebiet (G) und das erste Lastanschluss-Kontaktgebiet (S) elektrisch gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102015119059A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102015119059

申请日：2015-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  MISCHITZ MARTIN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Halbleitervorrichtung (100) Folgendes einschließen: ein Kontaktpad (104); einen über dem Kontaktpad (104) angeordneten Metallclip (108); und eine zwischen dem Metallclip (108) und dem Kontaktpad (104) angeordnete poröse Metallschicht (106), wobei die poröse Metallschicht (106) den Metallclip (108) und das Kontaktpad (104) miteinander verbindet.

公开(公告)号：DE102013111848A1

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE102013111848

申请日：2013-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER CHRISTOPH ,  FISTER SILVANA ,  GIETLER HERBERT ,  HÖCKELE UWE ,  KAHN MARKUS ,  KRENN CHRISTIAN ,  MAIER HUBERT ,  MATOY KURT ,  SCHÖNHERR HELMUT ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  WELLENZOHN ELFRIEDE

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105

Abstract: Es sind eine Passivierungsschicht und ein Verfahren (200) zum Herstellen einer Passivierungsschicht offenbart. Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zum Herstellen einer Passivierungsschicht das Aufbringen einer ersten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf ein Werkstück, wobei die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht Stickstoff umfasst (204), und das in-situ Aufbringen einer zweiten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht, wobei die zweite dielektrische Schicht Sauerstoff umfasst (206).

公开(公告)号：DE102013103378A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102013103378

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  DETZEL THOMAS ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO ,  DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  DJELASSI CHRISTIAN ,  AUER BERNHARD ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/522

Abstract: Leistungstransistorzellen sind in einem Zellarray einer integrierten Schaltung gebildet. Kontakt-Vias können elektrisch eine Metallstruktur über dem Zellarray und die Leistungstransistorzellen verbinden. Eine Verbindungsleitung (800) verbindet elektrisch ein erstes Element (901), das in dem Zellarray angeordnet ist, und ein zweites Element (902), das in einem peripheren Bereich angeordnet ist. Ein Teil der Verbindungsleitung (800) ist zwischen der Metallstruktur und dem Zellarray angeordnet und verläuft zwischen einer ersten Achse (891) und einer zweiten Achse (892), die parallel und in einem Abstand zueinander angeordnet sind. Der Abstand ist größer als eine Breite des Verbindungsleitungsteiles. Der Verbindungsleitungsteil ist tangential zu der ersten Achse (891) und der zweiten Achse (892). Ein durch Scherkraft induzierter Materialtransport längs der Verbindungsleitung wird reduziert durch Verkürzen von kritischen Teilen oder durch Ausnutzen von Korngrenzeffekten. Die Zuverlässigkeit einer Isolatorstruktur, die die Verbindungsleitung bedeckt, ist gesteigert.

公开(公告)号：DE102013113917B4

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102013113917

申请日：2013-12-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  MATOY KURT ,  SPORN MARTIN ,  HARRISON MARK

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: Verfahren zum Fertigen eines Schichtstapels auf einem Substrat, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Aufbringen einer ersten Ti-basierten Schicht auf einem Substrat;Aufbringen einer Al-basierten Zwischenschicht mit einer Dicke in einem Bereich von 30 nm bis 50 nm auf der ersten Schicht;Aufbringen einer zweiten NiV-basierten Schicht auf der Zwischenschicht;Aufbringen einer dritten Ag-basierten Schicht auf der zweiten Schicht; undTempern derart, dass mindestens eine intermetallische Phase zwischen mindestens zwei Metallen, die aus der aus Ti, Al, Ni und V bestehenden Gruppe ausgewählt sind, gebildet wird.

公开(公告)号：DE102017113515B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102017113515

申请日：2017-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROGALLI MICHAEL ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MATOY KURT ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GATTERBAUER JOHANN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aluminiumoxidschicht ist bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes beinhaltet: Bereitstellen einer Metalloberfläche, die wenigstens ein Metall aus einer Gruppe von Metallen beinhaltet, wobei die Gruppe Kupfer, Aluminium, Palladium, Nickel, Silber und Legierungen von diesen beinhaltet, und Abscheiden einer Aluminiumoxidschicht auf der Metalloberfläche durch Atomlagenabscheidung, wobei eine maximale Verarbeitungstemperatur während der Abscheidung 280°C beträgt, so dass die Aluminiumoxidschicht mit einer Oberfläche gebildet wird, die einen Flüssiglotkontaktwinkel von weniger als 40° aufweist.